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对比文件列表
2003-05-22_US2003094893A_发明申请_US20030094893A1 Illumination unit having at least one LED as light source_+++A_B_C_F_G_J_L_M+++.docx
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2003-07-22_JP2003206481A_发明专利_JP2003206481A Illumination unit having at least one led as light source_+++F_L_M_a_g+++.docx
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2005-06-02_WO2005049763A_发明申请_WO2005049763A1 METHOD FOR PRODUCING NITRIDOSILICATE-BASED COMPOUND, NITRIDOSILICATE PHOSPHOR, AND LIGHT-EMITTING APPARATUS USING THE NITRIDOSILICATE PHOSPHOR_+++A_C_F_J_L_M+++.docx
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2005-10-20_US2005230689A_发明申请_US20050230689A1 Ce3+ and Eu2+ doped phosphors for light generation_+++A_C_F_G_J_L_M_b_n+++.docx
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2005-11-03_WO2005103199A_发明申请_WO2005103199A1 PHOSPHOR COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND LIGHT-EMITTING DEVICE USING THE SAME_+++A_B_F_J_L_M_N_c+++.docx
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2006-01-05_JP2006005367A_发明专利_JP2006005367A Luminescent ceramic for light emitting device_+++A_C_F_J_L_M+++.docx
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2006-01-19_JP2006016413A_发明专利_JP2006016413A Phosphor and luminescent implement_+++A_B_F_G_J_L_M_N+++.docx
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2006-03-30_US2006065878A_发明申请_US20060065878A1 Phosphor and manufacturing method for the same, and light source_+++A_C_F_G_J_L_M_N+++.docx
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2006-10-05_US2006220047A_发明申请_US20060220047A1 Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor_+++A_B_C_D_F_G_J_L_M_N+++.docx
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2006-11-09_JP2006306981A_发明专利_JP2006306981A Nitride phosphor and light emitting device using the same_+++A_B_C_D_F_G_J_L_M_N+++.docx
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2008-08-07_None_发明专利_JPWO2006093011A1 発光装置_+++F_J_L_M_O+++.docx
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2008-08-07_None_发明专利_JPWO2006093298A1 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置_+++A_B_C_F_G_J_L_M_n+++.docx
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WO2006093298A1_Description_20260712_1459_+++A_C_F_J_L_M_g_n+++.docx
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WO2006106883A1_Description_20260712_1501_+++A_C_F_G_J_L_M_N_d+++.docx
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2003-05-22_US2003094893A_发明申请_US20030094893A1 Illumination unit having at least one LED as light source_+++A_B_C_F_G_J_L_M+++.docx

对比文件名称:2003-05-22_US2003094893A_发明申请_US20030094893A1 Illumination unit having at least one LED as light source

目标专利名称:1281发红色光的发光材料CN101631843B

本次调用的模型名称:DeepSeek(或其他,根据实际情况)

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:M选自包含Ba、Sr、Ca、Mg或它们的混合物的组。(直接公开)[0005]:“至少一种二价金属Ba、Ca、Sr和/或至少一种三价金属Lu、La、Gd、Y被用作阳离子M”;[0060]:“M=Ca单独或与至少一种金属Sr或Mg组合”。对比文件明确公开了Ba、Sr、Ca作为M的选择,并在[0060]中公开了Mg作为M的选择,因此特征A被直接公开。
技术特征B:A选自包含Al、Ga、B或它们的混合物的组。(直接公开)[0005]提及赛隆结构如MSiAl2O3N2等,含有Al;[0063]提及“Si-(O,N)或Al-(O,N)四面体”。对比文件公开了Al作为A元素,而Al是特征B组中的一种,因此特征B被直接公开。
技术特征C:RE选自包含稀土金属、Y、La、Sc或它们的混合物的组。(直接公开)[0005]:“掺杂剂D,即Eu2+或Ce3+”。对比文件公开了Eu和Ce作为掺杂剂,它们属于稀土金属,因此特征C被直接公开。
技术特征D:x≥0且≤1。(未公开)无直接引用。对比文件未公开任何关于x参数的信息,本领域技术人员不能从对比文件直接得出x的范围,也未隐含公开。
技术特征E:y≥0且≤0.2。(未公开)无直接引用。对比文件未公开任何关于y参数的信息,因此未公开。
技术特征F:RE选自包含Eu、Ce或它们的混合物的组。(直接公开)[0005]:“掺杂剂D,即Eu2+或Ce3+”。直接公开。
技术特征G:RE的掺杂水平为≥0.05%且≤10%。(直接公开)[0058]:“掺杂剂(即Eu或Ce含量)取代部分阳离子M的比例应为0.5%至15%,优选1%至10%”;[0090]:“SrSiAl2O3N2:Ce3+ (4%)(即Ce占阳离子Sr的4 mol%)”。对比文件公开了具体掺杂浓度4%,该值落在0.05%至10%的范围内,因此特征G被直接公开。
技术特征H:所述材料的光稳定性≥80%。(未公开)无具体数值;[0074]提及“excellent thermal stability”。对比文件未公开光稳定性的具体数值,因此未公开。
技术特征I:所述材料的光稳定性≥90%。(未公开)同上。未公开。
技术特征J:作为发光材料的用途。(直接公开)[0001]:“具有至少一个LED作为光源的照明单元”;[0004]:“部分或完全转换为较长波长的辐射”;[0059]:“这些新型光学活性材料可被概括为具有日光荧光的颜料,特别地也可作为磷光体”。对比文件明确公开了这些材料作为磷光体用于发光转换,因此直接公开。
技术特征K:包含至少一种根据权利要求1-4任意一项的发红色光的材料。(未公开)对比文件公开了多种磷光体,如SrLuSi4N7:Eu2+、Sr2Si4AlON7:Eu2+等,但未公开目标专利权利要求1-4限定的具体材料组成。对比文件没有公开目标专利权利要求1-4的材料,因此未公开。
技术特征L:所述发光器件是LED。(直接公开)[0001]:“具有至少一个LED作为光源的照明单元”;[0084]:“用于白色LED与InGaN芯片一起使用”。直接公开。
技术特征M:其中所述至少一种材料作为粉末和/或作为陶瓷材料提供。(直接公开)[0075]:“磷光体粉末的典型平均粒径为0.5至5μm”;[0075]:“磷光体粉末通过高温固相反应生产”。对比文件公开了粉末形式,因此特征M被直接公开(粉末形式)。
技术特征N:其中所述粉末具有≥5μm且≤15μm的d50。(未公开)[0075]:“typical mean grain sizes of the phosphor powder are 0.5 to 5 μm”。对比文件公开的粒径范围是0.5-5μm,与5-15μm不同,且未公开5-15μm的范围,因此未公开。
技术特征O:其中所述陶瓷具有理论密度的≥90%。(未公开)无。对比文件未提及陶瓷材料或其密度,因此未公开。

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