**对比文件名称**：2018-11-27_发明授权_US10139479B2 Superpixel array of piezoelectric ultrasonic transducers for 2-D beamforming
**目标专利名称**：217三端口压电超声换能器CN107107114B
**模型名称**：GPT-4
根据目标专利说明书和权利要求，以及对比文件US10139479B2的内容，现进行技术特征比对分析如下：
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (段落号/位置) | 公开性论述 |
| **A. 在第一时间段期间，响应于来自收发器电路的信号，借助于PMUT的第一电极发射第一超声信号。**<br>**《未直接公开，也未隐含公开》** | [0060] “In the first mode of operation, the transceiver electronics may concurrently, or nearly simultaneously, transmit signals to each of the drive input terminals. As a result, each pixel in each pixel set may be separately actuated with a transmission signal of substantially the same phase delay to produce a plane wave excitation pattern...” | 对比文件描述了在一种操作模式下，收发器电路向驱动输入端子发送信号，以驱动像素阵列产生超声波。然而，其描述的是**阵列整体**的操作（如平面波或波束成形），并未具体揭示**单个PMUT**内部存在独立的“第一电极”用于发射，也未描述“借助于第一电极发射第一超声信号”这一针对单个换能器端口的具体动作。其“像素”或“PMUT元件”在发射时，可能使用的是通用的双端口结构，而非目标专利中特定划分的“第一电极”。因此，该特征未被公开。 |
| **B. 所述PMUT包含安置于腔上方的膜片。**<br>**《直接公开》** | [0003] “Such transducers may include piezoelectric micromechanical ultrasonic transducers (PMUTs) configured as a multilayer stack that includes a piezoelectric layer stack and a mechanical layer disposed over a cavity.” | 对比文件明确公开了PMUT包含安置于腔（cavity）上方的多层堆叠，其中包含压电层堆叠和机械层。本领域技术人员能够毫无疑义地确定，该多层堆叠构成了悬置于腔上方的振动结构，即目标专利所述的“膜片”。作用均为构成超声换能器的振动发声和接收部分。因此，该特征被直接公开。 |
| **C. 所述膜片包含压电层堆叠。**<br>**《直接公开》** | [0003] “...piezoelectric micromechanical ultrasonic transducers (PMUTs) configured as a multilayer stack that includes a piezoelectric layer stack...” | 对比文件明确指出了PMUT包含压电层堆叠（piezoelectric layer stack），且该堆叠是膜片（多层堆叠）的组成部分。作用均为提供压电效应以实现电-声转换。因此，该特征被直接公开。 |
| **D. 所述压电层堆叠包含压电层、所述第一电极和第二电极。**<br>**《未直接公开，也未隐含公开》** | [0003] “The piezoelectric layer stack may include a layer of piezoelectric material. On or proximate to each of an upper and a lower surface of the piezoelectric layer, a respective upper and lower electrode layer may be disposed.” | 对比文件公开了压电层堆叠包含压电层和电极层。然而，其描述的是在压电层的上表面和下表面（或附近）分别布置上电极层和下电极层，这是典型的双电极（上下电极）结构。目标专利权利要求中的“第一电极和第二电极”是**均位于压电层同一表面（与腔对置的表面）或附近**的两个独立电极。对比文件并未描述在压电层的同一侧设置两个独立的、功能可分离的电极。因此，该特征未被公开。 |
| **E. 所述第一电极与所述收发器电路的第一部分电耦合。**<br>**《隐含公开》** | [0056] “...drive input terminal 860(1) is conductively coupled by way of fixedly configured conductive path (870(1)) with center pixel (first pixel set) (1)...” 及全文关于收发器电路与阵列像素连接的描述。 | 对比文件详细描述了收发器电路（transceiver electronics）通过固定的导电路径与阵列中的像素（即PMUT）连接。虽然未明确描述单个PMUT内部的第一电极如何连接，但本领域技术人员可以合理推断，为了实现像素的驱动，每个PMUT的驱动电极（无论其具体结构和名称）必然需要与收发器电路的相应部分（即“第一部分”）电耦合。这种连接是PMUT阵列能够工作的基本前提。因此，该特征被隐含公开。 |
| **F. 且所述第一电极和所述第二电极中的每一者安置于所述压电层的第一表面上或附近。**<br>**《未直接公开，也未隐含公开》** | 见特征D引用。对比文件仅公开了电极位于压电层的上表面和下表面。 | 目标专利强调第一和第二电极均位于压电层的“第一表面上或附近”，且该表面与腔对置。对比文件未描述在压电层的同一侧表面（无论是上表面还是下表面）布置两个独立电极的技术方案。因此，该特征未被公开。 |
| **G. 所述第一表面与所述腔对置。**<br>**《未直接公开，也未隐含公开》** | 对比文件未明确描述电极所在表面与腔的位置关系。 | 目标专利明确限定了承载第一、第二电极的表面是与腔相对置的表面。对比文件未提供任何关于电极具体位于哪一侧以及该侧与腔相对位置的信息。因此，该特征未被公开。 |
| **H. 在第二时间段期间，借助于所述第二电极接收第二超声信号，所述第二电极与所述收发器电路的第二且不同的部分电耦合，其中所述第一时间段和所述第二时间段至少部分地重叠。**<br>**《隐含公开》** | [0060] “...it may be desirable to include a separate set of dedicated receive electrodes on each pixel in the superpixel array to allow simultaneous or at least overlapping transmitting and receiving of ultrasonic signals with each pixel or each set of pixels in the superpixel region (also known as three-port pixels or three-port PMUTs).” | 对比文件在[0060]段明确提到了在超像素阵列的每个像素上包含一组专用的接收电极（dedicated receive electrodes），以允许在每个像素或像素组内实现超声信号的**同时（simultaneous）或至少重叠（overlapping）的发射和接收**，并指出这被称为三端口像素或三端口PMUT。这直接对应于目标专利的“同时或至少部分重叠时间段内发射和接收”的核心思想。虽然对比文件未详述“第二电极”的具体结构，但其明确提出了为实现同时收发而设置专用接收电极的概念。本领域技术人员可以合理推断，该专用接收电极需要连接到收发器电路中与发射部分不同的接收部分。因此，该特征被隐含公开。 |
| **I. 其进一步包括同时地借助于所述第一电极发射所述第一超声信号并借助于所述第二电极接收所述第二超声信号。**<br>**《隐含公开》** | 同上，[0060]段明确提到了“simultaneous... transmitting and receiving”。 | 对比文件明确提出了“同时发射和接收”的操作模式，这与目标专利特征I完全一致。虽然其是在讨论三端口PMUT的益处时提及，但已清楚公开了该技术方案。因此，该特征被隐含公开。 |
| **J. 其中：所述第一电极安置于所述膜片的内部部分中，且所述第二电极安置于所述膜片的外部部分中，所述外部部分接近于所述腔的壁且处在所述壁与所述第一电极之间。**<br>**《未直接公开，也未隐含公开》** | 对比文件未描述单个PMUT膜片上电极的具体空间布局（内部部分 vs 外部部分）。 | 目标专利限定了第一电极（如发射电极）在内部、第二电极（如接收电极）在外部的特定径向布局。对比文件全文专注于阵列级（超像素）的像素空间分布以实现波束成形，并未揭示单个PMUT元件内部电极的此种详细几何排列。因此，该特征未被公开。 |
| **K. 其中所述第二电极的一部分延伸超出所述腔的所述壁。**<br>**《未直接公开，也未隐含公开》** | 对比文件未描述电极相对于腔壁的延伸关系。 | 该特征是关于电极在平面上的具体形状和位置。对比文件完全没有涉及此类细节。因此，该特征未被公开。 |
| **L. 其中所述膜片包含第三电极，所述第三电极安置于所述压电层与所述腔之间。**<br>**《未直接公开，也未隐含公开》** | 对比文件未描述第三电极的存在及其位置。 | 目标专利的三端口结构包括一个位于压电层与腔之间的第三电极（通常作为参考电极）。对比文件虽然提到了“三端口像素”，但未披露其具体电极构成和层叠结构。因此，该特征未被公开。 |
| **M. 其中所述第三电极被配置为与所述第一电极和所述第二电极中的每一者一样的参考电极。**<br>**《未直接公开，也未隐含公开》** | 对比文件未描述参考电极及其配置。 | 该特征依赖于特征L的第三电极存在，且进一步限定了其作为共同参考电极的功能。对比文件均未公开。因此，该特征未被公开。 |
| **N. 其中所述参考电极的电压箝位到接地或其它参考电压。**<br>**《未直接公开，也未隐含公开》** | 对比文件未描述任何电极的电压箝位设置。 | 该特征是具体的电路偏置方案。对比文件未公开。因此，该特征未被公开。 |
| **O. 其中：所述膜片受锚定结构支撑并在所述腔上方延伸，所述膜片经配置以在所述PMUT接收或发射超声信号时，经历挠曲运动和振动中的一者或两者并在第一挠曲模式中操作。**<br>**《直接公开》** | [0003] “...a mechanical layer disposed over a cavity.” 结合PMUT的公知常识。 | 对比文件公开了机械层安置于腔上方，这必然意味着膜片由锚定结构支撑并在腔上方延伸。本领域技术人员公知，PMUT膜片在电信号驱动下会发生挠曲振动以发射和接收超声波，其基本操作模式即为一种挠曲模式（如基频模式）。因此，该特征被直接公开。 |
| **P. 其中，在所述第一挠曲模式中，所述第一电极和所述第二电极中的每一者经历包含拉伸和压缩应力的交替周期的相应的第一振荡负载循环和第二振荡负载循环。**<br>**《未直接公开，也未隐含公开》** | 对比文件未分析或描述单个PMUT电极所经历的应力状态。 | 该特征涉及膜片振动时，不同位置电极所承受的具体机械应力循环。这是目标专利深入分析的微观工作机制。对比文件未涉及此层面。因此，该特征未被公开。 |
| **Q. 其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环大致同相。**<br>**《未直接公开，也未隐含公开》** | 对比文件未涉及不同电极应力循环的相位关系。 | 该特征是对特征P中应力循环相位关系的进一步限定。对比文件未公开。因此，该特征未被公开。 |
| **R. 其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环异相。**<br>**《未直接公开，也未隐含公开》** | 对比文件未涉及不同电极应力循环的相位关系。 | 同特征Q，对比文件未公开。因此，该特征未被公开。 |
| **S. 其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环异相180°。**<br>**《未直接公开，也未隐含公开》** | 对比文件未涉及不同电极应力循环的相位关系。 | 同特征Q、R，对比文件未公开。因此，该特征未被公开。 |
| **T. 其中所述第二电极经配置以在所述第一时间段期间处于发射模式中且在所述第二时间段期间处于接收模式中。**<br>**《未直接公开，也未隐含公开》** | 对比文件未描述单个电极在不同时间段切换发射/接收模式的功能配置。 | 目标专利此特征描述的是电极功能的时间切换。对比文件[0060]段提到的是“专用的接收电极”（dedicated receive electrodes），暗示其功能固定为接收，而非可切换的。因此，该特征未被公开。 |
**结论与代码输出**：
根据上述分析，对比文件直接公开了技术特征B、C、O；隐含公开了技术特征E、H、I。其他技术特征均未被直接公开或隐含公开。
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