对比文件的名称：2012-09-27_US2012241591A_发明申请_US20120241591A1 PUMPED PINNED PHOTODIODE PIXEL ARRAY
目标专利的名称：用于通过多个图像感测元件俘获图像的系统及方法CN105453542B
本次调用的模型名称：DeepSeek最新版本模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：所述方法包括：经由所述多个像素的像素的第一光感测元件提供第一阱容量 | 参见说明书第[0016]段：“...the present invention provides a pumped pixel having dual photo-diodes (e.g. pinned photo-diodes)... One of the photo-diodes accumulates charge in response to impinging photons.” 第[0018]段：“Photodiode 162 accumulates photo-electrons generated in response to impinging photons.” （翻译：…本发明提供了一种具有双光电二极管（例如钉扎光电二极管）的泵送像素…其中一个光电二极管响应于入射光子而积累电荷。光电二极管162积累响应于入射光子产生的光电子。） | 对比文件明确公开了像素（例如像素150）包含第一光感测元件（光电二极管162），其通过积累光生电荷来工作，这必然意味着其具有一定的阱容量。因此，技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B**：经由所述多个像素的所述像素的第二光感测元件提供第二阱容量，其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量 | 参见说明书第[0016]段：“...the other photo-diode acts as a memory node that stores the accumulated charge.” 第[0031]段：“In another example, the well capacity of pinned photo-diode 164 may be greater (i.e. deeper) than the well capacity of pinned photo-diode 162. This allows for increased dynamic range.” （翻译：…另一个光电二极管充当存储所积累电荷的存储节点。在另一个示例中，钉扎光电二极管164的阱容量可以大于（即更深于）钉扎光电二极管162的阱容量。这允许增加动态范围。） | 对比文件明确公开了像素包含第二光感测元件（光电二极管164），其用于存储电荷。并且，在说明书[0031]段明确教导了第二光电二极管164的阱容量可以大于第一光电二极管162的阱容量，以达到增加动态范围的目的。这与目标专利中“第二阱容量大于第一阱容量”的技术特征及其作用（扩展动态范围）均相同。因此，技术特征B被直接公开。 |
| **技术特征C**：确定用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间 | 参见说明书第[0024]段：“During the charge integration period, photodiode 162 produces a charge from incident light. This is also known as the image acquisition period.” 第[0038]段：“During an integration period... the first pinned photo-diode 162 is accumulating charge 302.” （翻译：在电荷积分周期期间，光电二极管162从入射光产生电荷。这也被称为图像采集周期。在积分周期期间…第一钉扎光电二极管162正在积累电荷302。） | 对比文件描述了第一光电二极管162进行电荷积累的“积分周期”（integration period），这对应于确定了一个整合时间。虽然对比文件未明确描述一个外部的“确定”动作，但本领域技术人员能够毫无疑义地理解，为了使像素正常工作，必然存在一个用于第一光电二极管积累电荷的整合时间（即积分周期）。该整合时间在对比文件中是隐含存在的。因此，技术特征C被隐含公开。 |
| **技术特征D**：及确定用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间 | 对比文件描述了第一光电二极管162在积分周期内积累电荷，然后通过泵送操作将电荷转移到第二光电二极管164进行存储（参见[0024], [0039]-[0041]段）。第二光电二极管164主要作为电荷存储节点，其“存储周期”与第一光电二极管162的“积分周期”在时序上相关联，但并未公开为第二光电二极管164独立地确定一个不同于第一光电二极管整合时间的、用于光电荷积累的“第二整合时间”。对比文件中的第二光电二极管的作用是接收并存储从第一光电二极管泵送来的电荷，而不是独立地进行基于光照的光电积分。两者功能不同。因此，技术特征D未被公开。 | |
| **技术特征E**：以及在每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件之间共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内 | 参见说明书第[0018]段及图1A：“Pixel 150 is a 6T pixel... The 6T pixel 150 has photo-sensors such as exposed pinned photo-diode 162, a shielded pinned photo-diode 164... a reset transistor 184, a transfer transistor 190, a source follower transistor 186, a row select transistor 188...” （翻译：像素150是一个6T像素…6T像素150具有光电传感器，例如暴露的钉扎光电二极管162、屏蔽的钉扎光电二极管164…复位晶体管184、转移晶体管190、源跟随器晶体管186、行选择晶体管188…） 图1A显示，光电二极管162和164共享复位晶体管184、源跟随器晶体管186和行选择晶体管188。这些晶体管均集成在像素150的电路内。 | 对比文件明确公开了像素150包含第一光感测元件（光电二极管162）和第二光感测元件（光电二极管164），并且它们共享了多个晶体管（如复位晶体管184、源跟随器晶体管186、行选择晶体管188）。这些共享的晶体管被集成在包含两个光电二极管的像素内。因此，技术特征E被直接公开。 |
| **技术特征F**：其进一步包括：至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像。 | 参见说明书第[0025]段：“...the charge from photodiode 164 is passed to node A, where the charge is amplified by source follower transistor 186 and passed to column line 170... Readout circuitry 242 then samples and holds the integrated charge signal...” 第[0027]段：“Pixel signals (Vrst, Vsig)... are subtracted in differential amplifier 246, digitized by analog to digital converter 248, and sent to an image processor circuit 250 for image processing.” （翻译：…来自光电二极管164的电荷被传递到节点A，在那里电荷被源跟随器晶体管186放大并传递到列线170…读出电路242然后采样并保持积分电荷信号…像素信号（Vrst， Vsig）…在差分放大器246中相减，由模数转换器248数字化，并发送到图像处理器电路250进行图像处理。） | 对比文件描述了从第二光电二极管164读出存储的电荷信号，并经过处理后发送到图像处理器电路进行图像处理。虽然对比文件主要关注从第二光电二极管164读出最终信号，但在其工作过程中，第一光电二极管162积累的电荷是信号来源，该电荷被转移到第二光电二极管164后读出。因此，最终形成的图像信号是基于（至少部分基于）来自第一光感测元件的电荷（通过转移）和来自第二光感测元件（作为存储节点）的信号。本领域技术人员可以合理推断，该处理过程是为了形成图像。因此，技术特征F被隐含公开。 |
| **技术特征G**：其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)…（具体公式详见问题） | 对比文件未公开任何使用两个感测元件的读出值、通过包含局部平均绝对差值（MAD）和调谐参数（a,b）的权重函数α(x,y)进行线性组合以形成图像的算法。对比文件仅涉及电荷从第一光电二极管到第二光电二极管的转移和存储，最终读出一个组合后的电荷信号，而非对两个独立读出信号进行基于复杂算法的像素级融合。因此，技术特征G未被公开。 | |
| **技术特征H**：其中所述图像是高动态范围图像。 | 参见说明书第[0026]段：“It is noted that the present invention may be utilized in either rolling shutter mode or global shutter mode to increase dynamic range...” 第[0031]段：“This allows for increased dynamic range.” （翻译：应注意，本发明可以用于滚动快门模式或全局快门模式中以增加动态范围…这允许增加动态范围。） | 对比文件明确指出了其发明可以用于增加动态范围。本领域技术人员可以理解，通过增加动态范围所获取或形成的图像，即为高动态范围图像。因此，技术特征H被隐含公开。 |
| **技术特征I**：其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者是光电二极管。 | 参见说明书第[0016]段：“...the present invention provides a pumped pixel having dual photo-diodes (e.g. pinned photo-diodes)...” 以及全文多处将感测元件描述为“photodiode”或“pinned photo-diode”。 （翻译：…本发明提供了一种具有双光电二极管（例如钉扎光电二极管）的泵送像素…） | 对比文件明确且反复地指出其像素中的光感测元件是光电二极管（钉扎光电二极管）。因此，技术特征I被直接公开。 |
| **技术特征J**：其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。 | 对比文件未公开为第二光电二极管164设定一个用于光电荷积累的“第二整合时间”，更未公开该时间短于第一光电二极管162的整合时间。第二光电二极管164主要作为存储节点，其存储电荷的时间（存储周期）与第一光电二极管的积分周期相关，但概念和作用均不同于目标专利中独立设定的、用于曝光积分的“整合时间”。因此，技术特征J未被公开。 | |
| **技术特征K**：其中所述第一整合时间及所述第二整合时间中的至少一者至少部分地基于光照条件来确定。 | 对比文件全文未提及根据光照条件来确定或调整第一光电二极管的积分周期（整合时间）或第二光电二极管的任何等效时间。其积分和泵送操作是预设或按时序指针控制的。因此，技术特征K未被公开。 | |
| **技术特征L**：其包括：包括多个像素的CMOS可见图像传感器，其中所述多个像素的像素包含具有第一阱容量的第一光感测元件及具有第二阱容量的第二光感测元件，其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量，其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内 | 综合对特征A、B、E、I的公开性判断：对比文件公开了CMOS成像器（见[0026]段及图2的阵列230），其包含多个像素（如像素150），像素包含第一光电二极管162和第二光电二极管164。第二光电二极管164的阱容量可以大于第一光电二极管162的阱容量（[0031]段）。两个光电二极管共享多个晶体管并集成于像素内（见特征E论述）。因此，技术特征L的组合内容被直接或间接公开。具体来说，“第二阱容量大于第一阱容量”是明确公开的（B），“共享晶体管”是明确公开的（E），“光感测元件是光电二极管”是明确公开的（I）。作为装置的整体结构特征，L被公开。 | |
| **技术特征M**：及处理器，其经配置以：确定将用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间 | 参见说明书第[0026]段：“FIG. 2 shows an example CMOS imager integrated circuit chip 201 that includes an array 230 of pixels and a controller 232, which provides timing and control signals to enable reading out of signals stored in the pixels.” 控制器232提供时序和控制信号。确定整合时间（积分周期）是成像器正常工作的必要步骤，本领域技术人员能够理解，这通常由控制器（可视为一种处理器或包含处理功能）来配置或管理。因此，技术特征M被隐含公开。 | |
| **技术特征N**：及确定将用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间。 | 同技术特征D的论述，对比文件未公开为第二光电二极管164独立确定一个不同于第一光电二极管整合时间的、用于光电荷积累的“第二整合时间”。控制器控制的是电荷转移（泵送）和读出的时序，而非第二光电二极管独立的曝光整合时间。因此，技术特征N未被公开。 | |
| **技术特征O**：其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者包括光电二极管。 | 同技术特征I，对比文件明确公开光感测元件是光电二极管。因此，技术特征O被直接公开。 | |
| **技术特征P**：其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。 | 同技术特征J，该特征未被公开。 | |
| **技术特征Q**：其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第一整合时间。 | 同技术特征K，对比文件未提及基于光照条件确定整合时间。因此，技术特征Q未被公开。 | |
| **技术特征R**：其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第二整合时间。 | 同技术特征D和K，对比文件既未公开独立的“第二整合时间”，也未提及基于光照条件确定时间。因此，技术特征R未被公开。 | |
| **技术特征S**：其中所述处理器进一步经配置以生成图像，所述图像是至少部分地基于来自所述第一光感测元件及所述第二光感测元件中的一或多者的信号的。 | 同技术特征F的论述，对比文件的图像处理器电路250接收并处理从像素读出的信号以进行图像处理，生成图像。该信号来源于第一光电二极管积累并转移到第二光电二极管的电荷。因此，处理器（可包含控制器232和图像处理器250的功能）生成图像是基于来自两个光感测元件（之一或两者，通过转移过程结合）的信号。因此，技术特征S被隐含公开。 | |
| **技术特征T**：其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)…（具体公式详见问题） | 同技术特征G，该特定算法未被公开。因此，技术特征T未被公开。 | |
| **技术特征U**：其中所述图像是高动态范围图像。 | 同技术特征H，对比文件旨在增加动态范围，所生成的图像可理解为高动态范围图像。因此，技术特征U被隐含公开。 | |
| **技术特征V**：其包括：用于确定用于包含于CMOS可见图像传感器中的多个像素的像素所包含的具有第一阱容量的第一光感测元件的第一整合时间的装置 | 同技术特征C和M的论述，对比文件中的控制器232提供时序和控制信号，用于管理积分周期等操作，可视为用于确定第一整合时间的装置。因此，技术特征V被隐含公开。 | |
| **技术特征W**：及用于确定用于包含于所述CMOS可见图像传感器中的所述多个像素的所述像素所包含的具有第二阱容量的第二光感测元件的第二整合时间的装置，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间并且其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量 | 同技术特征D和N，对比文件未公开用于确定独立于第一整合时间的“第二整合时间”的装置。其装置（如控制器）控制的是电荷转移和存储，而非独立的第二曝光整合时间。因此，技术特征W未被公开。 | |
| **技术特征X**：且其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。 | 同技术特征E，该特征被直接公开。 | |
| **技术特征Y**：其进一步包括：用于至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像的装置。 | 同技术特征F和S，对比文件中的读出电路242、图像处理器电路250等共同作用，处理基于来自两个光感测元件电荷的信号以形成图像。因此，技术特征Y被隐含公开。 | |
| **技术特征Z**：其中用于形成图像的装置包括用于至少部分地基于以下公式形成图像的装置：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)…（具体公式详见问题） | 同技术特征G和T，该特定算法及用于执行该算法的装置未被公开。因此，技术特征Z未被公开。 |
## 输出代码
根据上述分析：
- 技术特征A、B、E、I、O被**直接公开**。
- 技术特征C、F、H、M、S、U、V、Y被**隐含公开**。
- 技术特征D、G、J、K、N、P、Q、R、T、W、Z**未被公开**。
- 技术特征L、X作为组合特征，其包含的多个子特征已被公开（A/B/E/I），因此整体可视为被公开。
在回答结尾插入对应代码：技术特征A、B、E、I、O直接公开，对应代码为<<<A>>><<<B>>><<<E>>><<<I>>><<<O>>>；技术特征C、F、H、M、S、U、V、Y隐含公开，对应代码为<<<c>>><<<f>>><<<h>>><<<m>>><<<s>>><<<u>>><<<v>>><<<y>>>。
<<<A>>><<<B>>><<<E>>><<<I>>><<<O>>><<<c>>><<<f>>><<<h>>><<<m>>><<<s>>><<<u>>><<<v>>><<<y>>>