对比文件名称：2007-04-19_JP2007103978A_发明专利_JP2007103978A Solid state element device
目标专利名称：1283用于LED的反射基底CN102549783B
本次调用的模型名称：无（指定模型）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 特征A：包括发光二极管（LED）管芯《直接公开》 | 对比文件第1实施方式：“フリップチップ型のＧａＮ系ＬＥＤ素子２”（图1(a)说明） | 对比文件直接公开了LED管芯（GaN系LED素子2），因此特征A被直接公开。 |
| 特征B：所述LED管芯包括在生长衬底上外延生长的半导体层《直接公开》 | 对比文件图1(b)说明：“サファイア（Ａｌ２Ｏ３）からなる基板２０の表面に、バッファ層２１、ｎ型層２２、発光する層を含む層２３、ｐ型層２４を順次結晶成長させる” | 对比文件直接公开了LED管芯的半导体层在蓝宝石生长衬底上外延生长形成，因此特征B被直接公开。 |
| 特征C：其上安装有所述LED管芯的底座《直接公开》 | 对比文件第1实施方式：“ガラス含有Ａｌ２Ｏ３基板３” | 对比文件直接公开了安装LED管芯的底座（玻璃含有Al2O3基板），因此特征C被直接公开。 |
| 特征D：在LED管芯与底座之间存在间隙《直接公开》 | 对比文件第1实施方式：“Ａｕスタッドバンプ５によって電気的に接合” | 对比文件通过Au stud bump实现倒装连接，从而在LED管芯与底座之间形成间隙，因此特征D被直接公开。 |
| 特征E：在LED管芯上模制的电绝缘底部填充材料《不公开》 | 对比文件第1变形式样（图2）：“白色系のアンダーフィル７”（白色系underfill） | 对比文件公开了电绝缘的底部填充材料（underfill），但该underfill是通过“ポッティング”（滴注）形成，并非通过“模制”（注射模制或压缩模制）工艺。且其仅局部填充在电极周围，未覆盖整个LED管芯下方。因此特征E未被公开。 |
| 特征F：所述底部填充材料被蚀刻从而保留在所述LED管芯与所述底座之间以及在所述半导体层侧面上《不公开》 | 对比文件无相关蚀刻步骤 | 对比文件未公开任何蚀刻工艺以去除部分底部填充材料并保留特定部分，因此特征F未被公开。 |
| 特征G：该底部填充材料还在底座的表面上形成围绕LED管芯的基本上平坦的反射层《不公开》 | 对比文件无相关反射层 | 对比文件中的underfill仅填充在LED管芯与底座之间的间隙中，并未在底座表面形成连续的平坦反射层，因此特征G未被公开。 |
| 特征H：其中，所述底部填充材料已经从所述生长衬底上方以及从所述生长衬底的侧表面上被蚀刻掉《不公开》 | 对比文件无相关蚀刻 | 对比文件未公开任何蚀刻步骤以去除生长衬底上方和侧表面的底部填充材料，因此特征H未被公开。 |
| 特征I：从而允许所述生长衬底的去除；并且，所述生长衬底已被去除《不公开》 | 对比文件未去除生长衬底 | 对比文件中的LED管芯保留有蓝宝石生长衬底，未涉及去除生长衬底的步骤或结构，因此特征I未被公开。 |
| 特征J：其中所述底部填充材料包括灌注有TiO2的硅树脂《不公开》 | 对比文件第1变形式样：“ボロンナイトライド（ＢＮ）等の光反射性の良好な充填材” | 对比文件公开的底部填充材料包含BN等反射填料，并非TiO2，且基体材料未明确为硅树脂，因此特征J未被公开。 |
| 特征K：其中TiO2包括按重量计超过5%的底部填充材料《不公开》 | 对比文件无相关比例 | 对比文件未公开TiO2及其含量，因此特征K未被公开。 |
| 特征L：还包括在LED管芯上的磷光体层《直接公开》 | 对比文件第2变形式样（图10）：“ＧａＮ系ＬＥＤ素子２の周囲全体を覆うように蛍光体を含有した蛍光体層１５で覆って構成” | 对比文件直接公开了在LED管芯上设置荧光体层（磷光体层），因此特征L被直接公开。 |
| 特征M：该磷光体层具有在反射层之上延伸的表面《不公开》 | 对比文件无反射层 | 对比文件未公开反射层，因此无法确定磷光体层与反射层的相对位置关系，特征M未被公开。 |
| 特征N：其中，所述反射层延伸至底座的边缘《不公开》 | 对比文件无反射层 | 对比文件未公开反射层，因此特征N未被公开。 |
| 特征O：其中，LED管芯与底座之间的底部填充材料的厚度小于反射层的厚度《不公开》 | 对比文件无相关厚度关系 | 对比文件未公开底部填充材料与反射层（实为同一材料）的厚度比较，特征O未被公开。 |
| 特征P：其中，反射层的厚度大于30微米《不公开》 | 对比文件无相关厚度 | 对比文件未公开任何反射层厚度数值，特征P未被公开。 |
| 特征Q：其中，反射层对可见光的反射率大于80%《不公开》 | 对比文件无反射率数据 | 对比文件未公开反射层的反射率，特征Q未被公开。 |
| 特征R：其中，所述底部填充材料包括灌注有反射颗粒的硅树脂《隐含公开》 | 对比文件第1变形式样：“白色系のアンダーフィル７…ボロンナイトライド（ＢＮ）等の光反射性の良好な充填材を用いる” | 对比文件公开了底部填充材料包含反射颗粒（BN等），但未明确基体材料。本领域公知底部填充材料常用硅树脂，且对比文件未排除硅树脂的使用。因此，本领域技术人员可以合理推断底部填充材料包括灌注有反射颗粒的硅树脂，故特征R被隐含公开。 |
| 特征S：还包括在LED管芯和反射层的一部分上模制的透明透镜《不公开》 | 对比文件第4变形式样（图4）：エポキシ樹脂からなるモールド部９（半球状光学形状面） | 对比文件公开了透明透镜（树脂模制部），但该透镜模制在整个装置上，且对比文件未公开反射层。由于缺少反射层，特征S中“在反射层的一部分上模制”的条件不成立，故特征S未被公开。 |
| 特征T：其中，使用激光剥离工艺去除所述生长衬底《不公开》 | 对比文件无激光剥离工艺 | 对比文件未涉及任何激光剥离工艺，因此特征T未被公开。 |
| 特征U：还包括在LED管芯上模制磷光体层《隐含公开》 | 对比文件第2变形式样（图10）：蛍光体を含有した蛍光体層１５ | 对比文件公开了在LED管芯上设置荧光体层，但未明确其形成工艺（如涂覆、模制等）。然而，模制是形成磷光体层的常见工艺，且对比文件在其他部分（如透镜形成）使用了模制工艺。因此，本领域技术人员可以合理推断该荧光体层可通过模制形成，故特征U被隐含公开。 |
| 特征V：其中，磷光体层的顶表面在反射层的顶表面之上延伸《不公开》 | 对比文件无反射层 | 对比文件未公开反射层，无法确定磷光体层与反射层的相对位置，特征V未被公开。 |
| 特征W：其中，所述底部填充材料包括灌注有TiO2的硅树脂《不公开》 | 同特征J | 同特征J，对比文件未公开TiO2硅树脂，故特征W未被公开。 |
| 特征X：反射层对可见光的反射率大于80%《不公开》 | 同特征Q | 同特征Q，对比文件未公开反射率，故特征X未被公开。 |
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