对比文件名称：2000-09-12_发明授权_US6118985A High frequency switch device, front end unit and transceiver
目标专利名称：223可切换的天线阵列CN105917581B
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：阻抗电路《隐含公开》 | 说明书第[0021]段：“The switch device comprises a first filter circuit composed of a depletion type FET 11, an inductor 21 and a capacitor 25; a second filter circuit composed of a depletion type FET 12, an inductor 22 and a capacitor 26; ... an antenna terminal (Ant) 2 is connected to a common junction point 8 of the two filter circuits.” | 目标专利中的“阻抗电路”是一个广义的功能性组件，其作用是为天线阵列的分配/加和网络提供阻抗匹配，以在所有开关配置下保持合理的返回损耗和低插入损耗。对比文件中的电路由电感（21、22）和电容（25、26）与FET（11、12）并联构成，其明确作用之一是形成并联谐振电路（参见说明书第[0022]段），该谐振电路在特定频率（如1.9GHz）下呈现高阻抗，从而在FET关断时减少泄漏电流，实现低损耗和高隔离。虽然对比文件的电路在结构上（并联LC）与目标专利权利要求中后续限定的具体结构（串联L和并联C）不完全相同，但其核心功能是提供特定的阻抗特性（谐振高阻抗）以改善开关性能。因此，本领域技术人员可以毫无疑义地认识到，对比文件公开的并联LC电路在系统中起到了“提供所需阻抗特性”的作用，这与目标专利中“阻抗电路”的功能是相同的，构成等同公开。 |
| **技术特征B**：以及 多个电感器，所述多个电感器中的每个电感器被耦合至所述阻抗电路并且被耦合到多个非接地输出端子中的一个相应端子，《隐含公开》 | 说明书第[0021]段：“Further, the inductor 21 and the capacitor 25 are connected in parallel to each other between a drain electrode and a source electrode of the FET 11. In the same way, the inductor 22 and the capacitor 26 are connected in parallel to each other between a drain electrode and a source electrode of the FET 12.” 以及图2、3显示电感21连接在FET 11的漏源极之间，并连接到发射端（Tx）3；电感22连接在FET 12的漏源极之间，并连接到接收端（Rx）4。 | 目标专利的特征B限定了电感器耦合到阻抗电路和非接地输出端子。在对比文件中，每个电感器（21、22）是其对应“滤波器电路”（即前述“阻抗电路”）的一部分，并且其一端连接到FET的漏极或源极，另一端连接到信号端子Tx 3或Rx 4（参见图2）。这些端子（Tx 3, Rx 4）在开关工作状态下是信号输入/输出端子，并非接地端子，因此属于“非接地输出端子”。虽然对比文件的电路是单刀双掷（SPDT）开关，仅有两个分支（对应两个输出端子），而目标专利权利要求未限定分支数量，但“多个”包括两个或以上。因此，对比文件公开了“多个电感器（两个），每个电感器耦合至包含它的阻抗电路部分，并且耦合到多个非接地输出端子（Tx 3, Rx 4）中的一个相应端子”。这构成了直接公开。 |
| **技术特征C**：并且所述多个电感器中的每个电感器被并联耦合至多个开关中的对应开关，《直接公开》 | 说明书第[0021]段：“Further, the inductor 21 and the capacitor 25 are connected in parallel to each other between a drain electrode and a source electrode of the FET 11. In the same way, the inductor 22 and the capacitor 26 are connected in parallel to each other between a drain electrode and a source electrode of the FET 12.” | 目标专利的特征C限定了每个电感器与一个开关并联耦合。在对比文件中，每个电感器（21或22）与一个电容（25或26）并联，并且这个并联组合是直接跨接在对应的FET（11或12）的漏极和源极之间的。FET在电路中充当开关。因此，电感器21与开关FET 11并联，电感器22与开关FET 12并联。这构成了毫无疑义的直接公开。 |
| **技术特征D**：其中所述多个开关中的至少一个开关被配置为独立地被激活。《直接公开》 | 说明书第[0022]段：“In the transmission mode, for instance, 2.7 V is given to the gate signal input terminal 5; 0 V is given to the gate signal input terminal 7; ... Then, since the FET 11 is turned on and the FET 12 is turned off...” | 目标专利的特征D限定了开关可以独立地被激活（即控制其通断）。对比文件明确描述了通过向栅极信号输入端子5和7施加不同的控制电压（2.7V和0V），可以独立地控制FET 11（导通）和FET 12（关断）的状态。这清楚地表明每个开关可以被独立地控制其激活（导通）或去激活（关断）状态。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征E**：还包括组合器，所述组合器响应于所述多个开关并且被配置为组合由所述多个开关中的所选开关输出的信号以产生组合信号。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 目标专利的特征E涉及一个“组合器”，其功能是组合从多个开关中的“所选开关”输出的信号，以产生一个“组合信号”。这对应于目标专利说明书附图4中的组合器450，用于在接收路径中组合来自多个天线的信号，或在发射路径中分配信号。对比文件US6118985A描述的是一个SPDT天线开关，其功能是在发射路径（Tx）和接收路径（Rx）之间进行切换选择，将信号路由到天线或从天线路由出来。其电路结构（图2）没有显示出任何将来自多个路径的信号进行“组合”以产生一个组合输出的部件或功能。Tx和Rx路径是互斥工作的，信号是从一个端子选通到另一个端子，而不是从多个端子组合到一个公共输出。因此，对比文件没有公开“组合器”这一技术特征。 |
| **技术特征F**：其中，每个开关被配置为选择性地使从所述阻抗电路接收的信号旁路相应的电感器并从所述开关的输入传播至所述开关的输出。《隐含公开》 | 说明书第[0022]段：“Then, since the FET 11 is turned on and the FET 12 is turned off, when a signal is inputted to the transmit-side terminal (Tx) 3 under these conditions, the inputted signal is transmitted to the antenna terminal 2 through an on-resistance of the FET 11.” 以及背景技术第[0002]段描述了图10的传统SPDT开关中，信号通过导通的FET 11的导通电阻（on-resistance）传播。 | 目标专利的特征F描述了开关的功能：当开关激活（闭合）时，信号通过开关（例如晶体管）传播，从而“旁路”了与该开关并联的电感器。在对比文件中，当FET 11导通时，信号从Tx 3端子通过FET 11的“导通电阻（on-resistance）”传播到天线端子2。此时，由于FET 11呈现低阻通路，而与之并联的电感器21和电容25构成的谐振电路在导通状态下并非工作在其谐振高阻状态，信号主要流经低阻的FET通道，实质上实现了对并联LC支路的“旁路”。本领域技术人员根据对比文件公开的电路结构和工作原理（导通时信号通过FET的on-resistance），可以合理推断出导通状态下信号主要流经开关FET，而并联的LC支路被旁路。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征G**：其中，所述多个开关中的每个开关包括晶体管，并且每个所述晶体管的大小基于标准被确定以充分平衡第一模式中的阻抗匹配与第二模式中的串联损耗。《隐含公开》 | 说明书第[0026]段：“With respect to the insertion loss, the on-resistance of the FET of the case B is small, as compared with the case A. However, when the layout area is taken into account, since the FET area is larger than the capacitor area, the layout area of the case B is larger than that of the case A. In the actual design, it is desirable to select the value of the capacitance Cp under the consideration of the target specifications.” 以及说明书第[0021]段给出了FET的尺寸示例（栅宽Wg=1mm）。 | 目标专利的特征G涉及基于平衡阻抗匹配（对应于返回损耗）和串联损耗（对应于插入损耗）的标准来确定晶体管（开关）的大小。对比文件虽然没有明确表述一个完全相同的“平衡标准”，但其说明书第[0026]段在讨论插入损耗时，提到了FET的导通电阻（on-resistance）大小会影响插入损耗（串联损耗的一部分），并且FET的面积（与其大小相关）是芯片布局面积的考量因素。同时，整个发明的目的之一是实现低损耗和高隔离（涉及阻抗匹配）。本领域技术人员知道，在RF开关设计中，FET的栅宽（大小）直接影响其导通电阻（影响插入损耗）和关断电容（影响关断状态下的阻抗/隔离度）。为了优化整体性能（低插入损耗和良好的隔离/阻抗匹配），在设计时必然需要基于这些性能指标（即一种“标准”）来权衡和确定FET的尺寸。因此，尽管对比文件没有明确写出一个公式化的“标准”，但本领域技术人员根据其公开的电路目的（低损耗、高隔离、小面积）和FET尺寸参数，可以合理推断出在设计和选择FET大小时，需要权衡考虑其导通电阻（影响损耗）和关断电容（影响关断阻抗/匹配）等因素，这隐含了基于性能平衡标准来确定晶体管大小的技术手段。 |
| **技术特征H**：其中，所述第一模式对应于闭合的开关，而所述第二模式对应于断开的开关。《直接公开》 | 说明书第[0022]段描述了传输模式：“FET 11 is turned on and the FET 12 is turned off”。结合上下文，导通（on）对应于开关闭合，关断（off）对应于开关断开。 | 目标专利的特征H定义了特征G中的“第一模式”和“第二模式”分别对应于开关的闭合和断开状态。对比文件明确描述了FET 11“turned on”（导通，即闭合）和FET 12“turned off”（关断，即断开）的状态。这直接对应于特征H的定义。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征I**：其中，所述多个电感器中的每个电感器的大小基于与所述多个开关的多个配置相关的标准被确定。《隐含公开》 | 说明书第[0021]段：“The inductor 21 forms a parallel resonance circuit in cooperation with both an off-state capacitance of the FET 11 and the capacitor 25. Further, the inductance of the inductor 21 is so decided that the impedance of the parallel resonance circuit can be maximized at a frequency (e.g., 1.9 GHz)...” | 目标专利的特征I限定了电感器的大小基于与开关多个配置相关的标准来确定。在对比文件中，电感器（21, 22）与FET的关断电容（Coff）和附加电容（Cp）形成并联谐振电路。电感值被确定为使得该谐振电路在特定工作频率（如1.9 GHz）下阻抗最大（参见第[0021]段）。这种“在特定频率下实现最大阻抗”就是一个明确的设计标准。虽然对比文件的SPDT开关只有两个开关和有限的几种状态组合（Tx开/Rx关，Tx关/Rx开等），但“多个配置”可以理解为开关的不同通断状态组合。电感的大小（电感值）正是根据在这些配置下（特别是关断状态下）需要实现谐振高阻抗这一标准来确定的。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征J**：其中，所述多个电感器经由公共节点被耦合至所述阻抗电路，并且其中所述至少一个开关被配置为基于控制信号的值而被激活。《直接公开》 | 说明书第[0021]段：“One end of the first filter and one end of the second filter circuits are connected in series with each other, and an antenna terminal (Ant) 2 is connected to a common junction point 8 of the two filter circuits.” 以及第[0022]段：“2.7 V is given to the gate signal input terminal 5; 0 V is given to the gate signal input terminal 7”。图2显示电感21、22通过其所在的滤波器电路连接到公共节点8。 | 目标专利的特征J包含两点：1) 多个电感器经由公共节点耦合至阻抗电路；2) 开关基于控制信号的值被激活。对于第一点，对比文件中，两个滤波器电路（每个包含电感、电容和FET）的一端串联连接，其连接点即为公共节点8（天线端子也连接于此）。电感器21和22作为各自滤波器电路的一部分，通过该电路连接到公共节点8。因此，电感器“经由公共节点被耦合至所述阻抗电路”这一特征被公开（这里的“阻抗电路”可理解为由两个滤波器电路共同构成或每个滤波器电路本身）。对于第二点，对比文件明确描述了通过向栅极信号输入端子5和7施加特定电压（如2.7V， 0V）来控制FET 11和12的激活（导通）。这直接公开了“开关被配置为基于控制信号的值而被激活”。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征K**：其中，所述阻抗电路包括：第二电感器，被耦合至输入并被耦合至所述多个电感器《未公开》 | 未发现相关内容。对比文件图2中，没有显示在输入端子（Tx 3或Rx 4）与并联的LC-FET电路之间串联有一个独立的“第二电感器”。 | 目标专利的特征K和L共同限定了阻抗电路的一个具体实施方式：包括一个串联在输入和多个电感器之间的第二电感器（K），以及一个连接在输入和地之间的电容器（L）。在对比文件US6118985A的电路（图2）中，每个信号路径（Tx或Rx）上的“阻抗电路”由与FET并联的LC电路（电感21/22和电容25/26）构成。输入信号端子（Tx 3或Rx 4）直接连接到该并联LC-FET组合的一端，另一端连接到公共节点8。对比文件的电路中，在信号输入端子和并联的LC-FET电路之间，并没有公开一个如特征K所述的、串联在路径中的“第二电感器”。因此，特征K没有被对比文件公开。 |
| **技术特征L**：以及 电容器，被耦合至所述输入并被耦合至地。《未公开》 | 未发现相关内容。对比文件图2中，电容25和26是并联在FET的漏源极之间的，其一端连接信号路径，另一端通过FET连接，并非直接耦合在输入和地之间。 | 目标专利的特征L限定的电容器是连接在“输入”和“地”之间的。在对比文件中，电容25和26是并联在FET（11，12）的漏极和源极之间的。它们的连接点是在信号路径上（介于输入端子Tx 3/Rx 4和公共节点8之间），而不是一端接“输入”另一端接“地”。因此，该电容的连接方式与特征L的限定不同。特征L没有被公开。 |
| **技术特征M**：其中，所述多个电感器和所述多个开关形成分配和加和网络的第一级。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 目标专利的特征M、N、O、P限定了技术方案应用于一个多级的“分配和加和网络”（CDS网络）中。具体地，特征M指出当前权利要求中的电感器和开关构成了该网络的第一级。对比文件US6118985A公开的是一个单级的高频开关设备，用于在发射和接收路径之间切换。其电路结构（两个并联LC-FET支路）本身是一个完整的开关单元，并未描述或暗示它是某个更大的、多级分配/加和网络中的第一级。没有公开任何级联的开关网络结构。因此，特征M没有被对比文件公开。 |
| **技术特征N**：其中，所述分配和加和网络的第二级包括第二多个开关，其中，所述第二级经由多个放大器被耦合至多个天线。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 如特征M所述，对比文件没有公开多级的分配和加和网络。因此，自然不存在“第二级”、“第二多个开关”，也不存在第二级“经由多个放大器被耦合至多个天线”的结构。对比文件的输出直接连接到天线端子（Ant 2），中间没有多级开关网络和放大器。因此，特征N没有被公开。 |
| **技术特征O**：其中，所述分配和加和网络的所述第一级以及所述分配和加和网络的所述第二级在被耦合至所述多个天线的发射路径和接收路径之间共享。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 该特征依赖于多级分配和加和网络的存在。由于对比文件未公开这样的多级网络，因此该共享特征也无从谈起。对比文件的开关本身在Tx和Rx路径之间共享，但这不是权利要求中限定的“分配和加和网络的第一级和第二级”在发射和接收路径之间共享。因此，特征O没有被公开。 |
| **技术特征P**：其中，所述第一级、所述第二级和所述多个放大器在射频集成电路内。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 该特征限定了多级网络和放大器集成在RFIC内。对比文件确实提到其开关设备可以制作在GaAs衬底上作为MMIC（微波单片集成电路）（参见第[0020]段）。然而，这仅是针对其公开的单级开关电路本身，而非针对权利要求中限定的“第一级、第二级和多个放大器”这一整体。由于对比文件未公开权利要求中的多级分配和加和网络结构（第一级、第二级），因此也就未公开这些部件集成在RFIC内的技术特征。特征P未被公开。 |
| **技术特征Q**：其中，所述阻抗电路和所述多个电感器被包含到移动通信设备中。《直接公开》 | 说明书第[0020]段：“FIG. 1 shows a simple portable telephone system called PHS (Personal Handy-phone System), to which the RF switch device according to the present invention is applied.” | 目标专利的特征Q限定了整个装置被包含在移动通信设备中。对比文件明确记载其高频开关设备应用于“便携电话系统”（Personal Handy-phone System, PHS），这是一种移动通信设备。因此，对比文件公开了将包含所述阻抗电路（即其滤波器电路）和电感器的开关设备包含到移动通信设备中的技术特征。这构成了直接公开。 |
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