对比文件名称：2009-04-21_US7521862B_发明授权_US07521862B2 Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material
目标专利名称：1283用于LED的反射基底CN102549783B
本次调用的模型名称：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光二极管（LED）管芯（直接公开） | [0018]：“III族氮化物半导体结构包括位于n型区和p型区之间的发光区31，该结构在生长衬底（未示出）上生长。” | 对比文件明确公开了III族氮化物半导体结构，其即为LED管芯，因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：所述LED管芯包括在生长衬底上外延生长的半导体层（直接公开） | [0018]：“III族氮化物半导体结构包括位于n型区和p型区之间的发光区31，该结构在生长衬底（未示出）上生长。” | 对比文件直接公开了半导体结构在生长衬底上外延生长，因此技术特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：其上安装有所述LED管芯的底座（直接公开） | [0018]：“半导体结构12通过p和n互连42和41电连接和物理连接到底座43，互连可以是例如焊料或金互连。” | 对比文件明确公开了底座（mount 43），半导体结构（LED管芯）安装于其上，因此技术特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：在LED管芯与底座之间存在间隙（直接公开） | [0019]：“底部填充材料37可以注入在半导体结构12和底座43之间的任何空隙中。” | 对比文件明确提到存在空隙（spaces），即间隙，因此技术特征D被直接公开。 |
| 技术特征E：在LED管芯上模制的电绝缘底部填充材料（直接公开） | [0019]：“底部填充材料37可以注入在半导体结构12和底座43之间的任何空隙中。” | 对比文件公开了通过注入（injected）方式形成底部填充材料，注入属于模制的一种（注射模制），且底部填充材料通常为电绝缘材料，因此技术特征E被直接公开。 |
| 技术特征F：所述底部填充材料被蚀刻从而保留在所述LED管芯与所述底座之间以及在所述半导体层侧面上（隐含公开） | [0019]：“底部填充材料37可以形成为使得侧壁37沿半导体结构12的边缘延伸甚至超过边缘。” | 对比文件公开了底部填充材料保留在半导体结构（LED管芯）与底座之间（通过注入填充间隙）以及形成侧壁沿半导体结构侧面延伸。虽然未明确蚀刻步骤，但本领域技术人员为了实现所需侧壁形状，可以合理推断采用蚀刻工艺去除多余材料，从而保留在间隙和侧面。因此，该特征被隐含公开。 |
| 技术特征G：该底部填充材料还在底座的表面上形成围绕LED管芯的基本上平坦的反射层（未公开） | 对比文件未公开相关特征。 | 对比文件底部填充材料37仅用于支撑，未提及具有反射性质或形成反射层，因此技术特征G未被公开。 |
| 技术特征H：其中，所述底部填充材料已经从所述生长衬底上方以及从所述生长衬底的侧表面上被蚀刻掉（未公开） | 对比文件未公开相关特征。 | 对比文件没有描述底部填充材料覆盖在生长衬底上或需要蚀刻掉，因此技术特征H未被公开。 |
| 技术特征I：从而允许所述生长衬底的去除；并且中，所述生长衬底已被去除（直接公开） | [0019]：“底部填充材料37支撑半导体结构12以防止或减少由去除生长衬底引起的开裂或其他损坏。去除生长衬底后，半导体结构12的顶表面暴露出来。” | 对比文件明确公开了去除生长衬底，且底部填充材料提供支撑从而允许去除，因此技术特征I被直接公开。 |
| 技术特征J：其中所述底部填充材料包括灌注有TiO2的硅树脂（未公开） | 对比文件[0022]提到透明材料36中包含氧化钛（oxides of titanium）作为散射颗粒，但未提及底部填充材料包含TiO2。 | 对比文件仅公开了透明材料36中含有TiO2，底部填充材料37未提及含有TiO2或硅树脂，因此技术特征J未被公开。 |
| 技术特征K：其中TiO2包括按重量计超过5%的底部填充材料（未公开） | 对比文件未公开底部填充材料中TiO2的含量。 | 对比文件没有公开底部填充材料中TiO2的重量百分比，因此技术特征K未被公开。 |
| 技术特征L：还包括在LED管芯上的磷光体层（直接公开） | [0020]：“发光陶瓷30附着在半导体结构12的顶表面上。透明材料36层设置在半导体结构12和发光陶瓷30之间。” | 发光陶瓷30包含波长转换材料（磷光体），置于LED管芯上，因此技术特征L被直接公开。 |
| 技术特征M：该磷光体层具有在反射层之上延伸的表面（未公开） | 对比文件未公开反射层。 | 对比文件没有反射层，因此无法比较磷光体层与反射层的位置关系，技术特征M未被公开。 |
| 技术特征N：其中，所述反射层延伸至底座的边缘（未公开） | 对比文件未公开反射层。 | 对比文件没有反射层，因此技术特征N未被公开。 |
| 技术特征O：其中，LED管芯与底座之间的底部填充材料的厚度小于反射层的厚度（未公开） | 对比文件未公开反射层厚度及比较关系。 | 对比文件没有反射层，也未提及厚度比较，因此技术特征O未被公开。 |
| 技术特征P：其中，反射层的厚度大于30微米（未公开） | 对比文件未公开反射层厚度。 | 对比文件没有反射层，因此技术特征P未被公开。 |
| 技术特征Q：其中，反射层对可见光的反射率大于80%（未公开） | 对比文件未公开反射层反射率。 | 对比文件没有反射层，因此技术特征Q未被公开。 |
| 技术特征R：其中，所述底部填充材料包括灌注有反射颗粒的硅树脂（未公开） | 对比文件未公开底部填充材料含有反射颗粒。 | 对比文件底部填充材料37未提及反射颗粒，透明材料36中的散射颗粒不用于底部填充材料，因此技术特征R未被公开。 |
| 技术特征S：还包括在LED管芯和反射层的一部分上模制的透明透镜（未公开） | [0031]：“可以添加盖108，其可以是光学透镜。” | 对比文件中的透镜是可选盖体，并非模制在LED管芯和反射层上，且对比文件没有反射层，因此技术特征S未被公开。 |
| 技术特征T：其中，使用激光剥离工艺去除所述生长衬底（隐含公开） | [0019]：“去除生长衬底后，半导体结构12的顶表面暴露出来。” | 对比文件公开了去除生长衬底，但未指明具体工艺。对于III族氮化物LED，激光剥离是去除生长衬底的常用方法，本领域技术人员可以合理推断使用激光剥离工艺，因此技术特征T被隐含公开。 |
| 技术特征U：还包括在LED管芯上模制磷光体层（未公开） | [0020]：“发光陶瓷30附着在半导体结构12的顶表面上。” | 对比文件中的发光陶瓷是预制的陶瓷片，并非通过模制直接形成在LED管芯上，因此技术特征U未被公开。 |
| 技术特征V：其中，磷光体层的顶表面在反射层的顶表面之上延伸（未公开） | 对比文件未公开反射层。 | 对比文件没有反射层，因此技术特征V未被公开。 |
| 技术特征W：其中，所述底部填充材料包括灌注有TiO2的硅树脂（未公开） | 同技术特征J，对比文件未公开底部填充材料含有TiO2。 | 对比文件没有公开底部填充材料含有TiO2，因此技术特征W未被公开。 |
| 技术特征X：反射层对可见光的反射率大于80%（未公开） | 同技术特征Q，对比文件未公开反射层反射率。 | 对比文件没有反射层，因此技术特征X未被公开。 |
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