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对比文件列表
2004-12-30_发明申请_US20040267134A1 Electric circuit for tuning a capacitive electrostatic transducer_+++B_O_e_h_n_t+++.docx
2026-03-10 19:01
2005-02-03_发明申请_US20050023937A1 Piezoelectric vibrator_+++C_M_a_d_e_l_n_o_p_r+++.docx
2026-03-10 19:01
2005-03-17_发明申请_US20050057284A1 Method and apparatus for controlling scanning of mosaic sensor array_+++B_a_c_e_o+++.docx
2026-03-10 19:01
2005-04-07_发明申请_US20050075572A1 Focusing micromachined ultrasonic transducer arrays and related methods of manufacture_+++B_a_c_e_g_l_o_p+++.docx
2026-03-10 19:01
2005-07-07_发明申请_US20050146247A1 Curved micromachined ultrasonic transducer arrays and related methods of manufacture_+++B_c_e_l_m_n_o+++.docx
2026-03-10 19:01
2008-05-29_发明申请_US20080122317A1 MULTI-LAYER TRANSDUCERS WITH ANNULAR CONTACTS_+++B_N_c_d_e_f_g_j_l_m_o_p_q_r_s+++.docx
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2009-08-13_发明申请_US20090204001A1 ULTRASONIC PROBE AND ULTRASONIC DIAGNOSTIC APPARATUS_+++B_N_a_b_c_d_e_l_m_o+++.docx
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2010-07-01_发明申请_US20100168583A1 ENHANCED ULTRASOUND IMAGING PROBES USING FLEXURE MODE PIEZOELECTRIC TRANSDUCERS_+++B_C_G_O_a+++.docx
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2011-08-03_发明公开_CN102143422A 圆形薄膜压电超声换能器_+++B_C_J_O_R_S_a_d_l_p+++.docx
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2012-06-19_发明授权_US08203912B2 CMUTs with a high-k dielectric_+++A_B_E_G_O_f_j+++.docx
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2012-07-26_发明申请_US20120188849A1 ULTRASONIC SENSOR AND ELECTRONIC DEVICE_+++A_B_C_D_E_F_G_o_p_t+++.docx
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2012-08-16_发明申请_US20120206014A1 PIEZOELECTRIC TRANSDUCERS USING MICRO-DOME ARRAYS_+++A_B_C_E_O+++.docx
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2012-09-27_发明申请_US20120245408A1 METHODS AND SYSTEMS FOR IMPROVING ACTUATOR PERFORMANCE BY REDUCING TENSILE STRESSES IN PIEZOELECTRIC THIN FILMS_+++B_C_D_F_G_L_O_S_a_e_j_p_r+++.docx
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2013-05-30_发明申请_US20130134838A1 PIEZOELECTRIC MEMS TRANSFORMER_+++B_C_D_F_G_L_M_N_O_e_p+++.docx
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2013-07-11_发明专利_JP2013135793A Ultrasonic probe and ultrasonic inspection apparatus_+++A_B_C_D_E_F_G_L_M_N_O_P_R_s+++.docx
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2013-11-07_发明申请_US20130293065A1 ULTRA WIDE BANDWIDTH PIEZOELECTRIC TRANSDUCER ARRAYS_+++B_C_D_E_O_a_b_c_l_m_n_p+++.docx
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2014-08-21_发明申请_US20140232241A1 PIEZOELECTRIC ARRAY EMPLOYING INTEGRATED MEMS SWITCHES_+++B_C_E_L_M_N_O_a_g_t+++.docx
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2015-03-26_发明申请_US20150087991A1 APPLICATION SPECIFIC INTEGRATED CIRCUIT WITH COLUMN-ROW-PARALLEL ARCHITECTURE FOR ULTRASONIC IMAGING_+++B_C_O+++.docx
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2015-06-18_发明申请_US20150169136A1 MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCERS AND DISPLAY_+++B_C_a_e_o+++.docx
2026-03-10 19:01
2015-06-18_发明申请_WO2015086413A1 MONOLITHICALLY INTEGRATED THREE ELECTRODE CMUT DEVICE_+++B_E_O+++.docx
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2016-04-21_发明申请_US20160107194A1 THREE-PORT PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
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2016-04-21_发明申请_WO2016061406A1 SUPERPIXEL ARRAY OF PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCERS FOR 2-D BEAMFORMING_+++A_B_C_D_E_G_H_I_f_l_m_o+++.docx
2026-03-10 19:01
2016-04-21_发明申请_WO2016061410A1 THREE-PORT PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
2026-03-10 19:01
2016-04-21_发明申请_WO2016061412A1 ACTIVE BEAM-FORMING TECHNIQUE FOR PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER ARRAY_+++B_C_O+++.docx
2026-03-10 19:01
2016-05-12_发明申请_US20160131747A1 ACTIVE BEAM-FORMING TECHNIQUE FOR PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER ARRAY_+++B_C_O_d_l_m+++.docx
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2017-04-20_发明申请_US20170110504A1 INTEGRATED PIEZOELECTRIC MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCER PIXEL AND ARRAY_+++A_B_C_D_F_G_H_I_J_L_M_N_O_P_b_e_k_q_r_s+++.docx
2026-03-10 19:01
2017-04-20_发明申请_WO2017066612A1 INTEGRATED PIEZOELECTRIC MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCER PIXEL AND ARRAY_+++A_B_C_D_G_H_I_L_M_N_e_f_j_o_p_r_s+++.docx
2026-03-10 19:01
2018-06-08_发明公开_CN108140115A 集成的压电微机械超声换能器像素和阵列_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_M_N_O_f_p_r_s+++.docx
2026-03-10 19:01
2018-06-18_发明公开_KR20180066096A 통합된 압전 마이크로기계식 초음파 트랜스듀서 픽셀 및 어레이_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_N_O_P_Q_R_S+++.docx
2026-03-10 19:01
2018-06-19_发明授权_US10001552B2 Three-port piezoelectric ultrasonic transducer_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
2026-03-10 19:01
2018-11-27_发明授权_US10139479B2 Superpixel array of piezoelectric ultrasonic transducers for 2-D beamforming_+++B_C_O_e_h_i+++.docx
2026-03-10 19:01
EP3362943A1_Description_20260304_2047_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_N_P_k_o+++.docx
2026-03-10 19:01
WO2016061410A1_Description_20260304_2047_+++A_B_C_D_F_G_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_e_h+++.docx
2026-03-10 19:01
无说明书_+++B_C_O_d_n_p+++.docx
2026-03-10 19:01
2013-05-30_发明申请_US20130134838A1 PIEZOELECTRIC MEMS TRANSFORMER_+++B_C_D_F_G_L_M_N_O_e_p+++.docx

对比文件名称:2013-05-30_发明申请_US20130134838A1 PIEZOELECTRIC MEMS TRANSFORMER

目标专利名称:三端口压电超声换能器CN107107114B

模型名称:DeepSeek

## 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:在第一时间段期间,响应于来自收发器电路的信号,借助于压电微机械超声换能器PMUT的第一电极发射第一超声信号,《未公开》未发现相关内容。目标专利的技术特征A涉及使用PMUT的第一电极发射**超声信号**。对比文件(参见[0037]-[0040]段)描述的压电变压器用于电信号的能量转换,其输入信号引起压电层机械振动以产生输出电信号,并未提及发射或接收**超声信号**(即频率高于可听范围的声波)。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出“发射超声信号”的技术方案。
**技术特征B**:所述PMUT包含安置于腔上方的膜片,《直接公开》图10及其相关描述(参见[0069]段):“...piezoelectric resonator transformer 300 is suspended in a cavity 140 by virtue of a first tether... The piezoelectric resonator transformer is capable of vibration...”对比文件公开了压电谐振器变压器(对应于目标专利的PMUT)悬置于腔(cavity 140)中,并由系绳(tether)支撑。这种悬置结构可理解为一种“膜片”(diaphragm)安置于腔上方。本领域技术人员能够毫无疑义地得出此技术特征。
**技术特征C**:所述膜片包含压电层堆叠,《直接公开》图1及其相关描述(参见[0038]段):“...piezoelectric transformer 100 that includes a piezoelectric layer 102, a first (upper) conductive layer 104... and a second (lower) conductive layer 108...”对比文件明确公开了压电变压器包含压电层(102)和上下导电层(104, 108),这些层的组合构成了压电层堆叠。本领域技术人员能够直接且毫无疑义地得出此技术特征。
**技术特征D**:所述压电层堆叠包含压电层、所述第一电极和第二电极,《直接公开》图1、图2及其相关描述(参见[0038]、[0046]段)。例如,图2显示上层导电层(104)包含第一电极(112)和第二电极(114),下层导电层(108)包含第三电极(116)。压电层(102)位于其间。对比文件明确公开了压电层(102),以及位于其上的第一组电极(112)和第二组电极(114)。这些电极对应于目标专利中的第一电极和第二电极。本领域技术人员能够直接且毫无疑义地得出此技术特征。
**技术特征E**:所述第一电极与所述收发器电路的第一部分电耦合,《隐含公开》图1及其相关描述(参见[0039]段):“Piezoelectric transformer 100 also includes a first port 124 capable of receiving an input signal... The first electrodes are coupled to the first port 124.”对比文件公开了第一电极(112)连接到第一端口(124),该端口用于接收输入信号。端口必然需要与外部电路(如收发器电路)连接以实现信号传输。因此,本领域技术人员能够合理推断第一电极与收发器电路的一部分电耦合。
**技术特征F**:且所述第一电极和所述第二电极中的每一者安置于所述压电层的第一表面上或附近,《直接公开》图1及其相关描述(参见[0038]段):“a first (upper) conductive layer 104 arranged over a first (upper) surface 106 of the piezoelectric layer 102”。图2显示第一电极(112)和第二电极(114)均位于该上层导电层(104)中。对比文件明确说明了上层导电层(104)布置在压电层(102)的第一(上)表面(106)上,并且该导电层中包含第一电极和第二电极。因此,第一电极和第二电极安置于压电层的第一表面上。本领域技术人员能够直接且毫无疑义地得出此技术特征。
**技术特征G**:所述第一表面与所述腔对置《直接公开》结合图1和图10。图1显示压电层(102)具有上表面(106)和下表面(110)。图10显示压电谐振器变压器(包含压电层)悬置于腔(140)上方。因此,压电层的上表面(106,即第一表面)与下方的腔(140)对置。从对比文件的整体结构可知,压电层堆叠悬置于腔上方,压电层的上表面(即布置有第一、第二电极的表面)背向腔。本领域技术人员结合附图能够直接且毫无疑义地得出“第一表面与腔对置”的技术特征。
**技术特征H**:在第二时间段期间,借助于所述第二电极接收第二超声信号,所述第二电极与所述收发器电路的第二且不同的部分电耦合,其中所述第一时间段和所述第二时间段至少部分地重叠。《未公开》未发现相关内容。目标专利的技术特征H涉及使用第二电极**接收第二超声信号**,并且发射时间段(第一时间段)与接收时间段(第二时间段)**至少部分地重叠**(即同时或准同时操作)。对比文件描述的是变压器功能,其第二电极(114)用于输出电信号([0039]段),并未提及“接收超声信号”。同时,作为变压器,输入和输出电信号虽然在时间上共存,但这种“重叠”是电能转换的固有特性,与目标专利中**独立的、用于超声信号收发的时序控制**有本质区别。本领域技术人员无法从对比文件得出此技术方案。
**技术特征I**:其进一步包括同时地借助于所述第一电极发射所述第一超声信号并借助于所述第二电极接收所述第二超声信号。《未公开》未发现相关内容。此特征明确要求“同时”发射和接收超声信号。如特征H所述,对比文件未公开任何与“超声信号”发射和接收相关的内容,更未公开两者同时进行的操作模式。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征J**:所述第一电极安置于所述膜片的内部部分中,且所述第二电极安置于所述膜片的外部部分中,所述外部部分接近于所述腔的壁且处在所述壁与所述第一电极之间。《未公开》未发现相关内容。对比文件中公开的电极图案(如图2、3、4)通常是叉指状(interdigitated)排列,电极交替布置,并未明确区分“内部部分”和“外部部分”,也未描述第二电极“接近于腔的壁且处在壁与第一电极之间”这种特定的空间位置关系。本领域技术人员无法从对比文件中得出此具体布置。
**技术特征K**:其中所述第二电极的一部分延伸超出所述腔的所述壁。《未公开》未发现相关内容。对比文件的附图(如图10)显示谐振器结构整体悬置于腔中,电极图案覆盖在谐振器上,但并未明确显示或描述任何电极的一部分“延伸超出腔的壁”。该技术特征未被公开。
**技术特征L**:其中所述膜片包含第三电极,所述第三电极安置于所述压电层与所述腔之间。《直接公开》图1及其相关描述(参见[0038]段):“a second (lower) conductive layer 108 arranged over a second (lower) surface 110 of the piezoelectric layer...”。该下层导电层(108)包含第三组电极(116)。结合图10,该下层电极位于压电层(102)与腔(140)之间。对比文件明确公开了在压电层(102)的第二(下)表面(110)上布置有下层导电层(108),其中包含第三电极(116)。由于整个结构悬置于腔(140)上方,该第三电极必然位于压电层与腔之间。本领域技术人员能够直接且毫无疑义地得出此技术特征。
**技术特征M**:其中所述第三电极被配置为与所述第一电极和所述第二电极中的每一者一样的参考电极。《直接公开》图1及相关描述(参见[0047]段):“In some implementations, the one or more third electrodes 116... can be coupled to ground.”对比文件明确指出第三电极(116)可以耦合到地(ground)。接地电极在电路中通常用作参考电位,即参考电极。因此,对比文件公开了第三电极被配置为参考电极。本领域技术人员能够直接且毫无疑义地得出此技术特征。
**技术特征N**:其中所述参考电极的电压箝位到接地或其它参考电压。《直接公开》同上,参见[0047]段:“...can be coupled to ground.”耦合到地(ground)即意味着其电压被箝位到接地参考电压。本领域技术人员能够直接且毫无疑义地得出此技术特征。
**技术特征O**:所述膜片受锚定结构支撑并在所述腔上方延伸,所述膜片经配置以在所述PMUT接收或发射超声信号时,经历挠曲运动和振动中的一者或两者并在第一挠曲模式中操作。《直接公开》图10及其相关描述(参见[0069]段):“...suspended in a cavity 140 by virtue of a first tether... The piezoelectric resonator transformer is capable of vibration...”。[0043]段提及“acoustically isolated”和“vibrate”。对比文件公开了谐振器通过系绳(tether,一种锚定结构)支撑并悬置于腔中,且能够振动。振动必然包含挠曲运动。虽然对比文件未明确提及“第一挠曲模式”,但本领域技术人员知晓此类悬置压电结构通常在其基频(第一挠曲模式)下振动以实现高效能量转换。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征P**:其中,在所述第一挠曲模式中,所述第一电极和所述第二电极中的每一者经历包含拉伸和压缩应力的交替周期的相应的第一振荡负载循环和第二振荡负载循环。《隐含公开》[0071]段:“The piezoelectric resonator transformers of FIGS. 1-10... when provided one or more electrical input signals, cause the piezoelectric layers to have a motional response. The motional response can include a vibrational oscillation...”对比文件明确公开了施加电信号会引起压电层产生运动响应(振动)。当压电层振动时,附着于其上的电极下方的区域必然会经历周期性的拉伸和压缩应力(应变)。这是压电效应的逆过程(即振动产生应力)的必然结果。虽然对比文件未明确文字描述“拉伸和压缩应力的交替周期”,但本领域技术人员根据压电谐振器的工作原理,能够合理推断出此技术特征。
**技术特征Q**:其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环大致同相。《未公开》未发现相关内容。对比文件未描述不同电极下压电材料所经历应力循环之间的相位关系(同相或异相)。该技术特征未被公开。
**技术特征R**:其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环异相。《未公开》未发现相关内容。同上,对比文件未描述应力循环的相位关系。该技术特征未被公开。
**技术特征S**:其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环异相180°。《未公开》未发现相关内容。同上,对比文件未描述应力循环的相位关系,更未提及特定的180°异相关系。该技术特征未被公开。
**技术特征T**:其中所述第二电极经配置以在所述第一时间段期间处于发射模式中且在所述第二时间段期间处于接收模式中。《未公开》未发现相关内容。目标专利的特征T涉及第二电极在发射模式和接收模式之间切换。对比文件中,第二电极(114)被固定地连接为输出端口([0039]段),用于输出信号,并未提及它可以在不同时间段被重新配置或切换为“发射模式”。该技术特征未被公开。

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