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对比文件列表
2004-05-20_US2004096124A_发明申请_US20040096124A1 Wide dynamic range pinned photodiode active pixel sensor (aps)_+++A_B_C_D_E_H_I_J_L_O_P_U_X_f_k_m_n_s_v_w_y+++.docx
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2006-04-11_US7026596B_发明授权_US07026596B2 High-low sensitivity pixel_+++A_B_C_D_E_F_H_I_L_M_N_O_S_U_V_W_X_Y+++.docx
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2007-09-06_US2007206110A_发明申请_US20070206110A1 Solid state imaging device and image pickup apparatus_+++C_D_H_I_U_a_b_f_m_n_o_s_v_w_y+++.docx
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2007-12-13_US2007285547A_发明申请_US20070285547A1 CMOS image sensor array optimization for both bright and low light conditions_+++A_B_H_I_c_d_f_k_v_w_y+++.docx
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2009-03-18_JP4241840B_发明专利_JP4241840B2 Imaging device_+++A_B_F_H_I_O_S_U_Y_c_d_m_n_v_w+++.docx
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2009-04-08_CN101404731A_发明公开_CN101404731A 用于强光和弱光条件的CMOS图像传感器阵列优化_+++A_B_F_H_I_M_N_O_S_U_V_Y_c_d_j_k_p_q_r_w+++.docx
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2009-07-16_US2009180015A_发明申请_US20090180015A1 WIDE DYNAMIC RANGE PINNED PHOTODIODE ACTIVE PIXEL SENSOR (APS)_+++A_B_C_D_E_F_H_I_J_L_M_N_O_P_S_U_V_W_X_Y_k_q_r+++.docx
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2013-04-01_KR1020130032234A_发明公开_KR1020130032234A 고체 촬상 장치 및 고체 촬상 시스템_+++C_D_F_H_I_N_S_U_Y_a_b_e_l_m_v_w_x+++.docx
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2013-04-01_TW201315219A_发明专利_TW201315219A 固態影像拾取裝置及固態影像拾取系統_+++B_C_D_E_F_H_I_L_M_N_O_S_U_V_W_X_Y_a_j_p+++.docx
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2013-04-03_CN103024304A_发明公开_CN103024304A 固态摄像器和固态摄像系统_+++A_C_D_E_F_H_I_M_N_O_S_U_V_X_Y_b_j_k_l_p_q_r_w+++.docx
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2016-03-30_CN105453542A_发明公开_CN105453542A 用于通过多个图像感测元件俘获图像的系统及方法_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_U_V_W_X_Y_Z+++.docx
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2016-09-15_JP2016528848A_发明专利_JP2016528848A 複数の画像感知素子を用いて画像を撮影するためのシステム及び方法_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_U_V_W_X_Y_Z+++.docx
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2013-04-01_KR1020130032234A_发明公开_KR1020130032234A 고체 촬상 장치 및 고체 촬상 시스템_+++C_D_F_H_I_N_S_U_Y_a_b_e_l_m_v_w_x+++.docx

对比文件名称:2013-04-01_KR1020130032234A_发明公开_KR1020130032234A 고체 촬상 장치 및 고체 촬상 시스템

目标专利名称:230用于通过多个图像感测元件俘获图像的系统及方法CN105453542B

模型名称:DeepSeek

## 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:所述方法包括:经由所述多个像素的像素的第一光感测元件提供第一阱容量<br>**《隐含公开》**[0016] “各 단위 셀(14)은, 고감도의 제1 화소(13a) 및 저감도의 제2 화소(13b)를 갖는다. 고감도의 제1 화소(13a)는, 면적이 큰 사각 형상의 제1 포토다이오드(11a) … 저감도의 제2 화소(13b)는 … 제2 포토다이오드(11b) … 를 갖는다.”<br>[0017] “각 화소(13a, 13b)의 포화 레벨, 즉, 각 포토다이오드(11a, 11b)에 의해 행해진 광전 변환에 의해 축적될 수 있는 최대의 신호 전하량은, 각 포토다이오드(11a, 11b)의 면적에 의해 결정된다。”根据目标专利说明书[0026],光感测元件可保存的电荷总量被称为阱容量。对比文件[0016]明确公开了第一像素包含第一光电二极管(11a),[0017]进一步说明每个光电二极管的“포화 레벨”(饱和电平),即其可积累的最大信号电荷量,由光电二极管的面积决定。本领域技术人员公知,光电二极管的饱和电荷量即为其阱容量(FWC)。因此,对比文件公开了第一光电二极管具有由其面积决定的特定电荷存储能力,即提供了第一阱容量。虽然未使用“阱容量”一词,但公开了其本质技术特征。
**技术特征B**:经由所述多个像素的所述像素的第二光感测元件提供第二阱容量,其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量<br>**《隐含公开》**[0016] “고감도의 제1 화소(13a)는, 면적이 큰 사각 형상의 제1 포토다이오드(11a) … 저감도의 제2 화소(13b)는 제1 포토다이오드(11a)보다 면적이 작은 사각 형상의 제2 포토다이오드(11b) … 를 갖는다.”<br>[0154] “제1 화소(61a)의 제1 포토다이오드(63a)가 제2 화소(61b)의 제2 포토다이오드(63b)보다도 작다는 점에서, 고체 촬상 장치(10)와 상이하다.”<br>[0155] “제2 화소(61b)의 제2 포토다이오드(63b)를 크게 형성하면 … 제2 화소(61b)의 포화 레벨이 상승하기 때문에, 제2 화소(61b)의 다이내믹 레인지는 넓어진다.”对比文件公开了两种像素结构:在主要实施例(图1,[0016])中,第一光电二极管(11a)面积大于第二光电二极管(11b);在变型例(图15,[0154])中,第一光电二极管(63a)面积小于第二光电二极管(63b)。[0017]和[0155]均指出,光电二极管的饱和电平(即阱容量)由其面积决定。在变型例中,第二光电二极管面积更大,因此其阱容量(饱和电平)大于第一光电二极管。本领域技术人员可以从对比文件公开的“面积决定饱和电荷量”的原理以及变型例中“第二光电二极管面积更大”的教导,直接且毫无疑义地得出“第二阱容量大于第一阱容量”的技术方案。此特征在对比文件中用于实现宽动态范围([0155]),与目标专利中扩展动态范围的作用相同。
**技术特征C**:确定用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间<br>**《直接公开》**[0046] “제1 화소(13a)의 광전 변환 기간 t1 … 제2 화소(13b)의 광전 변환 기간 t2 … 로 설정되어 있다.”<br>[0053] “제1 화소(13a)의 광전 변환 기간이 t1인 …”<br>[0125] “T3의 타이밍에서 … 제1 화소(13a)에 축적되는 제1 신호 전하의 판독과, 제2 화소(13b)에 축적되는 제2 신호 전하의 판독을, T3의 타이밍에서 동시에 행한다.”对比文件明确公开了“광전 변환 기간”(光电转换期间),即整合时间。在运动检测模式([0046], [0053])中,明确设置了第一像素(13a)的“광전 변환 기간 t1”作为其整合时间。在宽动态范围模式([0125])中,也涉及对第一像素信号的读出,其必然有对应的整合时间。因此,对比文件直接公开了确定用于第一光感测元件(第一光电二极管)的第一整合时间(t1)。
**技术特征D**:及确定用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间,其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间<br>**《直接公开》**[0046] “제1 화소(13a)의 광전 변환 기간 t1 및 제2 화소(13b)의 광전 변환 기간 t2 … 로 설정되어 있다.”<br>[0053] “제2 화소(13b)의 광전 변환 기간이 t2(=2×t1) …”<br>[0059] “제2 화소(13b)에 대한 제1 화소(13a)의 광전 변환 기간비를 1:n로 설정한 후 …”对比文件在描述运动检测模式时,明确公开了第二像素(13b)具有光电转换期间t2,并且t2被设置为t1的n倍(例如2倍,[0053]),即第二整合时间(t2)与第一整合时间(t1)不同。这是实现运动检测功能的核心设置([0059])。因此,该特征被对比文件直接公开。
**技术特征E**:以及在每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件之间共享一个或多个晶体管,共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。<br>**《隐含公开》**[0022] “검출부(16)는 제1 판독 게이트(15a)와 제2 판독 게이트(15b) 사이에 설치되어 있다. … 단위 셀의 출력 회로(17) … 리세트 트랜지스터(18) … 가 설치되어 있다.”<br>[0033] “제1 판독 게이트(15a) 및 제2 판독 게이트(15b)의 출력은 검출부(16)에 공통으로 접속되어 있다. 검출부(16)는 … 리세트 트랜지스터(18)에 접속되어 있고, … 단위 셀의 출력 회로(17)에 접속되어 있다. 단위 셀의 출력 회로(17)는 … 앰프 트랜지스터 AMPTr, 및 … 어드레스 트랜지스터 ADDRESSTr을 포함한다.”对比文件[0022]和[0033]描述了单位单元(14)的电路结构,其中第一光电二极管(11a)和第二光电二极管(11b)通过各自的读取栅极(15a, 15b)连接到共用的检测部(16),并且检测部(16)连接到共用的复位晶体管(18)和单位单元的输出电路(17),输出电路中包含放大器晶体管AMPTr和地址晶体管ADDRESSTr。这些晶体管(复位晶体管、放大器晶体管、地址晶体管)被第一和第二光感测元件(光电二极管)所共享,并且它们被集成在包含这两个光感测元件的单位单元(对应于目标专利中的“像素”,因为目标专利的像素包含两个光感测元件)内。这符合目标专利中共享晶体管的结构。
**技术特征F**:其进一步包括:至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像。<br>**《直接公开》**[0129] “제1 신호 전하와 제2 신호 전하를 가산하면 … 피사체의 화상을 고감도로 촬상할 수 있다.”<br>[0130] “제1 신호 전하의 판독과, 제2 신호 전하의 판독을 동시에 수행하고, 양쪽의 신호 전하를 가산하는 것에 의해, 와이드 다이내믹 레인지 모드를 실현할 수 있다.”<br>[0009] “화상 형성부는 출력 회로로부터 출력되는 차분 신호에 기초하여 화상을 형성한다.”对比文件在描述宽动态范围模式时,明确公开了通过将第一信号电荷和第二信号电荷相加来形成图像([0129], [0130])。此外,[0009]也说明了图像形成部基于输出电路输出的信号(包括差分信号,其基于两个光电二极管的信号计算得出)形成图像。因此,对比文件直接公开了基于来自第一和第二光感测元件的信号形成图像。
**技术特征G**:其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像:Thdr(x,y)=(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)…<br>**《未公开》**无相应内容。对比文件虽然公开了基于两个光电二极管的信号形成图像(如相加),但从未公开目标专利说明书[0044]-[0046]中描述的、使用局部平均绝对差值(MAD)和调谐参数a、b来计算混合系数α(x,y),并据此对T1和T2进行加权组合的特定算法和公式。该算法用于平滑处理饱和及运动区域。对比文件未公开此具体算法。
**技术特征H**:其中所述图像是高动态范围图像。<br>**《直接公开》**[0125] “와이드 다이내믹 레인지 모드 신호”<br>[0129]-[0130] “와이드 다이내믹 레인지 모드를 실현할 수 있다.”<br>[0155] “와이드 다이내믹 레인지를 실현할 수 있다.”对比文件明确设置了“와이드 다이내믹 레인지 모드”(宽动态范围模式),并在该模式下通过组合两个光电二极管的信号来实现宽动态范围(即高动态范围)图像([0129]-[0130], [0155])。因此,“图像是高动态范围图像”这一特征被直接公开。
**技术特征I**:其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者是光电二极管。<br>**《直接公开》**[0016] “제1 포토다이오드(11a) … 제2 포토다이오드(11b)”对比文件从头至尾均明确将第一和第二光感测元件描述为“포토다이오드”(光电二极管)。因此,该特征被直接公开。
**技术特征J**:其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。<br>**《未公开》**[0046], [0053], [0059] 公开了在运动检测模式下,第二整合时间(t2)是第一整合时间(t1)的n倍(更长)。<br>[0125] 公开了在宽动态范围模式下,第一和第二信号的读出同时进行,暗示整合时间可能相同。对比文件在运动检测模式下公开的第二整合时间长于第一整合时间。在宽动态范围模式下,未明确说明两个整合时间的关系,但从同时读出的描述推断,整合时间可能相同。对比文件在任何地方均未公开“第二整合时间短于第一整合时间”。这与目标专利中通常设置较短整合时间用于小光电二极管以捕捉亮部细节的教导相反。
**技术特征K**:其中所述第一整合时间及所述第二整合时间中的至少一者至少部分地基于光照条件来确定。<br>**《未公开》**无相应内容。对比文件公开了通过控制部(27)切换运动检测模式和宽动态范围模式([0041], [0124]),并设置了模式下的固定整合时间比例(如1:n)。但并未公开根据实时的光照条件(例如,检测裁剪像素数量、目标亮度等级等)来动态地、自适应地确定或调整第一或第二整合时间,如目标专利说明书[0055]段所描述。对比文件的整合时间设置是模式预设的,而非基于场景光照的动态反馈。
**技术特征L**:其包括:包括多个像素的CMOS可见图像传感器,其中所述多个像素的像素包含具有第一阱容量的第一光感测元件及具有第二阱容量的第二光感测元件,其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量,其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管,共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内<br>**《隐含公开》**[0015] “CMOS형의 고체 촬상 장치(10)”<br>[0016] “제1 포토다이오드(11a) … 제2 포토다이오드(11b)”<br>[0017] “포화 레벨 … 각 포토다이오드(11a, 11b)의 면적에 의해 결정된다.”<br>[0154]-[0155] 第二光电二极管面积更大,饱和电平更高。<br>[0022], [0033] 共享检测部、复位晶体管、输出电路内的晶体管。对比文件公开了CMOS型固体摄像装置([0015]),其单位单元包含第一和第二光电二极管([0016])。根据[0017]和变型例[0154]-[0155],光电二极管的饱和电平(阱容量)由面积决定,且存在第二光电二极管面积(及阱容量)大于第一光电二极管的实施方案。同时,[0022]和[0033]公开了第一和第二光电二极管共享晶体管(如复位晶体管、放大器晶体管等),且这些晶体管集成在包含这两个光电二极管的单位单元内。因此,组合上述公开内容,本领域技术人员可以得出该技术特征。
**技术特征M**:及处理器,其经配置以:确定将用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间<br>**《隐含公开》**[0041] “제어부(27)는 수직 레지스터(25) 및 공통 출력 회로(17')의 제어 신호를 출력함으로써, … 동작을 제어한다.”<br>[0046], [0059] 描述了设置第一和第二光电转换期间(整合时间)。<br>[0124] “제어부(27) … 와이드 다이내믹 레인지 모드 신호를 출력하는”对比文件中的控制部(27)(相当于处理器)通过向垂直寄存器等输出控制信号来控制整个装置的操作([0041])。具体地,控制部通过输出模式信号(如运动检测模式或宽动态范围模式信号,[0124])来间接地确定并设置了第一和第二光电二极管的整合时间(如[0046], [0059]所述的比例关系)。因此,控制部(处理器)经配置以确定第一整合时间。
**技术特征N**:及确定将用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间,其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间。<br>**《直接公开》**[0041] “제어부(27)는 … 동작을 제어한다.”<br>[0046] “제1 화소(13a)의 광전 변환 기간 t1 및 제2 화소(13b)의 광전 변환 기간 t2 … 로 설정되어 있다.”<br>[0059] “제2 화소(13b)에 대한 제1 화소(13a)의 광전 변환 기간비를 1:n로 설정”如上所述,控制部(27)控制装置操作。在运动检测模式下,控制部通过设定模式,确定了第一整合时间t1和第二整合时间t2,且t2不同于t1(t2 = n * t1)。该特征被直接公开。
**技术特征O**:其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者包括光电二极管。<br>**《直接公开》**同特征I的引用[0016]。同特征I,直接公开。
**技术特征P**:其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。<br>**《未公开》**同特征J的分析。同特征J,未公开。
**技术特征Q**:其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第一整合时间。<br>**《未公开》**同特征K的分析。对比文件的控制部基于模式切换确定整合时间,而非基于实时光照条件进行动态确定。未公开此特征。
**技术特征R**:其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第二整合时间。<br>**《未公开》**同特征K、Q的分析。未公开。
**技术特征S**:其中所述处理器进一步经配置以生成图像,所述图像是至少部分地基于来自所述第一光感测元件及所述第二光感测元件中的一或多者的信号的。<br>**《直接公开》**[0009] “화상 형성부는 출력 회로로부터 출력되는 차분 신호에 기초하여 화상을 형성한다.”<br>[0129]-[0130] 通过加和两个信号实现宽动态范围图像。对比文件明确包含图像形成部(26, [0009]),其基于输出电路输出的信号(该信号基于第一和第二光感测元件的信号)形成图像。在宽动态范围模式下,图像是基于两个信号的加和生成的([0129]-[0130])。因此,处理器(或图像形成部)经配置以基于来自光感测元件的信号生成图像,被直接公开。
**技术特征T**:其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像:Thdr(x,y)=(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)…<br>**《未公开》**同特征G的分析。同特征G,未公开该特定算法公式。
**技术特征U**:其中所述图像是高动态范围图像。<br>**《直接公开》**同特征H的引用[0125], [0129]-[0130], [0155]。同特征H,直接公开。
**技术特征V**:其包括:用于确定用于包含于CMOS可见图像传感器中的多个像素的像素所包含的具有第一阱容量的第一光感测元件的第一整合时间的装置<br>**《隐含公开》**[0015] “CMOS형의 고체 촬상 장치”<br>[0041] “제어부(27)는 … 제어 신호를 출력함으로써, … 동작을 제어한다.”<br>[0046], [0059] 设置第一整合时间。该装置权利要求特征对应于方法特征C和M。对比文件公开了CMOS固体摄像装置([0015])及其控制部(27)([0041]),控制部通过输出控制信号来确定操作时序,包括第一光电二极管的整合时间([0046], [0059])。因此,控制部相当于“用于确定第一整合时间的装置”。
**技术特征W**:及用于确定用于包含于所述CMOS可见图像传感器中的所述多个像素的所述像素所包含的具有第二阱容量的第二光感测元件的第二整合时间的装置,其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间并且其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量<br>**《隐含公开》**[0041] “제어부(27) …”<br>[0046], [0059] 设置不同于第一整合时间的第二整合时间。<br>[0154]-[0155] 第二光电二极管面积更大,阱容量更大。该特征对应于方法特征D、N和结构特征B。对比文件的控制部(27)也用于确定第二整合时间([0041], [0046], [0059]),且第二整合时间不同于第一整合时间。同时,结合变型例[0154]-[0155],第二光电二极管面积更大导致其阱容量更大。因此,本领域技术人员可以从对比文件中得出该装置特征。
**技术特征X**:且其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管,共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。<br>**《隐含公开》**同特征E的引用[0022], [0033]。同特征E,对比文件公开了单位单元内两个光电二极管共享晶体管的结构。
**技术特征Y**:其进一步包括:用于至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像的装置。<br>**《直接公开》**[0009] “화상 형성부는 … 화상을 형성한다.”<br>[0129]-[0130] 通过加和两个信号形成图像。该特征对应于方法特征F。对比文件明确公开了“화상 형성부”(图像形成部, [0009]),其功能就是基于来自第一和第二光感测元件的信号形成图像(例如宽动态范围模式下的加和操作,[0129]-[0130])。因此,该装置被直接公开。
**技术特征Z**:其中用于形成图像的装置包括用于至少部分地基于以下公式形成图像的装置:Thdr(x,y)=(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)…<br>**《未公开》**同特征G、T的分析。同特征G和T,对比文件未公开该特定算法公式,因此也未公开用于执行该公式的装置。

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