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对比文件列表
1991-01-01_US4982314A_发明授权_US4982314A Power source circuit apparatus for electro-luminescence device_+++F_I_d_g_j_s+++.docx
2026-07-22 17:35
1996-06-19_EP0717445A_发明公开_EP0717445A2 Elektrolumineszente Vorrichtung mit einer organischen elektrolumineszenten Schicht_+++S_a_b_c_v+++.docx
2026-07-22 17:35
1999-01-27_JP2850906B_发明专利_JP2850906B1 Organic el element and method of manufacturing the same_+++S_a_c+++.docx
2026-07-22 17:35
2001-03-13_US6201346B_发明授权_US06201346B1 EL display device using organic EL element having a printed circuit board_+++S_a_c+++.docx
2026-07-22 17:35
2002-09-12_US2002125820A_发明申请_US20020125820A1 Pixel structure of an organic light-emitting diode display device and its fabrication method_+++S_a_b_c_f_j+++.docx
2026-07-22 17:35
2002-09-12_US2002125832A_发明申请_US20020125832A1 Color electroluminescence display device_+++S_a_b+++.docx
2026-07-22 17:35
2002-09-17_US6452576B_发明授权_US06452576B1 Organic electroluminescent display device_+++S+++.docx
2026-07-22 17:35
2002-10-22_JP2002535722A_发明专利_JP2002535722A The organic light emitting display_+++S+++.docx
2026-07-22 17:35
2003-04-17_US2003071821A_发明申请_US20030071821A1 Luminance compensation for emissive displays_+++S_w+++.docx
2026-07-22 17:35
2004-07-08_US2004130514A_发明申请_US20040130514A1 Color electroluminescence display device_+++B_S_a_c+++.docx
2026-07-22 17:35
2005-09-08_US2005194894A_发明申请_US20050194894A1 Display module_+++S_c+++.docx
2026-07-22 17:35
2002-09-12_US2002125832A_发明申请_US20020125832A1 Color electroluminescence display device_+++S_a_b+++.docx

对比文件名称:2002-09-12_US2002125832A_发明申请_US20020125832A1 Color electroluminescence display device

目标专利名称:1274发光器件CN101411244B

本次调用的模型名称:AI语言模型

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
**技术特征A:其中所述驱动器(10)呈扁平状**对比文件[0033]段:”在透明玻璃基板8上形成栅极9,然后在其上形成栅绝缘膜。然后,在栅绝缘膜10上形成的多晶硅薄膜11被层间绝缘膜12覆盖,其上形成数据线和电源线。进一步形成平坦化绝缘膜13,最后在平坦化绝缘膜13上形成由ITO构成的阳极7。” 该段描述驱动电路各层均为薄膜形式,厚度极小。《隐含公开》。对比文件虽未直接使用“扁平状”一词,但本领域技术人员从其所公开的TFT驱动电路由多层薄膜(栅极、栅绝缘膜、多晶硅薄膜、层间绝缘膜、平坦化绝缘膜等)堆叠形成的事实,可以合理推断出该驱动电路整体厚度极薄,呈扁平状。该驱动电路在功能上对应于目标专利中使电源电压适应发光元件要求的电流的驱动器,因此其形状特征被隐含公开。
**技术特征B:包括多层结构**对比文件[0033]段:”在透明玻璃基板8上形成栅极9,然后在其上形成栅绝缘膜。然后,在栅绝缘膜10上形成的多晶硅薄膜11被层间绝缘膜12覆盖,其上形成数据线和电源线。进一步形成平坦化绝缘膜13,最后在平坦化绝缘膜13上形成由ITO构成的阳极7。” 该段明确描述了栅极层、栅绝缘膜、多晶硅薄膜、层间绝缘膜、平坦化绝缘膜等多层结构。《隐含公开》。对比文件公开的驱动电路包含栅极、栅绝缘膜、半导体层、层间绝缘膜、平坦化绝缘膜等多个薄膜层,这些层在垂直方向堆叠,形成明确的多层结构。本领域技术人员可以合理确定该驱动电路具有多层结构,该特征被隐含公开。
**技术特征C:连接到所述发光元件(20)的背面;并且中具有内部电容(21)的所述发光元件(20)连接到所述驱动器(10)**对比文件[0033]段:”在平坦化绝缘膜13上形成阳极7(像素电极)。” [0035]段:”各阳极7上形成空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极,完成EL元件形成。” 驱动电路与EL元件形成在同一基板的正面上,且驱动电路位于EL元件下方(基板侧)。《未公开》。对比文件中的驱动电路与EL元件集成在同一基板的正表面,且驱动电路位于EL元件与基板之间(即EL元件的发光面一侧),未公开驱动器连接到发光元件的背面。目标专利中的“背面”是指与发光面相反的一侧,对比文件中驱动电路并未位于该侧,且对比文件未给出任何关于背面连接或安装的教导或暗示,因此该特征既未直接公开也未隐含公开。
**技术特征D:使得所述内部电容(21)用作所述驱动器(10)的无源输出滤波器**对比文件[0008]段:”第一TFT 21的漏极施加显示信号DATA,栅极施加扫描信号SCAN;电容器22通过TFT 21导通时施加的显示信号DATA充电,并在TFT 21截止时保持充电电压Vh;第二TFT 23的漏极连接驱动电源VCOM,源极连接有机EL元件20的阳极,栅极从电容器22接收保持电压Vh以驱动EL元件。” 对比文件仅将电容器22用作电压保持元件,而非无源输出滤波器。《未公开》。对比文件中的电容器22是像素电路中的存储电容,其作用是在TFT截止期间保持驱动电压,并非用于平滑输出电流或电压的无源输出滤波器。对比文件未提及利用EL元件内部电容作为无源输出滤波器,也未给出任何关于内部电容用于滤波的教导或暗示,因此该特征既未直接公开也未隐含公开。
**技术特征E:其特征在于**无无技术特征,不必比对。
**技术特征F:所述驱动器(10)包括无源输出滤波器(11a,11b)**对比文件[0008]段描述像素电路仅包含TFT和电容器,未包含任何电感器;[0033]段描述驱动电路结构,同样未提及滤波器。《未公开》。对比文件公开的驱动电路由第一TFT、第二TFT和电容器组成,未包含任何电感器或作为无源输出滤波器的元件。目标专利中的无源输出滤波器至少包括电感器或电感器与电容器的组合,这些元件在对比文件驱动电路中完全不存在,因此该特征既未直接公开也未隐含公开。
**技术特征G:其中所述内部电容(21)用作所述驱动器(10)的无源输出滤波器(11a,11b)的一部分**对比文件[0035]段描述EL元件包含阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极,但未提及利用该EL元件的内部电容;[0008]段仅使用外部电容器22。《未公开》。对比文件未公开EL元件(发光元件)具有内部电容,更未公开将其用作无源输出滤波器的一部分。对比文件中的电容器22是独立形成的存储电容,并非利用EL元件的内部电容。因此该特征既未直接公开也未隐含公开。
**技术特征H:其特征在于**无无技术特征,不必比对。
**技术特征I:所述驱动器(10)的无源输出滤波器(11a,11b)还包括电感器(11a)**对比文件全文未出现任何电感器或绕组结构。《未公开》。对比文件的所有实施例均未采用电感器作为驱动电路的一部分,其驱动电路仅由TFT和电容器构成。因此,该特征既未直接公开也未隐含公开。
**技术特征J:者所述驱动器(10)的无源输出滤波器(11a,11b)还包括电感器(11a)和电容器(11b)**对比文件[0008]段虽有电容器22,但未将该电容器与电感器组合作为输出滤波器;且全文无电感器。《未公开》。对比文件虽包含电容器,但该电容器并非与电感器组合构成无源输出滤波器,且对比文件未记载任何电感器。因此,该特征既未直接公开也未隐含公开。
**技术特征K:其特征在于**无无技术特征,不必比对。
**技术特征L:所述电感器(11a)包括具有第一侧面和第二侧面的基底(12)、绕组(15)以及软磁芯**对比文件全文未涉及任何电感器结构。《未公开》。对比文件未公开任何电感器,更未公开其具体组成(基底、绕组、软磁芯)。因此,该特征既未直接公开也未隐含公开。
**技术特征M:其中所述绕组(15)嵌入在基底(12)中**对比文件全文未提及绕组嵌入基底的结构。《未公开》。对比文件未公开任何绕组或基底结构,因此该特征既未直接公开也未隐含公开。
**技术特征N:其中所述磁芯包括设置在所述基底(12)的第一侧面上的第一软磁片(13)以及设置在所述基底(12)的第二侧面上的第二软磁片(14)**对比文件全文未涉及软磁片或磁芯结构。《未公开》。对比文件未公开任何软磁片或磁芯,因此该特征既未直接公开也未隐含公开。
**技术特征O:使得所述绕组(15)至少部分地由第一软磁片(13)和第二软磁片(14)所覆盖**对比文件全文未涉及软磁片覆盖绕组的结构。《未公开》。对比文件未公开任何软磁片或绕组覆盖关系,因此该特征既未直接公开也未隐含公开。
**技术特征P:其特征在于**无无技术特征,不必比对。
**技术特征Q:在第一软磁片(13)和所述基底(12)的第一侧面之间以及在第二软磁片(14)和所述基底(12)的第二侧面之间设置有绝缘层(16)**对比文件全文未涉及软磁片与基底之间的绝缘层。《未公开》。对比文件未公开任何绝缘层设置于软磁片与基底之间的结构,因此该特征既未直接公开也未隐含公开。
**技术特征R:其特征在于**无无技术特征,不必比对。
**技术特征S:所述发光元件(20)是OLED**对比文件[0004]段:”有机EL元件在下一代显示器件中的实际应用备受期待。” [0035]段:”各阳极上形成空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极,完成EL元件形成。……各EL元件发射一种RGB光。” 对比文件明确使用有机EL元件,即OLED。《直接公开》。对比文件全文多次提及“有机EL元件”,并详细描述了其层状结构(空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极),该有机EL元件即为目标专利中的OLED。因此,本技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征T:其特征在于**无无技术特征,不必比对。
**技术特征U:所述发光元件(20)是一串串联的发光元件(20)**对比文件全文未公开发光元件的串联连接方式。《未公开》。对比文件的有源矩阵显示器件中,每个像素的EL元件独立由TFT驱动,像素之间不存在串联关系。因此,该特征既未直接公开也未隐含公开。
**技术特征V:一堆并联的发光元件(20)**对比文件全文未公开发光元件的并联连接方式。《未公开》。对比文件没有描述多个EL元件并联连接,每个像素的EL元件是单独驱动的。因此,该特征既未直接公开也未隐含公开。
**技术特征W:者发光元件(20)网络**对比文件全文未公开发光元件的网络连接方式。《未公开》。对比文件没有描述EL元件构成网络(如串并联组合),仅给出独立像素结构。因此,该特征既未直接公开也未隐含公开。
**技术特征X:其特征在于**无无技术特征,不必比对。
**技术特征Y:所形成的发光元件(20)、驱动器(10)及其元件(11a,11b,12,13,14,15,16)薄到使得它们是可弯曲或能变形的**对比文件[0033]段使用透明玻璃基板8,[0035]段描述各层形成在玻璃基板上,玻璃基板为刚性材料。《未公开》。对比文件明确采用玻璃基板,且未提及任何可弯曲或变形特性。相反,玻璃基板是刚性的,整个器件不能弯曲。因此,该特征既未直接公开也未隐含公开。

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