A 包括半导体结构(12)，包括布置于n型区域和p型区域之间的发光区域(31)

B 陶瓷体(30)，包括波长转换材料，所述陶瓷体布置于由所述发光区域发射的光的路径内

C 透明材料(36)层，布置于所述半导体结构(12)和所述陶瓷体(30)之间

D 所述透明材料层将所述半导体结构连接到所述陶瓷体

E 其中多个颗粒(45)布置于所述透明材料层内

F 所述多个颗粒配置成在没有波长转换的情况下散射所述发光区域发射的光。2.权利要求1的发光装置，其中所述透明材料(36)层的厚度小于所述陶瓷体(30)厚度的50％。3.权利要求1的发光装置，其中所述多个颗粒(45)的尺寸和/或密度取决于所述多个颗粒(45)和透明材料(36)之间的折射率差。4.权利要求3的发光装置，其中所述多个颗粒(45)和透明材料(36)之间的折射率差至少为0.4。5.权利要求1的发光装置，其中所述多个颗粒(45)选自钇氧化物、钛氧化物、锶氧化物和铷氧化物。6.权利要求1的发光装置，其中所述多个颗粒(45)具有0.5λ至20λ的平均直径

G 其中λ为由所述半导体结构(12)内的发光区域(31)发射的光的波长。7.权利要求1的发光装置，其中所述透明材料(36)选自硅酮、环氧树脂和玻璃。8.权利要求1的发光装置，其中所述透明材料(36)层具有0.5μm至50μm的厚度。9.权利要求1的发光装置，其中所述半导体结构(12)包括多层III族氮化物层。10.权利要求1的发光装置，其中多个波长转换颗粒布置于透明材料(36)层内。11.权利要求10的发光装置，其中所述发光区域(31)配置成发射蓝光

H 所述波长转换材料配置成吸收蓝光并发射黄光或绿光

I 所述多个波长转换颗粒配置成吸收蓝光并发射红光。12.权利要求10的发光装置，其中所述波长转换材料选自：(Lu1-x-y-a-bYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:CeaPrb，其中0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z≤0.1，0＜a≤0.2且0＜b≤0.1

J Lu3Al5O12:Ce3+

K Y3Al5O12:Ce3+

L SrSi2N2O2:Eu2+

M SrGa2S4:Eu2+。13.权利要求10的发光装置，其中所述多个波长转换颗粒选自：(Ca1-xSrx)S:Eu2+，其中0＜x≤1

N CaS:Eu2+

O SrS:Eu2+

P (Sr1-x-yBaxCay)2-zSi5-aAlaN8-aOa:Euz，其中0≤a＜5，0＜x≤1，0≤y≤1且0＜z≤l

Q Sr2Si5N8:Eu2+

R Ca0.99AlSiN3:Eu0.01

S Ba2-x-zMxSi5-yAlyN8-yOy:Euz，其中M＝Sr、Ca，0≤x≤1，0≤y≤4，0.0005≤z≤0.05。14.权利要求1-13任一项所述的发光装置，还包括n和p接触(38，39)，电连接到所述n型和p型区域

T 覆盖件(108)，布置于所述发光区域上方。