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对比文件列表
2004-05-20_US2004096124A_发明申请_US20040096124A1 Wide dynamic range pinned photodiode active pixel sensor (aps)_+++A_B_C_D_E_H_I_J_L_O_P_U_X_f_k_m_n_s_v_w_y+++.docx
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2006-04-11_US7026596B_发明授权_US07026596B2 High-low sensitivity pixel_+++A_B_C_D_E_F_H_I_L_M_N_O_S_U_V_W_X_Y+++.docx
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2007-09-06_US2007206110A_发明申请_US20070206110A1 Solid state imaging device and image pickup apparatus_+++C_D_H_I_U_a_b_f_m_n_o_s_v_w_y+++.docx
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2007-12-13_US2007285547A_发明申请_US20070285547A1 CMOS image sensor array optimization for both bright and low light conditions_+++A_B_H_I_c_d_f_k_v_w_y+++.docx
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2009-03-18_JP4241840B_发明专利_JP4241840B2 Imaging device_+++A_B_F_H_I_O_S_U_Y_c_d_m_n_v_w+++.docx
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2009-04-08_CN101404731A_发明公开_CN101404731A 用于强光和弱光条件的CMOS图像传感器阵列优化_+++A_B_F_H_I_M_N_O_S_U_V_Y_c_d_j_k_p_q_r_w+++.docx
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2009-07-16_US2009180015A_发明申请_US20090180015A1 WIDE DYNAMIC RANGE PINNED PHOTODIODE ACTIVE PIXEL SENSOR (APS)_+++A_B_C_D_E_F_H_I_J_L_M_N_O_P_S_U_V_W_X_Y_k_q_r+++.docx
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2013-03-28_US2013076953A_发明申请_US20130076953A1 SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE AND SOLID-STATE IMAGE PICKUP SYSTEM_+++A_C_D_E_F_H_I_M_N_O_S_U_V_X_Y+++.docx
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2013-04-01_KR1020130032234A_发明公开_KR1020130032234A 고체 촬상 장치 및 고체 촬상 시스템_+++C_D_F_H_I_N_S_U_Y_a_b_e_l_m_v_w_x+++.docx
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2013-04-01_TW201315219A_发明专利_TW201315219A 固態影像拾取裝置及固態影像拾取系統_+++B_C_D_E_F_H_I_L_M_N_O_S_U_V_W_X_Y_a_j_p+++.docx
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2013-04-03_CN103024304A_发明公开_CN103024304A 固态摄像器和固态摄像系统_+++A_C_D_E_F_H_I_M_N_O_S_U_V_X_Y_b_j_k_l_p_q_r_w+++.docx
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2013-04-18_JP2013070245A_发明专利_JP2013070245A Solid-state imaging device and solid-state imaging system_+++A_C_D_E_F_H_I_M_N_O_S_U_V_X_Y_k_q_r+++.docx
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2015-10-28_CN103024304B_发明授权_CN103024304B 固态摄像器和固态摄像系统_+++A_B_E_F_H_I_c_d+++.docx
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2016-03-30_CN105453542A_发明公开_CN105453542A 用于通过多个图像感测元件俘获图像的系统及方法_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_U_V_W_X_Y_Z+++.docx
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2016-09-15_JP2016528848A_发明专利_JP2016528848A 複数の画像感知素子を用いて画像を撮影するためのシステム及び方法_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_U_V_W_X_Y_Z+++.docx
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2009-03-18_JP4241840B_发明专利_JP4241840B2 Imaging device_+++A_B_F_H_I_O_S_U_Y_c_d_m_n_v_w+++.docx

对比文件名称:2009-03-18_JP4241840B_发明专利_JP4241840B2 Imaging device

目标专利名称:230用于通过多个图像感测元件俘获图像的系统及方法CN105453542B

模型名称:本次调用的模型名称未在输入中提供。

作为资深专利代理师,我将严格遵循要求,基于目标专利说明书对权利要求技术特征的解释,并结合对比文件内容进行公开性判断。特征划分严格依照目标专利权利要求,特征比对表格如下:

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:所述方法包括:经由所述多个像素的像素的第一光感测元件提供第一阱容量 <br> **《直接公开》**[2] “検出感度が相対的に低い多数の低感度光電変換素子10” (存在相对较低的检测灵敏度的多个低灵敏度光电转换元件10)对比文件明确公开了具有“低感度”的光电转换元件(如PD10)。在本领域中,光电转换元件的“感度”(灵敏度)通常与其阱容量直接相关,感度低的元件通常具有较小的阱容量。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地得出,低感度光电转换元件10提供了第一阱容量。
技术特征B:经由所述多个像素的所述像素的第二光感测元件提供第二阱容量,其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量 <br> **《直接公开》**[2] “検出感度が相対的に高い...高感度光電変換素子20” (存在相对较高的检测灵敏度的...高灵敏度光电转换元件20)对比文件明确公开了具有“高感度”的光电转换元件(如PD20)。如前所述,感度高的元件通常对应较大的阱容量。对比文件明确指出高感度PD20的检测感度高于低感度PD10,因此,本领域技术人员能够毫无疑义地得出,高感度光电转换元件20提供了大于第一阱容量的第二阱容量。
技术特征C:确定用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间 <br> **《隐含公开》**[2] “低感度PD10及び高感度PD20の検出感度を変化させるには、...低感度PDと高感度PDとで露光時間を変えても良い。” (为了改变低灵敏度PD10和高灵敏度PD20的检测灵敏度,...也可以改变低灵敏度PD和高灵敏度PD的曝光时间。)对比文件部分公开了通过改变“露光時間”(曝光时间,即整合时间)来调整PD的检测感度。虽然没有明确描述为低感度PD“确定”一个整合时间的步骤,但控制曝光时间是图像传感器操作的基本环节。本领域技术人员通过阅读对比文件,结合公知常识,完全能够合理推断出,在操作包含低感度PD的成像装置时,需要为其确定一个整合时间(曝光时间)。
技术特征D:及确定用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间,其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间 <br> **《隐含公开》**[2] “低感度PD10及び高感度PD20の検出感度を変化させるには、...低感度PDと高感度PDとで露光時間を変えても良い。” (为了改变低灵敏度PD10和高灵敏度PD20的检测灵敏度,...也可以改变低灵敏度PD和高灵敏度PD的曝光时间。) <br> [2] “低感度PD10及び高感度PD20の検出感度を露光時間によって制御できるようにしておくことで、...” (通过能够利用曝光时间控制低灵敏度PD10和高灵敏度PD20的检测灵敏度,...)对比文件明确教导了可以通过为低感度PD和高感度PD设置不同的曝光时间(露光時間)来改变它们的检测感度。这隐含了可以为两者确定不同的整合时间。虽然对比文件没有明确指出一个具体场景下“确定”这两个不同时间的过程,但本领域技术人员基于其关于曝光控制的常识,能够合理推断出为实现感度差异或动态范围扩展,需要分别为第一和第二光感测元件确定不同的整合时间。
技术特征E:以及在每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件之间共享一个或多个晶体管,共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。 <br> **《未公开》**无相应内容。对比文件中的低感度PD10和高感度PD20是分布在不同的空间位置(交错排列),它们各自属于不同的像素或感光单元。对比文件描述的共享电路是垂直电荷转移部(VCCD)、水平电荷转移部(HCCD)等外围电荷转移和读出电路(参见图1及对应描述),这些是多个像素共享的,而不是“集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内”的晶体管。目标专利强调的是单个像素内部两个感测元件共享复位晶体管、源跟随器等(如图2的Mrst, Msf, Msel),这种像素内电路共享结构在对比文件中完全没有揭示或暗示。
技术特征F:其进一步包括:至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像。 <br> **《直接公开》**[2] “互いに隣接する位置に配置されている低感度PD10と高感度PD20とを組み合わせて使用することで、ダイナミックレンジの広い画像信号を再現できる。” (通过组合使用配置在相互相邻位置的低灵敏度PD10和高灵敏度PD20,能够再现动态范围宽的图像信号。)对比文件明确公开了将来自低感度PD和高感度PD的信号进行组合(組み合わせて使用),以形成(再現)具有宽动态范围的图像信号。这直接公开了基于来自两种光感测元件的信号形成图像的特征。
技术特征G:其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像:Thdr(x,y)=(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)... <br> **《未公开》**无相应内容。对比文件仅一般性地提及组合使用两个信号以扩展动态范围,但没有公开任何具体的图像融合算法或数学公式。目标专利中记载的特定加权融合公式(包含局部平均绝对差值MAD和调谐参数α的计算)是对比文件中完全没有提及的。
技术特征H:其中所述图像是高动态范围图像。 <br> **《直接公开》**[2] “ダイナミックレンジの広い画像信号を再現できる。” (能够再现动态范围宽的图像信号。)对比文件直接且明确地指出,通过组合信号可以再现“动态范围宽的图像信号”,即高动态范围图像。
技术特征I:其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者是光电二极管。 <br> **《直接公开》**[2] “光電変換素子は例えばフォトダイオードであり、以下光電変換素子のことをPDと略す。” (光电转换元件例如是光电二极管,以下将光电转换元件略称为PD。)对比文件明确指出其光電変換素子(光电转换元件)例如是光电二极管(フォトダイオード),并将低感度PD10和高感度PD20统称为PD。因此,第一和第二光感测元件均为光电二极管被直接公开。
技术特征J:其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。 <br> **《未公开》**无相应内容。对比文件提到可以通过改变曝光时间来调整感度,但并未具体揭示高感度PD和低感度PD之间整合时间的相对长短关系。目标专利中,通常是大阱容量元件用较长整合时间,小阱容量元件用较短整合时间。对比文件没有给出这种具体时序关系的教导或暗示。
技术特征K:其中所述第一整合时间及所述第二整合时间中的至少一者至少部分地基于光照条件来确定。 <br> **《未公开》**无相应内容。对比文件没有描述根据光照条件(例如场景亮度)来动态确定或调整低感度PD或高感度PD的整合时间(曝光时间)。其关于曝光时间的描述仅作为改变感度的一种可能方法,并未与光照条件反馈控制相关联。
技术特征L:其包括:包括多个像素的CMOS可见图像传感器,其中所述多个像素的像素包含具有第一阱容量的第一光感测元件及具有第二阱容量的第二光感测元件,其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量,其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管,共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内 <br> **《未公开》**无相应内容。如前所述(特征E),对比文件中的低感度PD和高感度PD并非集成在同一像素内,而是交错排列的不同感光单元。它们共享的是像素阵列外围的电荷转移电路,而非每个像素内部的晶体管。因此,对比文件未公开目标专利所要求的“每个像素包含两个感测元件并共享内部晶体管”的像素结构。
技术特征M:及处理器,其经配置以:确定将用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间 <br> **《隐含公开》**[2] “制御部140は、この撮像装置の全体を統括制御するための電気回路であり、...駆動部120...を制御し” (控制部140是用于统括控制该成像装置整体的电路,...控制驱动部120...) <br> [2] “駆動部120は、...様々なパルス信号を生成したりするための電気回路である。” (驱动部120是...生成用于...各种脉冲信号的电路。)对比文件公开了控制部140和驱动部120。驱动部120生成控制固体摄像元件操作的脉冲信号,而控制部140控制驱动部120。虽然对比文件没有明确写出“处理器确定整合时间”这样的语句,但本领域技术人员能够理解,在成像装置中,曝光时间(整合时间)的控制通常是由控制电路(处理器)通过驱动电路来实现的。因此,可以合理推断对比文件中的“控制部”经配置以确定(或控制)用于光感测元件的整合时间。
技术特征N:及确定将用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间,其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间。 <br> **《隐含公开》**[2] “低感度PD10及び高感度PD20の検出感度を露光時間によって制御できるようにしておくことで、...” (通过能够利用曝光时间控制低灵敏度PD10和高灵敏度PD20的检测灵敏度,...) <br> 结合特征M的引用。对比文件教导了可以通过曝光时间分别控制低感度PD和高感度PD的感度。结合其公开的控制部140和驱动部120,本领域技术人员能够合理推断,该控制部可以经配置为这两种感测元件确定不同的整合时间,以实现感度差异或动态范围扩展。
技术特征O:其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者包括光电二极管。 <br> **《直接公开》**同特征I引用。同特征I论述,对比文件直接公开光感测元件为光电二极管。
技术特征P:其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。 <br> **《未公开》**同特征J。同特征J论述,对比文件未公开整合时间的相对长短关系。
技术特征Q:其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第一整合时间。 <br> **《未公开》**同特征K。同特征K论述,对比文件未公开基于光照条件确定整合时间。
技术特征R:其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第二整合时间。 <br> **《未公开》**同特征K。同特征K论述,对比文件未公开基于光照条件确定整合时间。
技术特征S:其中所述处理器进一步经配置以生成图像,所述图像是至少部分地基于来自所述第一光感测元件及所述第二光感测元件中的一或多者的信号的。 <br> **《直接公开》**[2] “制御部140は、...更に固体撮像素子100から出力される信号を処理する。” (控制部140...进而处理从固体摄像元件100输出的信号。) <br> 结合特征F的引用。对比文件公开了控制部140处理从固体摄像元件(包含低感度PD和高感度PD)输出的信号。结合其关于组合使用两者信号以再现宽动态范围图像的教导,可以确定控制部140经配置以基于来自两种感测元件的信号生成图像。
技术特征T:其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像:Thdr(x,y)=(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)... <br> **《未公开》**同特征G。同特征G论述,对比文件未公开该特定图像融合公式。
技术特征U:其中所述图像是高动态范围图像。 <br> **《直接公开》**同特征H。同特征H论述,对比文件直接公开形成的图像是宽动态范围图像。
技术特征V:其包括:用于确定用于包含于CMOS可见图像传感器中的多个像素的像素所包含的具有第一阱容量的第一光感测元件的第一整合时间的装置 <br> **《隐含公开》**[2] “制御部140...駆動部120...を制御し” (控制部140...控制驱动部120...) <br> [2] “駆動部120は、...様々なパルス信号を生成したりするための電気回路である。”该特征对应装置权利要求中的“装置+功能”限定。对比文件中的控制部140和驱动部120共同作用,能够执行确定(产生控制)第一光感测元件整合时间的功能。本领域技术人员能够毫无疑义地将该硬件结构识别为实现所述功能的装置。
技术特征W:及用于确定用于包含于所述CMOS可见图像传感器中的所述多个像素的所述像素所包含的具有第二阱容量的第二光感测元件的第二整合时间的装置,其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间并且其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量 <br> **《隐含公开》**同特征V及特征D的引用。该特征同样对应“装置+功能”限定。基于对比文件公开的可以通过曝光时间分别控制两种PD感度,以及其控制部和驱动部的硬件结构,本领域技术人员能够合理推断,该结构同样能作为用于确定不同于第一整合时间的第二整合时间的装置。
技术特征X:且其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管,共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。 <br> **《未公开》**同特征E。同特征E论述,对比文件未公开像素内两个感测元件共享晶体管的集成结构。
技术特征Y:其进一步包括:用于至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像的装置。 <br> **《直接公开》**[2] “制御部140は、...更に固体撮像素子100から出力される信号を処理する。” <br> 结合特征F的引用。该特征对应“装置+功能”限定。对比文件明确公开了控制部140处理信号,并且教导了组合两种信号以形成宽动态范围图像。因此,控制部140可以直接且毫无疑义地被认为是用于基于两种信号形成图像的装置。
技术特征Z:其中用于形成图像的装置包括用于至少部分地基于以下公式形成图像的装置:Thdr(x,y)=(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)... <br> **《未公开》**同特征G。同特征G论述,对比文件未公开该特定图像融合公式,因此也未有实现该公式的装置。

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