A 包括半导体结构

B 其包括设置在n型区与p型区之间的发光层

C 译p电极

D 其设置在p型区的一部分上

E p电极包括反射性第一材料

F 其与p型区的第一部分直接接触

G 第二材料

H 其与毗连于第一部分的p型区的第二部分直接接触

I 译其中，第一材料和第二材料是具有相同的厚度的平面层；并且中：p型区和发光层的一部分被蚀刻掉以露出n型区的一部分

J 译p型区的其余部分形成台面

K 第二材料被设置在第一材料与台面的边缘之间。

L 其中所述第三材料配置为防止所述第一材料的迁移。译6.如权利要求5所述的半导体发光器件，其中，第三材料包括钛和钨。译