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对比文件列表
1997-12-09_US5695809A_发明授权_US5695809A Sol-gel phosphors_+++A_C_D_E_F_L+++.docx
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2004-05-13_DE10349038A_发明专利_DE10349038A1 Light source used as a luminescence conversion-LED has a polycrystalline ceramic body acting completely or partially as a phosphor_+++A_C_D_E_F_L_b+++.docx
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2004-05-20_JP2004146835A_发明专利_JP2004146835A Light source having led and emitter converter, and method for manufacturing the emitter converter_+++A_C_D_E_F_L_b_g+++.docx
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2004-07-29_US2004145308A_发明申请_US20040145308A1 Light source having an LED and a luminescence conversion body and method for producing the luminescence conversion body_+++A_B_C_D_E_F_L_g+++.docx
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2005-07-07_US2005148110A_发明申请_US20050148110A1 Method for producing a luminescence diode chip_+++A_C_D_E_F_G+++.docx
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2006-04-06_WO2006035353A_发明申请_WO2006035353A2 LIGHT EMITTING DEVICE WITH IMPROVED CONVERSION LAYER_+++A_C_D_E_F_H_L_N_R+++.docx
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2007-06-20_EP1797594A_发明公开_EP1797594A2 LIGHT EMITTING DEVICE WITH IMPROVED CONVERSION LAYER_+++A_C_D_E_F_H_L_N_R+++.docx
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2007-08-02_WO2007085977A_发明申请_WO2007085977A1 LIGHT-EMITTING DEVICE_+++B_C_F_G_L_a_e+++.docx
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2007-09-05_CN101032035A_发明公开_CN101032035A 具有改进转化层的发光器件_+++A_C_D_E_F_L_N_R_h+++.docx
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2007-10-04_JP2007258228A_发明专利_JP2007258228A Diffusion plate for use of light emitting diode element, its structure, and light emitting diode device_+++A_B_C_D_E_F_G_R_l+++.docx
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2007-12-27_JP2007335798A_发明专利_JP2007335798A Light-emitting device_+++B_C_E_F_G_N_a+++.docx
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2008-01-17_WO2008007232A_发明申请_WO2008007232A2 LIGHT-EMITTING DEVICE_+++A_B_C_E_F_L+++.docx
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2008-01-24_JP2008502131A_发明专利_JP2008502131A Luminescent ceramic for a light-emitting device_+++A_C_D_E_F_G_L_b_h_r+++.docx
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2008-06-26_US2008149956A_发明申请_US20080149956A1 Multi-Grain Luminescent Ceramics for Light Emitting Devices_+++A_C_D_E_F_H_L_Q_b_o_p+++.docx
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2008-07-17_JP2008166740A_发明专利_JP2008166740A Optical preforming of solid-state light-emitting die, manufacturing method therefor, assembly method, and system_+++A_B_C_D_E_F_G_O_P_Q_R+++.docx
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2008-08-14_WO2008096214A_发明申请_WO2008096214A2 LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING LUMINESCENT CERAMIC AND LIGHT-SCATTERING MATERIAL_+++A_B_C_E_F_G_L_d_n+++.docx
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2008-10-09_KR1020080091240A_发明公开_KR1020080091240A 발광 장치_+++B_C_E_F_G_L_a_h+++.docx
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2008-10-15_EP1979954A_发明公开_EP1979954A1 LIGHT-EMITTING DEVICE_+++A_B_C_E_F_G_L_r+++.docx
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2009-01-29_US2009026908A_发明申请_US20090026908A1 LIGHT-EMITTING DEVICE_+++A_B_C_E_F_G_L_n+++.docx
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2009-02-18_KR1020090017696A_发明公开_KR1020090017696A 발광 장치 및 그를 포함하는 디스플레이 장치_+++A_B_E_F_L_c+++.docx
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2009-02-25_CN101375420A_发明公开_CN101375420A 发光器件_+++B_E_F_G_L_a_c+++.docx
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2009-03-04_EP2030258A_发明公开_EP2030258A2 LIGHT-EMITTING DEVICE_+++A_B_C_E_F_L_h+++.docx
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DE102006061175A1_Description_20260712_1453_+++A_B_D_E_F_G_c+++.docx
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2004-05-13_DE10349038A_发明专利_DE10349038A1 Light source used as a luminescence conversion-LED has a polycrystalline ceramic body acting completely or partially as a phosphor_+++A_C_D_E_F_L_b+++.docx

**对比文件名称**:2004-05-13_DE10349038A_发明专利_DE10349038A1 Light source used as a luminescence conversion-LED has a polycrystalline ceramic body acting completely or partially as a phosphor

**目标专利名称**:1266用于LED的光散射和转换板CN102428583B

**本次调用的模型名称**:未指定

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(翻译成中文)公开性论述
**技术特征A**:该光散射和转换板包括a)第一层(12)《直接公开》图4的描述:“一种发光转换体3,其由仅包含基础微晶(例如YAG)的载体17组成,并且其背面(相对于LED)具有一层16,深度为几毫米,通过掺杂Ce激活,使得那里存在YAG:Ce作为有效的磷光体。”对比文件明确公开了发光转换体由载体17(相当于第一层)和层16(相当于第二层)构成,两者均为板状结构,因此特征A直接公开。
**技术特征B**:其具有散射属性《隐含公开》对比文件说明书中关于散射中心的描述:“该陶瓷体可以具有散射中心,例如由基础材料本身以孔隙形式存在,或者由第二相如Al₂O₃在YAG:Ce中产生。”以及“作为散射中心,特别是外来微晶或孔隙是合适的。”对比文件虽未明确载体17具有散射属性,但公开了陶瓷体整体可通过引入孔隙、第二相等获得散射特性。载体17作为陶瓷体的一部分,本领域技术人员根据对比文件教导可以合理推断其同样能够具有散射属性(例如通过控制密度或添加第二相),因此特征B隐含公开。
**技术特征C**:基本上不具有转换属性《直接公开》图4的描述:“载体17仅包含基础微晶(例如YAG)”,未掺杂任何激活剂。载体17仅由未掺杂的基础微晶组成,不具备将初级辐射转换为次级辐射的能力,因此直接公开了“不具有转换属性”的特征。
**技术特征D**:其中该第一层基本上由选自包含下述的群组的材料制成:玻璃、Al₂O₃、Y₃Al₅O₁₂、RE₃Al₅O₁₂、RE= 稀土金属、Y₂O₃、ZnS、AlON、AlPON、AlN、MgAl₂O₄、SiC、SiO₂、Si₃N₄或者其混合物《直接公开》图4的描述:“载体17仅包含基础微晶(例如YAG)”,且说明书多次提到YAG(Y₃Al₅O₁₂)作为陶瓷基体材料。对比文件明确载体17由YAG(Y₃Al₅O₁₂)制成,该材料属于特征D所列群组,因此直接公开。
**技术特征E**:b)第二层(14)《直接公开》图4的描述:“其背面(相对于LED)具有一层16,深度为几毫米”。对比文件明确公开了层16作为第二层,因此特征E直接公开。
**技术特征F**:其具有转换属性《直接公开》图4的描述:“层16通过掺杂Ce激活,使得那里存在YAG:Ce作为有效的磷光体。”层16为YAG:Ce,能够吸收初级辐射并发射次级辐射,具有转换属性,直接公开。
**技术特征G**:位于该主光源和该第一层之间的光路内图4的描述:“其背面(相对于LED)具有一层16”,即层16位于远离LED的背面,而载体17靠近LED。对比文件中的光路顺序为:LED → 载体17(第一层) → 层16(第二层),第二层位于远离光源的一侧,而非位于光源和第一层之间。对比文件未公开或暗示任何其他顺序,因此特征G未公开。
**技术特征H**:其中该第二层基本上由选自包含下述的群组的材料制成:LubYcGddCeeAl5O12,其中b+c+d+e=3,0.09≤e≤0.24对比文件提到“YAG:Ce”及“以铝酸盐、石榴石或硅酸盐为基体材料,部分掺杂稀土金属”,但未涉及含Gd、Lu的具体化学式,也未给出Ce浓度范围。对比文件仅公开YAG:Ce(Y₃Al₅O₁₂:Ce),未公开特征H限定的包含Gd、Lu且Ce浓度在0.09-0.24之间的具体化学式。本领域技术人员不能从对比文件直接得到或合理推断出该具体组成,因此特征H未公开。
**技术特征I**:Ca1-x-y-z-0.5uMxSi1+u-v-zAl1-u+v+zN3-vOv:Euy,Cez,其中0≤u<0.2,0≤x<1,0.001≤y≤0.01,0.002≤y≤0.04,并且M=Sr、Ba、Mg;或混合物对比文件未提及任何氮化物或氧氮化物荧光粉材料。对比文件没有公开任何关于该氮化物系列荧光粉的内容,因此特征I未公开。
**技术特征J**:其中该第一层的厚度A和该第二层的厚度B满足A≥3*B;并且中该第一层基本上由密度为理论密度的≥90%且≤100%的陶瓷材料制成对比文件未提及任何厚度关系;关于密度,说明书提到“陶瓷体密度大于90%,特别是95%-97%,几乎100%”,但未明确指定第一层的密度。对比文件既未公开厚度关系A≥3*B,也未明确第一层的密度范围(仅教导整体陶瓷体密度>90%)。本领域技术人员不能从对比文件直接得到厚度关系,且密度部分虽可能隐含应用于第一层,但作为整体特征J,厚度关系未公开,因此特征J未公开。
**技术特征K**:该第二层的厚度B为≥5µm且≤80µm;并且第一层的厚度A为≥50µm且≤1000µm图4的描述:“层16深度为几毫米(wenigen mm)”,即至少2-3mm,远大于80µm;载体17厚度未指定。对比文件中层16的厚度在毫米级,不在5-80µm范围内;第一层厚度也未明确。因此厚度范围均未公开,特征K未公开。
**技术特征L**:其中该第二层基本上由陶瓷材料制成《直接公开》图4的描述:“层16通过掺杂Ce激活,为YAG:Ce陶瓷体”。层16是多晶陶瓷材料(YAG:Ce),因此直接公开。
**技术特征M**:其中该第一层A的散射系数为>0且≤1000cm⁻¹对比文件没有提及任何散射系数数值或相关测量。对比文件未公开任何关于散射系数的内容,因此特征M未公开。
**技术特征N**:其中该第一层和该第二层的折射率之间的折射率差异Δn为≥0.03且≤1对比文件提到“荧光粉相对周围基质具有较高的折射率”,但这是针对粉末颗粒与树脂基体,并非针对两层陶瓷之间的折射率差。对比文件未公开两层陶瓷之间的折射率差异,更未给出具体范围,因此特征N未公开。
**技术特征O**:其中该板包括第三层对比文件未公开任何位于第一层和第二层之间的第三层。对比文件中的发光转换体仅由载体17和层16构成,没有第三层,因此特征O未公开。
**技术特征P**:该第三层被提供在该第一层和该第二层之间同上。对比文件没有提供任何位于第一层和第二层之间的层,因此特征P未公开。
**技术特征Q**:基本上由粘合材料制成对比文件提到“LED和陶瓷体之间可以有连接层(包括粘合剂)”,但该连接层位于LED和发光转换体之间,而非第一层和第二层之间。对比文件未公开第一层和第二层之间的粘合层,因此特征Q未公开。
**技术特征R**:该系统在一种或多种下述应用中被使用:- 办公室照明系统,- 家庭应用系统,- 商店照明系统,- 家居照明系统,- 重点照明系统,- 聚光照明系统,- 剧院照明系统,- 光纤应用系统,- 投影系统,- 自点亮显示器系统,- 像素化显示器系统,- 分段显示器系统,- 警告标志系统,- 医疗照明应用系统,- 指示标志系统,- 装饰照明系统,- 便携系统,- 汽车应用,以及- 温室照明系统对比文件仅提到“光源”可用于照明,未具体列举上述应用。对比文件没有公开任何特定应用场景,因此特征R未公开。

### 公开性代码输出

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