对比文件的名称：US2002125820A1（Pixel structure of an organic light-emitting diode display device and its fabrication method）
目标专利的名称：CN101411244B（发光器件）
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 其中所述驱动器(10)呈扁平状<br>**隐含公开** | 对比文件[0003]描述：“The TFT-OEL device 100 comprises mainly two thin film transistors 101 and 102, a storage capacitor 103, and a light emitting OEL pad 104 arranged on a substrate.”（TFT-OEL器件100主要包括两个薄膜晶体管101和102、一个存储电容器103以及一个设置在基板上的发光OEL垫104。）<br>对比文件[0004]描述：“...polysilicon layer is deposited over a transparent insulating substrate 201...”（…多晶硅层沉积在透明绝缘基板201上…） | 对比文件中的驱动器由薄膜晶体管和存储电容等薄膜元件构成，这些元件均形成在基板上，厚度极薄，属于典型的扁平结构。本领域技术人员阅读对比文件后，完全可以合理推断出该驱动器（即TFT驱动电路）呈扁平状，这与目标专利中驱动器呈扁平状的含义一致。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征B：** 包括多层结构<br>**隐含公开** | 对比文件[0004]详细描述了多层沉积工艺：“Next, an insulating gate layer 202 is deposited over the polysilicon island 208. A layer of silicon 204 is deposited... a second insulating layer 212 is then applied...”（接着，在 polysilicon island 208上沉积绝缘栅层202。沉积硅层204…然后施加第二绝缘层212…）<br>对比文件[0030]–[0033]进一步描述了栅极、层间绝缘、钝化层等多层形成过程。 | 对比文件的驱动电路（TFT和存储电容）在制造过程中需要依次沉积缓冲层、多晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属层、层间绝缘层、电极层、钝化层等多层薄膜，这本身就是多层结构。本领域技术人员可以毫无疑义地认识到该驱动器包含多层结构。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征C：** 连接到所述发光元件(20)的背面；并且中具有内部电容(21)的所述发光元件(20)连接到所述驱动器(10)<br>**隐含公开** | 对比文件[0004]描述：“...The OEL layer 232 is then deposited over the passivation layer 224 and the anode layer. Finally, a cathode electrode layer 234 is deposited over the surface of the device.”（…OEL层232沉积在钝化层224和阳极层上。最后，阴极电极层234沉积在器件表面上。）<br>对比文件[0021]描述：“The OLED device structure is electrically connected to the drain electrode of the TFT T2.”（OLED器件结构电连接到TFT T2的漏电极。） | 对比文件中，TFT和存储电容等驱动元件位于基板上，OLED层位于驱动元件上方（即驱动元件在OLED的背面侧），且OLED的电极通过接触孔与TFT漏极连接，因此驱动器连接到发光元件的背面。同时，OLED本身具有固有的内部电容（结电容），该电容是OLED器件的固有特性，且OLED与驱动器直接电连接。本领域技术人员可以合理推断出具有内部电容的发光元件连接到驱动器。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征D：** 使得所述内部电容(21)用作所述驱动器(10)的无源输出滤波器<br>**未公开** | 对比文件全文未提及利用发光元件的内部电容作为驱动器的输出滤波器。对比文件[0003]仅提到存储电容103用于TFT像素电路，但存储电容是独立元件，并非发光元件的内部电容，且其作用是保持TFT栅极电压，并非作为驱动器的输出滤波器。 | 对比文件既没有明确教导也没有任何暗示将发光元件的内部电容用作驱动器的无源输出滤波器。目标专利中内部电容被特意用于消除或减少驱动器的输出电容，而对比文件中的存储电容与发光元件内部电容无关，且功能不同。本领域技术人员无法从对比文件合理推断出该技术特征。因此，该特征未公开。 |
| **技术特征E：** 其特征在于<br>**无技术内容** | 无 | 此为权利要求中的连接词，不构成技术特征，无需进行公开性判断。 |
| **技术特征F：** 所述驱动器(10)包括无源输出滤波器(11a，11b)<br>**隐含公开** | 对比文件[0003]描述：“...a storage capacitor 103...”（…一个存储电容器103…）<br>对比文件[0021]描述：“...a storage capacitor Cs...”（…一个存储电容器Cs…） | 对比文件中驱动电路包含存储电容器，电容器属于无源滤波器的基本元件。虽然对比文件未明确将该电容器称为“输出滤波器”，但本领域技术人员公知，在驱动电路中电容器可以用于滤波。因此，对比文件部分公开了驱动器包括无源输出滤波器（至少包含电容器），结合本领域公知常识，可以合理推断驱动器包含无源输出滤波器。根据宽松的隐含公开标准，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征G：** 其中所述内部电容(21)用作所述驱动器(10)的无源输出滤波器(11a，11b)的一部分<br>**未公开** | 对比文件全文未提及利用发光元件的内部电容作为滤波器的一部分。对比文件仅使用独立存储电容，且未提及内部电容的任何滤波作用。 | 对比文件没有公开发光元件的内部电容被用作驱动器无源输出滤波器的一部分。该特征要求内部电容与驱动器输出滤波器结合，对比文件没有给出任何启示。因此，该特征未公开。 |
| **技术特征H：** 其特征在于<br>**无技术内容** | 无 | 此为权利要求中的连接词，不构成技术特征，无需进行公开性判断。 |
| **技术特征I：** 所述驱动器(10)的无源输出滤波器(11a，11b)还包括电感器(11a)<br>**未公开** | 对比文件全文未提及电感器。对比文件中的无源元件仅有存储电容器，没有电感器。 | 对比文件未公开任何电感器，也未给出任何关于采用电感器作为输出滤波器一部分的教导或暗示。本领域技术人员无法从对比文件合理推断出驱动器无源输出滤波器包括电感器。因此，该特征未公开。 |
| **技术特征J：** 者所述驱动器(10)的无源输出滤波器(11a，11b)还包括电感器(11a)和电容器(11b)<br>**隐含公开** | 对比文件[0003]公开了存储电容器103，即电容器。<br>对比文件全文未公开电感器。 | 对比文件部分公开了该特征中的电容器部分（存储电容），但未公开电感器。根据宽松的隐含公开标准，只要对比文件部分公开了技术特征的内容，且有可能与其他对比文件组合公开该技术特征，即认为隐含公开。因此，该特征被隐含公开（仅电容器部分被公开，电感器部分需结合其他文件）。 |
| **技术特征K：** 其特征在于<br>**无技术内容** | 无 | 此为权利要求中的连接词，不构成技术特征，无需进行公开性判断。 |
| **技术特征L：** 所述电感器(11a)包括具有第一侧面和第二侧面的基底(12)、绕组(15)以及软磁芯<br>**未公开** | 对比文件全文未公开任何电感器结构，更未提及基底、绕组和软磁芯。 | 对比文件完全不涉及电感器，因此没有公开电感器的任何具体结构。本领域技术人员无法从对比文件推断出该特征。因此，该特征未公开。 |
| **技术特征M：** 其中所述绕组(15)嵌入在基底(12)中<br>**未公开** | 对比文件全文未公开电感器绕组或基底嵌入结构。 | 对比文件没有公开任何绕组嵌入基底的结构。因此，该特征未公开。 |
| **技术特征N：** 其中所述磁芯包括设置在所述基底(12)的第一侧面上的第一软磁片(13)以及设置在所述基底(12)的第二侧面上的第二软磁片(14)<br>**未公开** | 对比文件全文未公开软磁片或类似磁芯结构。 | 对比文件没有公开任何软磁片或磁芯结构。因此，该特征未公开。 |
| **技术特征O：** 使得所述绕组(15)至少部分地由第一软磁片(13)和第二软磁片(14)所覆盖<br>**未公开** | 对比文件全文未公开软磁片覆盖绕组的结构。 | 对比文件没有公开任何软磁片覆盖绕组的内容。因此，该特征未公开。 |
| **技术特征P：** 其特征在于<br>**无技术内容** | 无 | 此为权利要求中的连接词，不构成技术特征，无需进行公开性判断。 |
| **技术特征Q：** 在第一软磁片(13)和所述基底(12)的第一侧面之间以及在第二软磁片(14)和所述基底(12)的第二侧面之间设置有绝缘层(16)<br>**未公开** | 对比文件全文未公开软磁片与基底之间的绝缘层。对比文件虽有多处绝缘层（如栅极绝缘层、层间绝缘层、钝化层），但均与电感器中的软磁片无关。 | 对比文件未公开任何在软磁片和基底之间设置绝缘层的结构，因为对比文件根本不涉及这种电感器。因此，该特征未公开。 |
| **技术特征R：** 其特征在于<br>**无技术内容** | 无 | 此为权利要求中的连接词，不构成技术特征，无需进行公开性判断。 |
| **技术特征S：** 所述发光元件(20)是OLED<br>**直接公开** | 对比文件[0001]标题及说明书全文多处明确提到“organic light-emitting diode (OLED)”，例如：“The present invention relates generally to a pixel structure of an organic light-emitting diode (OLED) display device...”（本发明总体上涉及一种有机发光二极管(OLED)显示装置的像素结构…） | 对比文件明确公开了发光元件为OLED，与目标专利中的发光元件类型完全相同。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征T：** 其特征在于<br>**无技术内容** | 无 | 此为权利要求中的连接词，不构成技术特征，无需进行公开性判断。 |
| **技术特征U：** 所述发光元件(20)是一串串联的发光元件(20)<br>**未公开** | 对比文件全文仅描述单个像素中的单个OLED，未提及多个发光元件串联。 | 对比文件没有公开发光元件串联的连接方式。因此，该特征未公开。 |
| **技术特征V：** 一堆并联的发光元件(20)<br>**未公开** | 对比文件全文未提及多个发光元件并联。 | 对比文件没有公开发光元件并联的连接方式。因此，该特征未公开。 |
| **技术特征W：** 者发光元件(20)网络<br>**未公开** | 对比文件全文未提及发光元件网络。 | 对比文件没有公开发光元件网络（如串并联组合）的连接方式。因此，该特征未公开。 |
| **技术特征X：** 其特征在于<br>**无技术内容** | 无 | 此为权利要求中的连接词，不构成技术特征，无需进行公开性判断。 |
| **技术特征Y：** 所形成的发光元件(20)、驱动器(10)及其元件(11a，11b，12，13，14，15，16)薄到使得它们是可弯曲或能变形的<br>**未公开** | 对比文件全文未提及可弯曲或变形特性。对比文件采用透明绝缘基板（通常为玻璃），未使用柔性基板。 | 对比文件没有公开任何关于发光元件、驱动器及其元件薄到可弯曲或能变形的教导或暗示。本领域技术人员无法从对比文件合理推断出该特征。因此，该特征未公开。 |
<<<S>>>
<<<a>>><<<b>>><<<c>>><<<f>>><<<j>>>