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对比文件列表
1997-12-09_US5695809A_发明授权_US5695809A Sol-gel phosphors_+++A_C_D_E_F_L+++.docx
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2004-05-13_DE10349038A_发明专利_DE10349038A1 Light source used as a luminescence conversion-LED has a polycrystalline ceramic body acting completely or partially as a phosphor_+++A_C_D_E_F_L_b+++.docx
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2004-05-20_JP2004146835A_发明专利_JP2004146835A Light source having led and emitter converter, and method for manufacturing the emitter converter_+++A_C_D_E_F_L_b_g+++.docx
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2004-07-29_US2004145308A_发明申请_US20040145308A1 Light source having an LED and a luminescence conversion body and method for producing the luminescence conversion body_+++A_B_C_D_E_F_L_g+++.docx
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2005-07-07_US2005148110A_发明申请_US20050148110A1 Method for producing a luminescence diode chip_+++A_C_D_E_F_G+++.docx
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2006-04-06_WO2006035353A_发明申请_WO2006035353A2 LIGHT EMITTING DEVICE WITH IMPROVED CONVERSION LAYER_+++A_C_D_E_F_H_L_N_R+++.docx
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2007-06-20_EP1797594A_发明公开_EP1797594A2 LIGHT EMITTING DEVICE WITH IMPROVED CONVERSION LAYER_+++A_C_D_E_F_H_L_N_R+++.docx
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2007-09-05_CN101032035A_发明公开_CN101032035A 具有改进转化层的发光器件_+++A_C_D_E_F_L_N_R_h+++.docx
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2007-10-04_JP2007258228A_发明专利_JP2007258228A Diffusion plate for use of light emitting diode element, its structure, and light emitting diode device_+++A_B_C_D_E_F_G_R_l+++.docx
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2008-01-24_JP2008502131A_发明专利_JP2008502131A Luminescent ceramic for a light-emitting device_+++A_C_D_E_F_G_L_b_h_r+++.docx
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2008-06-26_US2008149956A_发明申请_US20080149956A1 Multi-Grain Luminescent Ceramics for Light Emitting Devices_+++A_C_D_E_F_H_L_Q_b_o_p+++.docx
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2008-07-17_JP2008166740A_发明专利_JP2008166740A Optical preforming of solid-state light-emitting die, manufacturing method therefor, assembly method, and system_+++A_B_C_D_E_F_G_O_P_Q_R+++.docx
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2008-08-14_WO2008096214A_发明申请_WO2008096214A2 LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING LUMINESCENT CERAMIC AND LIGHT-SCATTERING MATERIAL_+++A_B_C_E_F_G_L_d_n+++.docx
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DE102006061175A1_Description_20260712_1453_+++A_B_D_E_F_G_c+++.docx
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2004-07-29_US2004145308A_发明申请_US20040145308A1 Light source having an LED and a luminescence conversion body and method for producing the luminescence conversion body_+++A_B_C_D_E_F_L_g+++.docx

对比文件名称:2004-07-29_US2004145308A_发明申请_US20040145308A1 Light source having an LED and a luminescence conversion body and method for producing the luminescence conversion body

目标专利名称:1266用于LED的光散射和转换板CN102428583B

本次调用的模型名称:DeepSeek-Chat

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
技术特征A:该光散射和转换板包括a)第一层(12)——直接公开[0049]:“In FIG. 4 there is a luminescence conversion body 3 which comprises a carrier 17, which only contains base crystallites (for example YAG), and whose rear face (relative to the LED) has a layer 16 having a depth of a few mm which is activated by doping with Ce”(翻译:图4中,发光转换体3包括载体17,仅含有基础晶体(例如YAG),其背面(相对于LED)具有层16,深度几毫米,通过Ce掺杂激活)对比文件明确公开了载体17,该载体相当于第一层,用于支撑或作为基体,并且不具有转换属性。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地确定该光散射和转换板包括第一层。
技术特征B:其具有散射属性——直接公开[0048]:“The optical element 10 comprises a multiplicity of homogeneously distributed scattering centers which are formed by the base material itself as pores in the volume of the luminescence conversion body 3”(翻译:光学元件10包括多个均匀分布的散射中心,这些散射中心由基体材料本身作为孔隙形成在发光转换体的体积中)对比文件公开了发光转换体3内具有散射中心,这些散射中心遍布整个体积,包括载体17部分。因此,第一层(载体)具有散射属性。
技术特征C:基本上不具有转换属性——直接公开[0049]:“carrier 17, which only contains base crystallites (for example YAG)”(翻译:载体17,仅含有基础晶体(例如YAG))对比文件明确载体17仅含有基础晶体,未掺杂,因此不具有转换属性,即基本上不具有转换属性。
技术特征D:其中该第一层基本上由选自包含下述的群组的材料制成:玻璃、Al₂O₃、Y₃Al₅O₁₂、RE₃Al₅O₁₂,RE= 稀土金属、Y₂O₃、ZnS、AlON、AlPON、AlN、MgAl₂O₄、SiC、SiO₂、Si₃N₄或者其混合物——直接公开[0034]:“a ceramic body with a ceramic base material selected from the group of aluminum oxide, yttrium aluminum garnet and/or yttrium oxide is used”(翻译:使用陶瓷基体材料选自氧化铝、钇铝石榴石和/或氧化钇的陶瓷体)对比文件公开了第一层材料可以是氧化铝(Al₂O₃)、钇铝石榴石(Y₃Al₅O₁₂)和/或氧化钇(Y₂O₃),这些材料均属于目标专利所列群组。因此,本领域技术人员可以直接得出第一层材料选自该群组。
技术特征E:b)第二层(14)——直接公开同[0049]:“...has a layer 16...”对比文件公开了层16,相当于第二层。
技术特征F:其具有转换属性——直接公开[0049]:“...layer 16...which is activated by doping with Ce”(翻译:层16通过Ce掺杂激活)层16通过Ce掺杂成为发光材料,具有转换属性,将一次辐射转换为二次辐射。
技术特征G:位于该主光源和该第一层之间的光路内——隐含公开[0015]:“only part, in particular a region at the front face or rear face of the ceramic body, relative to the position of the LED, is formed by a ceramic base material which is activated with a dopant.”(翻译:只有部分,特别是陶瓷体相对于LED位置的前表面或后表面区域,由用掺杂剂激活的陶瓷基材形成)对比文件公开了活化区域(第二层)可以位于前表面相对于LED。当活化区域位于前表面时,该区域位于LED和未活化区域(第一层)之间,从而满足第二层位于主光源和第一层之间的光路内。本领域技术人员由此可以合理推断出该位置关系,故隐含公开。
技术特征H:其中该第二层基本上由选自包含下述的群组的材料制成:LubYcGddCeeAl5O12,其中b+c+d+e=3,0.09≤e≤0.24——未公开对比文件未提及Lu、Gd等元素,未给出Ce浓度的具体范围。对比文件仅提到YAG:Ce,未涉及本发明具体组成的石榴石荧光粉,也没有公开Ce浓度范围。因此,本领域技术人员不能从对比文件直接或隐含得出该特征。
技术特征I:Ca1-x-y-z-0.5uMxSi1+u-v-zAl1-u+v+zN3-vOv:Euy,Cez,其中0≤u<0.2,0≤x<1,0.001≤y≤0.01,0.002≤y≤0.04,并且M=Sr、Ba、Mg;或混合物——未公开对比文件未提及氮化物荧光粉。对比文件未公开任何关于氮化物荧光粉的组成,故未公开。
技术特征J:其中该第一层的厚度A和该第二层的厚度B满足A≥3*B;并且该第一层基本上由密度为理论密度的≥90%且≤100%的陶瓷材料制成——未公开关于厚度比:无相关内容。关于密度:[0017]“the ceramic body has a ceramic density of above 90%, and in particular at least 95% to 97%, in particular almost 100%.”(翻译:陶瓷体的陶瓷密度高于90%,特别是至少95%至97%,尤其几乎100%)。对比文件公开了陶瓷密度高于90%,但未公开第一层和第二层的厚度比例关系A≥3*B。由于该厚度比是必要技术特征,对比文件未公开,因此本特征整体未公开。
技术特征K:该第二层的厚度B为≥5µm且≤80µm;并且第一层的厚度A为≥50µm且≤1000µm——未公开关于第二层厚度:[0049]“layer 16 having a depth of a few mm”(几毫米)。关于第一层厚度:未明确。对比文件公开的第二层厚度为几毫米(>1mm),远大于80µm,且未公开第一层厚度范围。因此未公开该特征。
技术特征L:其中该第二层基本上由陶瓷材料制成——直接公开整个对比文件涉及陶瓷发光转换体,第二层(层16)是陶瓷体的一部分。对比文件明确第二层是陶瓷体的组成部分,由陶瓷材料制成,因此直接公开。
技术特征M:其中该第一层A的散射系数为>0且≤1000cm⁻¹——未公开对比文件未提及散射系数。对比文件未涉及散射系数的数值范围,故未公开。
技术特征N:其中该第一层和该第二层的折射率之间的折射率差异Δn为≥0.03且≤1——未公开对比文件未提及折射率差异。对比文件未涉及折射率差异,故未公开。
技术特征O:其中该板包括第三层——未公开对比文件未公开在第一层和第二层之间设置第三层。对比文件没有公开任何位于第一层和第二层之间的第三层,故未公开。
技术特征P:该第三层被提供在该第一层和该第二层之间——未公开同上。未公开。
技术特征Q:基本上由粘合材料制成——未公开对比文件[0025]提到连接层(粘合剂)位于LED和陶瓷体之间,但并非在第一层和第二层之间。对比文件未公开位于第一层和第二层之间的粘合材料层,故未公开。
技术特征R:该系统在一种或多种下述应用中被使用:- 办公室照明系统,- 家庭应用系统,- 商店照明系统,- 家居照明系统,- 重点照明系统,- 聚光照明系统,- 剧院照明系统,- 光纤应用系统,- 投影系统,- 自点亮显示器系统,- 像素化显示器系统,- 分段显示器系统,- 警告标志系统,- 医疗照明应用系统,- 指示标志系统,- 装饰照明系统,- 便携系统,- 汽车应用,以及- 温室照明系统——未公开对比文件未具体列出这些应用。对比文件仅一般性地描述光源,未具体指明办公室、家庭等应用场景,故未公开。

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