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对比文件列表
1980-05-06_发明授权_US4201960A Method for automatically matching a radio frequency transmitter to an antenna_+++A_C_D_F_H_L_j+++.docx
2026-03-10 19:07
1987-01-21_发明公开_EP0208984A1 Verfahren zur automatischen Impedanzanpassung eines Senders an eine Antenne_+++A_D_L_Q_f_j+++.docx
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1988-12-06_发明授权_US4789846A Microwave semiconductor switch_+++C_D_F_a_h+++.docx
2026-03-10 19:07
1990-05-23_发明授权_EP0208984B1 Verfahren zur automatischen Impedanzanpassung eines Senders an eine Antenne_+++A_D_F_L_Q+++.docx
2026-03-10 19:07
2000-09-12_发明授权_US6118985A High frequency switch device, front end unit and transceiver_+++C_D_H_I_J_Q_a_b_f+++.docx
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2002-09-06_发明申请_WO2002069435A1 MULTIBAND R. F. SWITCHING DEVICE_+++C_D_H_Q_a_b_f_j+++.docx
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2003-11-28_发明专利_JP2003338773A High-frequency switching circuit_+++A_B_C_D_F_I_J_h_q+++.docx
2026-03-10 19:07
2004-05-13_发明申请_US20040092285A1 Multiband r f switching device_+++C_D_H_J_Q_a_b_e_f+++.docx
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2005-04-14_发明专利_JP2005101097A Semiconductor device and its manufacturing method_+++C_D_Q_f_h_j+++.docx
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2005-10-20_发明申请_US20050233706A1 Switching circuit_+++B_C_D_H_J_f_o_p_q+++.docx
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2005-11-04_发明专利_JP2005311447A Switch circuit_+++A_B_C_D_F_H_J_Q+++.docx
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2006-01-18_发明授权_EP1237222B1 Multiband transformation stage for a multiband r.f. switching device_+++C_D_H_Q_a_b_f+++.docx
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2006-10-19_发明专利_DE60116676T2 Multi-band transformation stage for a multi-band RF switching device_+++C_D_J_Q_a_f+++.docx
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2008-08-28_发明申请_US20080204338A1 METHOD AND SYSTEM FOR SOFTWARE DEFINED ANTENNA CONTROL_+++A_B_C_D_F_L_Q_h_j+++.docx
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2008-10-02_发明申请_US20080238570A1 Spst Switch, Spdt Switch and Mpmt Switch_+++C_D_H_J_b_f_g_i_l+++.docx
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2009-02-26_发明公开_KR1020090020480A 스위치회로 및 이상기_+++D_H_c_f+++.docx
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2009-03-05_发明专利_JP2009049849A Switch circuit and phase shifter_+++f_h_q+++.docx
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2009-10-29_发明申请_US20090267588A1 METHOD AND APPARATUS TO DYNAMICALLY CONTROL IMPEDANCE TO MAXIMIZE POWER SUPPLY_+++A_B_C_D_F_K_L_q+++.docx
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2011-05-05_发明申请_US20110102291A1 Method and System for Software Defined Antenna Control_+++A_B_C_D_F_J_Q+++.docx
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2012-08-29_发明专利_JP5010394B2 Phase shifter_+++D_F_H+++.docx
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2013-08-29_发明申请_US20130222075A1 Methods and Apparatuses for use in Tuning Reactance in a Circuit Device_+++A_C_D_F_H_J_b_g_i_q+++.docx
2026-03-10 19:07
2013-12-18_发明公开_CN103454654A 一种用于卫星导航射频前端的可配置的匹配网络_+++C_D_F_h_l_q+++.docx
2026-03-10 19:07
2014-10-23_发明申请_WO2014172077A1 TUNABLE MULTIBAND ANTENNA WITH PASSIVE AND ACTIVE CIRCUITRY_+++D_F_Q_c+++.docx
2026-03-10 19:07
2005-11-04_发明专利_JP2005311447A Switch circuit_+++A_B_C_D_F_H_J_Q+++.docx

对比文件名称:2005-11-04_发明专利_JP2005311447A Switch circuit

目标专利名称:可切换的天线阵列CN105917581B

模型名称:DeepSeek-R1

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**特征A**:包括:阻抗电路。《直接公开》说明书第[0027]段:“第1内部接続スイッチ回路SW101は、リアクタンス素子L101と、コンデンサC101、C102と、トランジスタQ101、Q102と、抵抗R101、R102とを備えて構成されている。”对比文件公开了第1内部连接开关电路SW101,其包括电感器L101和电容器C101、C102等元件。这些元件(尤其是电感器L101与电容器C101、C102的组合)在特定开关状态下(如晶体管Q101、Q102导通时)构成并联谐振电路,在另一状态(晶体管关断时)构成串联谐振电路。该电路用于在特定频率下提供阻抗匹配和信号路径控制,其作用与目标专利中用于匹配和平衡的“阻抗电路”相同。因此,本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征。
**特征B**:以及 多个电感器,所述多个电感器中的每个电感器被耦合至所述阻抗电路并且被耦合到多个非接地输出端子中的一个相应端子,《直接公开》说明书第[0027]段:“アンテナポートと送信ポートとの間に、コンデンサC101とトランジスタQ101、Q102とが直列に接続されている。コンデンサC101とトランジスタQ101と並列に、リアクタンス素子L101が接続されており…”;第[0029]段:“第2内部接続スイッチ回路SW102におけるこれらの素子の具体的な接続関係は、上述した第1内部接続スイッチ回路SW101と同様である。”对比文件公开了第一开关电路SW101中的电感器L101和第二开关电路SW102中的电感器L102,它们构成了“多个电感器”。每个电感器(L101, L102)分别耦合至其所在的开关电路(即前述的阻抗电路)。并且,L101耦合至发送端口(TX端口),L102耦合至接收端口(RX端口),这些端口均为非接地的输出端子。因此,该技术特征被直接公开。
**特征C**:并且所述多个电感器中的每个电感器被并联耦合至多个开关中的对应开关,《直接公开》说明书第[0027]段:“コンデンサC101とトランジスタQ101と並列に、リアクタンス素子L101が接続されており…”;第[0029]段:“第2内部接続スイッチ回路SW102におけるこれらの素子の具体的な接続関係は、上述した第1内部接続スイッチ回路SW101と同様である。”对比文件明确记载了电感器L101与晶体管Q101并联连接(“…とトランジスタQ101と並列に、リアクタンス素子L101が接続されており…”)。晶体管Q101、Q102、Q103、Q104在电路中作为开关使用。虽然每个电感器(如L101)并联连接的是两个晶体管(Q101和Q102)的组合,但这两个晶体管共同构成一个开关路径。本领域技术人员能够理解,电感器是与该开关路径(即“对应开关”)并联耦合的。因此,该技术特征被直接公开。
**特征D**:其中所述多个开关中的至少一个开关被配置为独立地被激活。《直接公开》说明书第[0031]-[0033]段及图6:“送信回路101をアンテナポートに接続する場合には、制御回路110は、制御端子T101と制御端子T103に正電圧を入力し、制御端子T102に0Vを入力する。”、“受信回路102をアンテナポートに接続する場合には、制御回路110は、制御端子T101と制御端子T102に正電圧を入力し、制御端子T103に0Vを入力する。”对比文件中的开关(晶体管Q101-Q105)通过不同的控制端子(T101-T103)施加不同的控制电压(正电压或0V)来独立控制其导通(激活)或关断状态。例如,要连接发送端口,需要激活Q101/Q102所在的路径,而关断Q103/Q104和Q105;要连接接收端口,则需激活Q103/Q104,关断其他。这明确揭示了开关可以被独立地激活配置,以实现不同端口与天线之间的选择性连接。因此,该技术特征被直接公开。
**特征E**:还包括组合器,所述组合器响应于所述多个开关并且被配置为组合由所述多个开关中的所选开关输出的信号以产生组合信号。《未公开》无相关原文引用。对比文件公开的是一个天线切换开关(T/R switch),其功能是在天线与发送、接收、待机端口之间选择一个进行连接(见说明书第[0031]-[0033]段)。其电路结构是将不使用的端口通过谐振电路隔离或接地,而不是将从多个路径输出的信号进行“组合”以产生一个“组合信号”。目标专利中的“组合器”用于在可配置分配和加和网络中合并来自多个所选天线/开关的信号,这是相控阵或信号分配/合成网络的核心功能。对比文件完全没有提及或暗示这种信号组合功能。因此,该技术特征未被公开。
**特征F**:其中,每个开关被配置为选择性地使从所述阻抗电路接收的信号旁路相应的电感器并从所述开关的输入传播至所述开关的输出。《直接公开》说明书第[0030]段:“制御端子T102のゲートバイアス電圧が0Vの場合、トランジスタQ101、Q102はオン状態になり、第1内部接続スイッチ回路SW101は、リアクタンス素子L101とコンデンサC101とで構成される並列共振回路となり、高周波信号は遮断される。”、“制御端子T102のゲートバイアス電圧が逆バイアスの場合、トランジスタQ101、Q102はオフ状態になり、第1内部接続スイッチ回路SW101は、リアクタンス素子L101とコンデンサC102とで構成される直列共振回路となり、高周波信号が通過できる状態になる。”对比文件明确描述了开关(晶体管)的两种状态。当晶体管导通(激活)时,信号主要通过导通的晶体管从输入(天线端口侧)传播到输出(发送/接收端口侧),此时并联的电感器(L101)与电容器C101构成并联谐振电路,呈现高阻抗,信号基本被“旁路”。当晶体管关断时,信号无法通过晶体管,而是通过由电感器L101和电容器C102构成的串联谐振路径传输。这清楚地揭示了开关的功能是选择性地使信号“旁路相应的电感器”(当开关导通时)或通过包含该电感器的谐振路径(当开关关断时)。因此,该技术特征被直接公开。
**特征G**:其中,所述多个开关中的每个开关包括晶体管,并且每个所述晶体管的大小基于标准被确定以充分平衡第一模式中的阻抗匹配与第二模式中的串联损耗。《未公开》无相关原文引用。对比文件虽然公开了开关由晶体管构成(如Q101-Q105),并提到了使用LC谐振来改善隔离等特性(第[0026]段),但全文完全没有提及基于任何“标准”来确定晶体管尺寸(大小),以平衡特定“第一模式”(如开关闭合)下的阻抗匹配和“第二模式”(如开关断开)下的“串联损耗”。目标专利说明书中明确描述了基于模拟和特定设计标准来确定开关(晶体管)和电感器的大小,以优化性能(见说明书第[0048]-[0050]段)。这是目标专利的一项具体设计方法,对比文件并未涉及。因此,该技术特征未被公开。
**特征H**:其中,所述第一模式对应于闭合的开关,而所述第二模式对应于断开的开关。《直接公开》说明书第[0030]段:“制御端子T102のゲートバイアス電圧が0Vの場合、トランジスタQ101、Q102はオン状態になり…”(第一模式);“制御端子T102のゲートバイアス電圧が逆バイアスの場合、トランジスタQ101、Q102はオフ状態になり…”(第二模式)。对比文件明确描述了晶体管的“オン状態”(导通状态,即开关闭合)和“オフ状態”(关断状态,即开关断开)。结合特征F的论述,导通状态对应信号被旁路/阻断(并联谐振),关断状态对应信号可通过(串联谐振)。这直接对应于目标专利中“第一模式对应于闭合的开关”和“第二模式对应于断开的开关”的定义。因此,该技术特征被直接公开。
**特征I**:其中,所述多个电感器中的每个电感器的大小基于与所述多个开关的多个配置相关的标准被确定。《未公开》说明书第[0030]段:“リアクタンス素子L101、L102や、コンデンサC101〜C104の値は、FETのオフ容量などの浮遊成分も考慮して、使用する周波数で共振するような値に合わせる。”对比文件公开了电感器(和电容器)的值被设置为在使用频率下谐振,并考虑晶体管的关断电容等。然而,这仅是基于工作频率和固定电路参数(如关断电容)来确定,目的是在特定开关状态(导通或关断)下形成谐振。目标专利中强调的是基于“多个开关的多个配置”(即所有可能的开关激活/未激活组合)相关的标准来确定电感器大小,以在所有配置上平衡性能(见说明书第[0049]段)。对比文件没有提及这种基于多种开关组合配置的设计标准。因此,该技术特征未被公开。
**特征J**:其中,所述多个电感器经由公共节点被耦合至所述阻抗电路,并且其中所述至少一个开关被配置为基于控制信号的值而被激活。《直接公开》说明书第[0027]段:“コンデンサC101とトランジスタQ101、Q102とが直列に接続されている。コンデンサC101とトランジスタQ101と並列に、リアクタンス素子L101が接続されており…”;第[0031]-[0033]段及图6:描述了通过向控制端子T101-T103施加0V或正电压来控制晶体管的导通/关断。在对比文件的开关电路中,电感器L101的一端连接在电容器C101和晶体管Q101的节点上,另一端连接在发送端口(或类似地,L102连接在接收端口)。这个节点可以被视为一个“公共节点”,因为它连接了电容器、电感器和晶体管路径。虽然没有使用“公共节点”一词,但电路结构上存在这样的连接点。此外,开关(晶体管)的激活(导通)明确基于控制端子(T101-T103)上施加的控制信号值(0V或正电压)。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。
**特征K**:其中,所述阻抗电路包括:第二电感器,被耦合至输入并被耦合至所述多个电感器《未公开》说明书第[0027]段:“第1内部接続スイッチ回路SW101は、リアクタンス素子L101と、コンデンサC101、C102と、トランジスタQ101、Q102と、抵抗R101、R102とを備えて構成されている。”对比文件中的“阻抗电路”(即开关电路SW101/SW102)包含电感器L101/L102。然而,这些电感器是作为谐振电路的核心元件,并联在开关路径上。目标专利权利要求中的“第二电感器”(结合说明书图4中的L2)是与输入串联,并耦合到多个并联电感器-开关对的公共节点的。对比文件中没有描述这种串联在输入端的“第二电感器”。因此,该技术特征未被公开。
**特征L**:以及 电容器,被耦合至所述输入并被耦合至地。《未公开》说明书第[0027]段:“アンテナポートと送信ポートとの間に、コンデンサC101とトランジスタQ101、Q102とが直列に接続されている。”对比文件中的电容器C101串联在天线端口和开关(晶体管Q101)之间,其一端连接天线端口(可视为输入),另一端连接晶体管,而不是直接耦合到地。虽然电路中有其他接地的元件(如控制路径的电阻),但权利要求L限定的“被耦合至所述输入并被耦合至地”的电容器结构,在对比文件的开关电路中并不存在。目标专利图4中的电容器C1是直接连接在输入和地之间的。因此,该技术特征未被公开。
**特征M**:其中,所述多个电感器和所述多个开关形成分配和加和网络的第一级。《未公开》无相关原文引用。对比文件公开的开关电路(SW100, SW200, SW300)是一个用于在天线与发送、接收、待机端口之间进行切换的单级选择开关。其功能是路径选择,而不是目标专利中描述的用于将信号分配到多个天线或将来自多个天线的信号加和(合成)的“分配和加和网络”。对比文件没有提及任何多级网络结构,也没有“分配和加和网络”的概念。因此,该技术特征未被公开。
**特征N**:其中,所述分配和加和网络的第二级包括第二多个开关,其中,所述第二级经由多个放大器被耦合至多个天线。《未公开》无相关原文引用。如特征M所述,对比文件未公开“分配和加和网络”,因此自然不存在“第二级”。对比文件中的天线是单个天线(100),而非“多个天线”,也未提及通过多个放大器耦合。目标专利的该特征描述了多级可配置网络结构,与对比文件的单一天线切换电路有本质区别。因此,该技术特征未被公开。
**特征O**:其中,所述分配和加和网络的所述第一级以及所述分配和加和网络的所述第二级在被耦合至所述多个天线的发射路径和接收路径之间共享。《未公开》无相关原文引用。如特征M、N所述,对比文件未公开多级的“分配和加和网络”。对比文件的电路虽然用于切换发射和接收路径,但其结构是简单的T/R开关,发射、接收、待机路径是分开的,并由不同的开关电路控制,不存在一个共享的无源网络在发射和接收路径之间复用。目标专利强调其CDS网络在发射和接收路径之间共享(说明书第[0037]段)。因此,该技术特征未被公开。
**特征P**:其中,所述第一级、所述第二级和所述多个放大器在射频集成电路内。《未公开》说明书第[0054]段:“上述した実施形態では、スイッチ回路SW100、SW200、SW300を1つの半導体チップで構成することとしたが、送信回路101、受信回路102、待ち受け回路103及び制御回路110を含めて、1つの半導体チップで構成してもよい。”对比文件提到其开关电路(SW100等)可以构成在一个半导体芯片上,甚至可以将外围电路也集成进去。这暗示了集成电路的可能性。然而,该特征依赖于特征M、N、O所描述的多级分配和加和网络以及放大器。由于对比文件未公开这些网络和放大器结构,因此即使提及“半导体芯片”,也不能认为公开了“第一级、第二级和多个放大器在射频集成电路内”这一具体限定。该技术特征未被公开。
**特征Q**:其中,所述阻抗电路和所述多个电感器被包含到移动通信设备中。《直接公开》说明书第[0002]段:“近年、アクティブな無線タグ・システムが検討されている。”;图5及说明书第[0025]段描述了包括天线、开关电路、发送电路、接收电路、控制电路的“送受信システム”(发送接收系统)。对比文件背景技术部分提及了“无线标签系统”,其属于无线通信设备范畴。具体实施方式中描述的“发送接收系统”(图5)包括天线、开关电路(含阻抗电路和电感器)、发送电路、接收电路等,这是一个典型的无线通信设备(如移动通信终端)的组成部分。本领域技术人员能够毫无疑义地理解,这样的系统可以应用于移动通信设备中。因此,该技术特征被直接公开。

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