**对比文件名称**：WO2009069671A1_Description_20260712_1502
**目标专利名称**：1283用于LED的反射基底CN102549783B
**本次调用的模型名称**：未指定（用户未提供，按默认处理）
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括发光二极管（LED）管芯<br>**《直接公开》** | 对比文件在“Light Emitting Element”部分记载：“The light emitting element 10 mounted on the light emitting device 1 of FIG. 1 is an LED chip of a nitride semiconductor element”（图1所示发光装置1中安装的发光元件10为氮化物半导体元件的LED芯片）。 | 对比文件明确公开了发光元件为LED芯片，与技术特征A的LED管芯完全相同，因此直接公开。 |
| **技术特征B**：所述LED管芯包括在生长衬底上外延生长的半导体层<br>**《直接公开》** | 对比文件在“Growth Substrate”部分记载：“The light emitting element 10 is formed by laminating a nitride semiconductor layer as a semiconductor structure 11 on a growth substrate 5”（发光元件10通过在生长衬底5上层叠氮化物半导体层作为半导体结构11而形成）。另在“Nitride Semiconductor Light Emitting Element”部分记载：“the nitride semiconductor layer 11 is epitaxially grown on a growth substrate”（氮化物半导体层11在生长衬底上外延生长）。 | 对比文件清楚公开了LED管芯的半导体层是在生长衬底上外延生长的，与技术特征B完全一致，因此直接公开。 |
| **技术特征C**：其上安装有所述LED管芯的底座<br>**《直接公开》** | 对比文件在“Wiring Substrate”部分记载：“the wiring board 9 on which the above light emitting element 10 is mounted”（安装有上述发光元件10的布线基板9）。图1也显示发光元件10安装在布线基板9上。 | 对比文件中的布线基板9即为安装LED管芯的底座，与技术特征C的底座功能相同，因此直接公开。 |
| **技术特征D**：在LED管芯与底座之间存在间隙<br>**《直接公开》** | 对比文件在“Light Emitting Device”部分记载：“bumps 24 are formed ... the light emitting element 10 is flip-chip mounted via this bump 24”（形成凸块24……发光元件10通过该凸块24倒装芯片安装）。图1显示发光元件10通过凸块24安装在基板9上，凸块之间形成间隙。 | 对比文件公开了倒装芯片安装方式，凸块在LED管芯与底座之间形成间隙，与技术特征D一致，因此直接公开。 |
| **技术特征E**：在LED管芯上模制的电绝缘底部填充材料<br>**《隐含公开》** | 对比文件在“Covering Member/Sealing Member”部分记载：“the sealing member 26 is filled between the light transmitting member 15 and the wiring substrate 9, and the periphery of the light emitting element 10 is covered with the sealing member 26”（密封构件26填充在透光构件15与布线基板9之间，并且发光元件10的周围被密封构件26覆盖）。该密封构件由硅树脂等绝缘材料构成，并通过丝网印刷等模制工艺形成。 | 对比文件虽未明确在LED管芯与底座之间的间隙中填充底部填充材料，但本领域技术人员在实施倒装芯片安装后，通常会利用毛细作用使液体树脂流入凸块间隙以形成底部填充，且对比文件中的密封构件同时覆盖了发光元件周围并填充了透光构件与基板之间的区域，其材料、电绝缘性及模制工艺均与目标专利的底部填充材料实质相同。因此，可以合理推断出该技术特征，属于隐含公开。 |
| **技术特征F**：所述底部填充材料被蚀刻从而保留在所述LED管芯与所述底座之间以及在所述半导体层侧面上<br>**未公开** | 对比文件未记载对密封构件进行蚀刻以去除多余部分并保留在特定区域的任何内容。 | 对比文件没有公开对底部填充材料（或类似覆盖构件）进行蚀刻的步骤，也没有公开保留在LED管芯与底座之间以及半导体层侧面上的结构。因此，该技术特征未被对比文件直接或隐含公开。 |
| **技术特征G**：该底部填充材料还在底座的表面上形成围绕LED管芯的基本上平坦的反射层<br>**《隐含公开》** | 对比文件在“Covered Region”部分记载：“the sealing member 26 is filled between the light transmitting member 15 and the wiring substrate 9”（密封构件26填充在透光构件15与布线基板9之间）。图1显示密封构件26在基板9表面上形成一层，且该层围绕发光元件10。另外，在“Covering Member/Sealing Member”部分记载：“the outer surface of the sealing member 26 is formed so as to follow the surface shape of the light emitting surface 15a”（密封构件26的外表面形成为沿着光出射面15a的表面形状），表明其表面平坦。密封构件26含有光反射材料（如TiO2），具有反射功能。 | 对比文件中的密封构件26填充在透光构件与基板之间，在基板表面上形成了一层平坦的树脂层，该层围绕发光元件10，且包含反射颗粒，因此实质上形成了围绕LED管芯的平坦反射层。虽然该层被透光构件覆盖，但本领域技术人员可以认识到其同样起到反射光的作用，且结构特征与目标专利的反射层类似。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征H**：其中，所述底部填充材料已经从所述生长衬底上方以及从所述生长衬底的侧表面上被蚀刻掉<br>**未公开** | 对比文件未记载蚀刻底部填充材料以暴露生长衬底的相关内容。 | 对比文件没有涉及对覆盖构件进行蚀刻来去除生长衬底上方材料的步骤，也没有描述生长衬底侧表面被暴露的情况。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I**：从而允许所述生长衬底的去除；并且中，所述生长衬底已被去除<br>**未公开** | 对比文件在“Light Emitting Element Structure”部分记载：“Removal of the growth substrate can be carried out, for example, by grinding and LLO (Laser Lift Off)”（生长衬底的去除可以通过例如研磨和LLO（激光剥离）进行）。 | 对比文件虽然公开了生长衬底可以被去除，但该去除并未与底部填充材料的蚀刻步骤相关联，而特征I明确限定“从而允许所述生长衬底的去除”依赖于蚀刻步骤。由于特征H未公开，特征I的整体技术方案未被公开。生长衬底已被去除本身虽被公开，但缺少前提条件，故不构成公开。 |
| **技术特征J**：其中所述底部填充材料包括灌注有TiO2的硅树脂<br>**《直接公开》** | 对比文件在“Covering Member/Sealing Member”部分记载：“The sealing member 26 contains the light reflective material 2 in the resin... the sealing member 26 is preferably made of a silicone resin”（密封构件26在树脂中含有光反射材料2……密封构件26优选由硅树脂制成）。该光反射材料包括TiO2（TiO2, ZrO2, ...）。另在实施例1中记载：“the sealing member 26 is a silicone resin containing TiO2 particles”（密封构件26是含有TiO2颗粒的硅树脂）。 | 对比文件明确公开了密封构件（相当于底部填充材料）由灌注有TiO2颗粒的硅树脂构成，与技术特征J的材料组成完全相同，因此直接公开。 |
| **技术特征K**：其中TiO2包括按重量计超过5%的底部填充材料<br>**《直接公开》** | 对比文件在“Thickness and Reflecting Performance”部分记载：“the content of the light reflective material in the silicone resin may be 20 wt% or more and 30 wt% or less”（硅树脂中光反射材料的含量可为20重量%以上、30重量%以下）。另记载：“the content concentration thereof to preferably 30 wt% or more”（其含量浓度优选为30重量%以上）。 | 对比文件公开了TiO2在硅树脂中的含量为20重量%以上，明显超过5%，因此直接公开了TiO2含量超过5%的技术特征。 |
| **技术特征L**：还包括在LED管芯上的磷光体层<br>**《直接公开》** | 对比文件在“Light Transmission Member”部分记载：“The light transmitting member 15 is constituted by a wavelength converting member capable of converting at least a part of the light emitted from the light emitting element 10”（透光构件15由能够对从发光元件10射出的光的至少一部分进行波长转换的波长转换构件构成）。在实施例3中记载：“the light transmitting member 15 is made of an inorganic material, specifically, a sintered body of YAG”（透光构件15由无机材料、具体为YAG烧结体形成）。 | 对比文件中的透光构件15包含磷光体（如YAG），直接位于发光元件10的上方，相当于在LED管芯上设置了磷光体层，因此直接公开。 |
| **技术特征M**：该磷光体层具有在反射层之上延伸的表面<br>**未公开** | 对比文件图1显示透光构件15（磷光体层）的光出射面15a与密封构件26（反射层）的表面齐平，未延伸超过密封构件。在“Covered Region”部分记载：“the outer surface of the sealing member 26 is formed so as to follow the surface shape of the light emitting surface 15a”（密封构件26的外表面形成为沿着光出射面15a的表面形状），即两者齐平。 | 对比文件中的磷光体层表面与反射层表面齐平，没有在反射层之上延伸。因此，技术特征M未被公开。 |
| **技术特征N**：其中，所述反射层延伸至底座的边缘<br>**未公开** | 对比文件图1显示密封构件26仅覆盖基板9中央区域，未延伸至边缘。在第四实施例中，密封构件26b形成在基板边缘外侧，但未明确覆盖整个基板表面。 | 对比文件没有公开反射层（密封构件）延伸至底座（基板）边缘的布局。通常，密封构件只覆盖必要的区域，不延伸至基板边缘，因此该技术特征未被公开。 |
| **技术特征O**：其中，LED管芯与底座之间的底部填充材料的厚度小于反射层的厚度<br>**未公开** | 对比文件未记载有关底部填充材料在管芯与底座之间的厚度与反射层厚度之间的比较关系。 | 对比文件没有涉及任何厚度比较，因此技术特征O未被公开。 |
| **技术特征P**：其中，反射层的厚度大于30微米<br>**《隐含公开》** | 对比文件在“Thickness and Reflecting Performance”部分记载：“it is sufficient if it is about 20 μm or more”（厚度为20μm以上就足够）。在具体示例中，旋转2000rpm时厚度为70μm。 | 对比文件公开了反射层（密封构件）的厚度可以在20μm以上，并给出了70μm的示例。本领域技术人员根据对比文件的教导，可以合理选择大于30μm的厚度来获得良好反射性能，因此该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征Q**：其中，反射层对可见光的反射率大于80%<br>**《直接公开》** | 对比文件在“Thickness and Reflecting Performance”部分记载：“the reflectance is 94% to 89%”（反射率为94%～89%）。另外记载：“the reflectance of the covering member is 94% or more”（覆盖构件的反射率为94%以上）。 | 对比文件明确公开了反射层的反射率可达89%以上，大于80%，因此直接公开。 |
| **技术特征R**：其中，所述底部填充材料包括灌注有反射颗粒的硅树脂<br>**《直接公开》** | 对比文件在“Covering Member/Sealing Member”部分记载：“The sealing member 26 contains the light reflective material 2 in the resin... the sealing member 26 is preferably made of a silicone resin”（密封构件26在树脂中含有光反射材料2……密封构件26优选由硅树脂制成）。该反射材料包括TiO2、ZrO2等颗粒。 | 与特征J类似，对比文件直接公开了密封构件（相当于底部填充材料）包含灌注有反射颗粒的硅树脂，因此直接公开。 |
| **技术特征S**：还包括在LED管芯和反射层的一部分上模制的透明透镜<br>**未公开** | 对比文件未提及任何透镜结构或模制透镜的步骤。 | 对比文件没有任何关于透明透镜的记载，因此技术特征S未被公开。 |
| **技术特征T**：其中，使用激光剥离工艺去除所述生长衬底。<br>**《直接公开》** | 对比文件在“Light Emitting Element Structure”部分记载：“Removal of the growth substrate can be carried out, for example, by grinding and LLO (Laser Lift Off)”（生长衬底的去除可以通过例如研磨和LLO（激光剥离）进行）。 | 对比文件明确公开了可以使用激光剥离（LLO）工艺去除生长衬底，与技术特征T完全相同，因此直接公开。 |
| **技术特征U**：还包括在LED管芯上模制磷光体层<br>**未公开** | 对比文件在实施例3中记载：“the light transmitting member 15 is made of an inorganic material, specifically, a sintered body of YAG”（透光构件15由YAG烧结体形成）。该透光构件是预先形成的板状体，通过粘合剂粘附到发光元件上，而非通过模制工艺直接形成在LED管芯上。 | 对比文件中的磷光体层（透光构件）是预先制造并粘附的，没有公开在LED管芯上直接模制磷光体层的工艺，因此技术特征U未被公开。 |
| **技术特征V**：其中，磷光体层的顶表面在反射层的顶表面之上延伸。<br>**未公开** | 对比文件图1显示透光构件15（磷光体层）的顶表面（光出射面15a）与密封构件26（反射层）的顶表面齐平，未在其上延伸。在“Covered Region”部分记载：“the outer surface of the sealing member 26 is formed so as to follow the surface shape of the light emitting surface 15a”（密封构件26的外表面形成为沿着光出射面15a的表面形状）。 | 与特征M类似，对比文件中的磷光体层顶表面与反射层顶表面齐平，没有向上延伸，因此技术特征V未被公开。 |
| **技术特征W**：其中，所述底部填充材料包括灌注有TiO2的硅树脂<br>**《直接公开》** | 同特征J，对比文件在“Covering Member/Sealing Member”部分记载：“the sealing member 26 is a silicone resin containing TiO2 particles”（密封构件26是含有TiO2颗粒的硅树脂）。 | 与特征J相同，直接公开。 |
| **技术特征X**：反射层对可见光的反射率大于80%。<br>**《直接公开》** | 同特征Q，对比文件在“Thickness and Reflecting Performance”部分记载：“the reflectance is 94% to 89%”（反射率为94%～89%）。 | 与特征Q相同，直接公开。 |
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