## 对比文件名称
2000-10-31_US6140902A_发明授权_US6140902A Thin magnetic element and transformer
## 目标专利名称
1274发光器件CN101411244B
## 本次调用的模型名称
本次评估基于专利创造性分析的专业知识，未指定具体模型名称。
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其中所述驱动器(10)呈扁平状<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未提及驱动器，仅公开了薄磁性元件，其结构为扁平状（如“薄磁性元件A”由基底、薄膜、线圈等构成）。<br>（原文大意：图1示出薄磁性元件，其整体厚度薄。） | 对比文件涉及的是薄磁性元件本身，未公开任何用于驱动发光元件的驱动器，更未公开该驱动器呈扁平状。目标专利中驱动器是专门用于适配电源电压并驱动发光元件的电路组件，其特征与对比文件中的磁性元件在功能、结构上均不同，本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出该特征。 |
| **技术特征B**：包括多层结构<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件公开了薄磁性元件的多层结构（如基底、薄磁膜、绝缘膜、线圈、柔性基底等），但未公开驱动器结构。<br>（原文：FIG. 1 说明多层堆叠结构。） | 对比文件的多层结构是针对薄磁性元件的，而非目标专利中的驱动器。目标专利的驱动器是包含电子元件（如MOSFET、控制器）并具有多层布线结构的扁平组件，对比文件未涉及任何驱动器相关的多层结构，因此不公开。 |
| **技术特征C**：连接到所述发光元件(20)的背面；并且中具有内部电容(21)的所述发光元件(20)连接到所述驱动器(10)<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未提及发光元件、内部电容或驱动器与发光元件的连接。<br>（全文未涉及此类内容。） | 对比文件主题为薄磁性元件和变压器，完全不涉及发光器件、内部电容或驱动器与发光元件的背面连接。本领域技术人员无法从对比文件获得任何关于发光元件、内部电容及其连接关系的教导。 |
| **技术特征D**：使得所述内部电容(21)用作所述驱动器(10)的无源输出滤波器<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件无内部电容或驱动器输出滤波器的概念。<br>（全文未涉及。） | 对比文件未公开发光元件的内部电容，也未公开将内部电容用作驱动器输出滤波器。目标专利的核心创新在于利用OLED的内部电容替代或减少驱动器的输出电容，对比文件无任何相关启示。 |
| **技术特征E**：其特征在于<br>**公开性判断：无实质内容** | 无对应内容。 | 该特征为权利要求的过渡词，无具体技术内容，对比文件无法公开。 |
| **技术特征F**：所述驱动器(10)包括无源输出滤波器(11a，11b)<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未公开驱动器，也未公开任何输出滤波器。<br>（全文未涉及。） | 对比文件仅涉及独立的磁性元件，未教导将该磁性元件作为驱动器的输出滤波器使用，更未公开驱动器包含输出滤波器的整体结构。 |
| **技术特征G**：其中所述内部电容(21)用作所述驱动器(10)的无源输出滤波器(11a，11b)的一部分<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件无内部电容，也无驱动器输出滤波器。<br>（全文未涉及。） | 同特征D，对比文件无任何关于内部电容与输出滤波器结合的教导。 |
| **技术特征H**：其特征在于<br>**公开性判断：无实质内容** | 无对应内容。 | 过渡词，无技术内容。 |
| **技术特征I**：所述驱动器(10)的无源输出滤波器(11a，11b)还包括电感器(11a)<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件公开了薄磁性元件可用作电感器，但未公开该电感器属于驱动器的输出滤波器。<br>（原文：当仅在基底一侧形成薄磁膜、绝缘膜和线圈时，得到的薄磁性元件可用作电感器。） | 对比文件中的电感器是独立元件，未与驱动器或输出滤波器关联。目标专利要求电感器是驱动器输出滤波器的一部分，对比文件未教导这种集成关系，因此不公开。 |
| **技术特征J**：者所述驱动器(10)的无源输出滤波器(11a，11b)还包括电感器(11a)和电容器(11b)<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未公开电容器，也未公开电感器和电容器作为输出滤波器的一部分。<br>（全文未涉及电容器。） | 对比文件仅涉及电感器（磁性元件），未公开电容器，更未公开两者组合作为驱动器的输出滤波器。 |
| **技术特征K**：其特征在于<br>**公开性判断：无实质内容** | 无对应内容。 | 过渡词，无技术内容。 |
| **技术特征L**：所述电感器(11a)包括具有第一侧面和第二侧面的基底(12)、绕组(15)以及软磁芯<br>**公开性判断：直接公开** | 对比文件公开了薄磁性元件（可用作电感器）包括基底、线圈（绕组）和软磁薄膜（软磁芯）。<br>译文：图1示出薄磁性元件A，其由在基底1、2的相对表面上层叠薄磁膜3和绝缘膜4，并在上下绝缘膜4、4之间设置柔性基底5，同时布置线圈导体6、6构成。线圈导体6形成螺旋形线圈7。薄磁膜3由高电阻软磁材料形成。当仅在基底一侧形成薄磁膜、绝缘膜和线圈时，该元件可用作电感器。（段落：DETAILED DESCRIPTION，图1说明及实施例，原文“FIG. 1 illustrates... thin magnetic element A...”；“When a thin magnetic film 3, an insulation film 4 and a coil 7 are formed on only one side of the substrate 5, the resulting thin magnetic element A can be used as an inductor.”） | 对比文件明确公开了用作电感器的薄磁性元件，其结构包括基底（substrate 1,2，具有第一侧面和第二侧面）、绕组（线圈导体6形成的螺旋线圈）以及软磁芯（薄磁膜3，由软磁材料构成）。该元件在结构中具备基底、绕组和软磁芯，与本技术特征L要求的三要素完全对应。虽然具体实现方式（如绕组嵌入、磁片覆盖）可能有差异，但就“基底、绕组、软磁芯”的基本构成而言，对比文件已直接公开，本领域技术人员可毫无疑义地确定其公开了该技术特征。 |
| **技术特征M**：其中所述绕组(15)嵌入在基底(12)中<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件中，线圈导体6形成在绝缘膜4上，而非嵌入在基底中。<br>（原文：在绝缘膜4上形成线圈导体6；基底1、2上先形成薄磁膜3，再形成绝缘膜4，然后形成线圈6。） | 对比文件中的线圈是形成在绝缘膜上，并非嵌入在基底材料内。目标专利的绕组嵌入在柔性基底中，构成基底的一部分，对比文件未公开这种嵌入结构，且无相关暗示。 |
| **技术特征N**：其中所述磁芯包括设置在所述基底(12)的第一侧面上的第一软磁片(13)以及设置在所述基底(12)的第二侧面上的第二软磁片(14)<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件中的薄磁膜3分别设置在各自基底1、2上，并非同一基底的两侧。上下磁膜位于不同基底，中间有柔性基底5隔开。<br>（原文：堆叠顺序为基底1→薄磁膜3→绝缘膜4→线圈6→柔性基底5→线圈6→绝缘膜4→薄磁膜3→基底2。） | 对比文件未公开在同一个基底的两侧设置软磁片。其结构是两个分离的基底各自承载一个磁膜，磁膜之间隔着多个层。目标专利的磁芯由同一基底两侧的软磁片构成，对比文件未教导该结构，且结构差异明显。 |
| **技术特征O**：使得所述绕组(15)至少部分地由第一软磁片(13)和第二软磁片(14)所覆盖<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件中，当用作电感器（仅一侧有线圈）时，线圈仅被一个磁膜覆盖；当用作变压器（两侧有线圈）时，每个线圈仅被其对应侧的磁膜覆盖，未被两个磁膜共同覆盖同一绕组。<br>（原文：当仅在基底一侧形成线圈时，薄磁性元件用作电感器；图1中上下线圈各自被上下磁膜覆盖。） | 对比文件未公开单个绕组被两个磁片从两侧覆盖。其结构是每个绕组仅被一个磁膜覆盖（一侧），目标专利要求绕组被两个软磁片至少部分覆盖，对比文件无此教导。 |
| **技术特征P**：其特征在于<br>**公开性判断：无实质内容** | 无对应内容。 | 过渡词，无技术内容。 |
| **技术特征Q**：在第一软磁片(13)和所述基底(12)的第一侧面之间以及在第二软磁片(14)和所述基底(12)的第二侧面之间设置有绝缘层(16)<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件中的绝缘膜4设置在薄磁膜3和线圈6之间，而非设置在磁膜和基底之间。<br>（原文：在薄磁膜3上形成绝缘膜4，然后形成线圈6。） | 对比文件未在磁膜与基底之间设置绝缘层。其绝缘层位于磁膜与线圈之间，与目标专利的绝缘层位置不同，功能也不同（目标专利的绝缘层用于隔离磁片与基底，对比文件绝缘层用于隔离磁膜与线圈）。因此未公开。 |
| **技术特征R**：其特征在于<br>**公开性判断：无实质内容** | 无对应内容。 | 过渡词，无技术内容。 |
| **技术特征S**：所述发光元件(20)是OLED<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未提及任何发光元件，尤其未提及OLED。<br>（全文未涉及。） | 对比文件涉及磁性元件，完全不涉及发光元件或OLED，本领域技术人员无法从对比文件得出该特征。 |
| **技术特征T**：其特征在于<br>**公开性判断：无实质内容** | 无对应内容。 | 过渡词，无技术内容。 |
| **技术特征U**：所述发光元件(20)是一串串联的发光元件(20)<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件无发光元件，无任何串联连接。<br>（全文未涉及。） | 对比文件未公开任何发光元件及其连接方式，因此不公开。 |
| **技术特征V**：一堆并联的发光元件(20)<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件无相关描述。<br>（全文未涉及。） | 同特征U，未公开。 |
| **技术特征W**：者发光元件(20)网络<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件无相关描述。<br>（全文未涉及。） | 同特征U，未公开。 |
| **技术特征X**：其特征在于<br>**公开性判断：无实质内容** | 无对应内容。 | 过渡词，无技术内容。 |
| **技术特征Y**：所形成的发光元件(20)、驱动器(10)及其元件(11a，11b，12，13，14，15，16)薄到使得它们是可弯曲或能变形的<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件提及基底可由聚酰亚胺等柔性材料制成，但未公开整个发光器件（包括发光元件、驱动器及其元件）可弯曲或变形。<br>（原文：基底由树脂（如聚酰亚胺）或陶瓷等绝缘非磁性材料形成。） | 对比文件未涉及发光元件和驱动器，仅提及薄磁性元件的某层可用柔性材料，但未教导整个器件可弯曲。目标专利要求发光元件、驱动器及所有元件均薄到可弯曲，对比文件未公开该组合特征。 |
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### 总结与代码输出
根据上述特征比对，技术特征L被对比文件直接公开，其他技术特征均未被直接公开或隐含公开。因此，在回答结尾插入对应的大写代码。
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