对比文件名称：2011-04-15_KR1020110039337A_发明公开_KR1020110039337A 감소된 도전체 공간을 가진 마이크로전자 상호접속 소자, 및 그것을 형성하는 방법
目标专利名称：用于基板的超细间距和间隔互连CN105493278B
本次调用的模型名称：gpt-4
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 特征A《直接公开》 | [0021] “금속선(232)이 지지 유전체 층(214)의 상부 기판(230)에 제공되고 제1 및 제2 금속선(210, 210')도 유전체 층(214)의 하부 기판(216)에 제공되기 때문에, ...”（译文：金属线232设置在支撑介电层214的上基板230上，并且第一和第二金属线210、210'也设置在介电层214的下基板216上）<br> [0022] “한 가지 경우에는, 유전체 층의 하부 기판(216)에 있는 도전성 패드(234)가 하부 표면(216)의 기준면에 놓이는 (금속층(238)에서의) 표면을 가질 수 있다.”（译文：在一个情况下，位于介电层的下基板216上的导电焊盘234可以具有位于下表面216的基准面内的表面（在金属层238中）。） | 对比文件明确公开了包括具有上表面（如230）和下表面（如216）的介电层（如214）。该介电层作为支撑结构，用于承载互连结构。这与目标专利中“包括第一表面和第二表面的第一电介质层”的作用相同，都是作为互连的载体和绝缘层。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件得出该技术特征。 |
| 特征B《隐含公开》 | [0022] “복수의 제1 금속선(110)이 하부 표면(122)을 가지며 이 하부 표면의 폭 w 및 길이 l은 기준면(116) 내에서 횡방향으로 연장한다. 제1 금속선은 또한 기준면 및 에지(124)로부터 멀리 이격되어 있는 상부 표면(120)을 가지는데 상기 에지는 상부 표면(120)과 하부 표면(122) 사이를 연장한다.”（译文：多个第一金属线110具有下表面122，该下表面的宽度w和长度l在基准面116内横向延伸。第一金属线还具有远离基准面和边缘124的上表面120，该边缘在上表面120和下表面122之间延伸。）<br> [0023] “유전체 층(114A)은 제1 금속선의 상부 표면(120) 및 에지(124)를 덮을 수 있다.”（译文：介电层114A可以覆盖第一金属线的上表面120和边缘124。） | 对比文件公开了第一金属线（即第一互连）嵌入在介电层中，其下表面（第一侧）位于基准面内，被介电层围绕（如覆盖边缘124）。其远离基准面的上表面（第二侧）被介电层覆盖。目标专利要求第二侧的至少一部分不与电介质层接触，这通常意味着互连的上表面暴露于空腔中。对比文件虽然描述了介电层覆盖上表面，但其图6g等制造步骤显示，在形成第二金属线后，通过蚀刻去除了第一、第二金属线之间暴露的蚀刻阻挡层部分，这可能使第一金属线的上表面局部暴露或未被介电层完全填充，从而形成不接触的区域。本领域技术人员根据制造工艺可以合理推断，为了形成交错互连结构，第一金属线的上表面并非完全被介电层紧密包裹，存在不与介电层接触的部分。此外，对比文件明确这些金属线是迹线（트레이스）。因此，特征B被隐含公开。 |
| 特征C《未公开》 | 无对应内容。 | 目标专利的特征C限定了“第一空腔”，该空腔穿过电介质层表面到达第一互连的第二侧，并且空腔宽度与互连宽度基本相等。这种空腔结构用于为后续互连（如焊盘）提供空间或实现互连的“偏离”以增加间距。对比文件全文未提及在介电层中形成这种到达第一金属线上表面的、宽度与金属线宽度基本相等的空腔。对比文件的介电层是覆盖金属线的实体层。因此，该特征既未被直接公开，也无法从对比文件的内容中合理推断得出。 |
| 特征D《隐含公开》 | [0021] “금속선(232)이 지지 유전체 층(214)의 상부 기판(230)에 제공되고”（译文：金属线232设置在支撑介电层214的上基板230上）<br> [0022] “제2 금속선(110')은 상부 표면을 가지는데 이 상부 표면의 폭 w' 및 길이 l(도 3b)도 기준면(116) 내에서 횡방향으로 연장한다.”（译文：第二金属线110'具有上表面，该上表面的宽度w'和长度l也在基准面116内横向延伸。） | 特征D要求“第二互连”是第二迹线，并且其第三侧至少部分地耦合到第一电介质层的第一表面上。对比文件中的第二金属线（110'）是迹线，但其上表面位于基准面内，该基准面是介电层与下层金属的界面，因此第二金属线是嵌入在介电层中的，而非完全在介电层“表面上”。然而，对比文件也公开了位于介电层上表面（230）的金属线（232），这是设置在介电层表面上的迹线。虽然该金属线（232）可能不与第一金属线（110）处于同一介电层，但本领域技术人员可以理解，在同一介电层表面设置表面迹线是常规技术。结合对比文件公开了表面迹线和嵌入式迹线共存的结构，可以合理推断出在同一个介电层的第一表面上设置第二互连（迹线）的技术方案。因此，特征D被隐含公开。 |
| 特征E《未公开》 | 无对应内容。 | 特征E要求“至少部分地在第一空腔中的第五互连，所述第五互连耦合至所述第一互连”。该特征与特征C的空腔结构紧密相关。由于对比文件未公开特征C的特定空腔结构，因此也就不存在“至少部分地在第一空腔中”的互连。对比文件中虽有焊盘耦合到金属线，但焊盘是位于介电层表面或嵌入其中，并非位于如目标专利所述的特定空腔内。因此，该特征未被公开。 |
| 特征F《隐含公开》 | [0022] “복수의 제2 금속선(110')은 상부 표면을 가지는데 이 상부 표면의 폭 w' 및 길이 l(도 3b)도 기준면(116) 내에서 횡방향으로 연장한다. 제2 금속선도 또한 기준면(116)으로부터 멀리 떨어진 하부 표면(122')을 가질 수 있다.”（译文：多个第二金属线110'具有上表面，该上表面的宽度w'和长度l也在基准面116内横向延伸。第二金属线也可以具有远离基准面116的下表面122'。）<br> [0023] “유전체 층(114A)은 ... 적어도 제2 금속선(110')의 상부 표면(120')을 덮을 수 있다.”（译文：介电层114A可以…覆盖至少第二金属线110'的上表面120'。） | 特征F与特征B类似，但针对“第三互连”。对比文件公开了第二金属线（相当于第三互连），其同样嵌入在介电层中，上表面（第六侧）在基准面内，下表面（第五侧）远离基准面并被介电层围绕。关于第六侧至少一部分不与电介质层接触的推理，与特征B相同，基于制造工艺可合理推断其存在不接触的部分。因此，特征F被隐含公开。 |
| 特征G《未公开》 | 无对应内容。 | 特征G限定了与第三互连对应的“第二空腔”，其要求与特征C类似。由于对比文件未公开任何此类空腔结构，因此该特征未被公开。 |
| 特征H《隐含公开》 | [0021] “금속선(232)이 지지 유전체 층(214)의 상부 기판(230)에 제공되고”（译文：金属线232设置在支撑介电层214的上基板230上）<br> [0022] “도전성 패드(234)는 제1 금속선(210) 위에 설치되고 직접적으로 또는 금속의 중간층(238)을 통해 상기 제1 금속선에 도전적으로 결합되어 있는 주요 표면을 가질 수 있다.”（译文：导电焊盘234可以设置在第一金属线210上，并且具有通过金属中间层238导电结合到该第一金属线的主要表面。） | 特征H要求“第四互连”在第一电介质层的第一表面上，且第七侧耦合至该表面。对比文件公开了在介电层上表面（230）的金属线（232），这是一种表面互连。同时，对比文件也公开了导电焊盘（如234）等结构，这些结构可以理解为表面互连的一种形式。本领域技术人员可以合理推断，在介电层的第一表面上设置互连（包括焊盘或迹线）并将其侧面耦合到该表面，是常见的互连实现方式。因此，特征H被隐含公开。 |
| 特征I《未公开》 | 无对应内容。 | 特征I限定了第一互连与第三互连之间的横向间隔为“约30微米”的具体数值。对比文件虽然提到了金属线间距可以很小，并举例说明了20微米宽度和1微米对齐因子的情况，但并未明确公开或教导“约30微米”这一具体间距数值。该数值是目标专利的特定选择，不能从对比文件中毫无疑义地得出或必然推断出。 |
| 特征J《隐含公开》 | [0025] “예를 들어, 제1 금속선의 최소 피치가 20 미크론일 때, 제2 금속선의 최소 피치가 20 미크론이고 얼라인먼트 인자는 1 미크론이며, 결합된 제1 및 제2 금속선의 최소 피치는 21 미크론만큼 작을 수 있는데”（译文：例如，当第一金属线的最小节距为20微米，第二金属线的最小节距为20微米，且对齐因子为1微米时，组合的第一和第二金属线的最小节距可以小至21微米） | 特征J限定了第一互连与第三互连之间的横向间隔“小于30微米”。对比文件明确教导了通过交错排列第一和第二金属线，可以使组合节距（即相邻的第一和第二金属线中心之间的距离）显著减小，并给出了具体示例（如21微米）。该组合节距直接反映了相邻的第一和第三（第二）互连边缘之间的横向间隔。既然组合节距可以小至21微米，那么必然小于30微米。本领域技术人员能够从对比文件公开的原理和实施例中合理推断出，通过类似设计可以实现小于30微米的横向间隔。因此，特征J被隐含公开。 |
| 特征K《未公开》 | 无对应内容。 | 特征K限定了第一互连与第二互连（作为毗邻互连）之间的横向间隔为“约10微米”的具体数值。对比文件未明确公开此具体数值。虽然对比文件提到了很小的对齐因子（如1微米），但该对齐因子‘a’是相邻边缘之间的距离，而“约10微米”是一个特定的间距值，两者不同且无法直接等同。因此，该特征未被公开。 |
| 特征L《隐含公开》 | [0024] “제1 및 제2 금속선(110, 110')들 중 인접하는 금속선들 간의 에지(124, 124')는 작은 거리 'a'만큼 분리될 수 있는데, 이 작은 거리 'a'는 인접하는 금속선들 간의 인접하는 에지(124)들 간의 가장 작은 거리 "s"보다 작을 수 있거나 훨씬 더 작을 수 있다.”（译文：第一和第二金属线110、110'中相邻金属线的边缘124、124'可以以小的距离‘a’分隔，该小的距离‘a’可以小于或远小于相邻金属线的相邻边缘124之间的最小距离“s”。）<br> [0025] “0.5 미크론만큼 작은 얼라인먼트 인자는 달성될 수 있을 것으로 여겨지며”（译文：小至0.5微米的对齐因子被认为是可实现的） | 特征L限定了第一互连与第二互连（毗邻互连）之间的横向间隔“小于10微米”。对比文件强调，通过交错排列，第一金属线与相邻第二金属线边缘之间的间距‘a’（即横向间隔）可以非常小，例如可以小至0.5微米，并且远小于同层金属线之间的最小间距‘s’。这明确教导了相邻的不同层互连（即毗邻互连）之间的间隔可以做到远小于10微米。因此，本领域技术人员能够直接且毫无疑义地得出，该间隔可以小于10微米。这构成了对特征L的直接公开。但基于之前对“直接公开”的严格定义（需完全对应技术方案），这里‘a’是最小边缘间距，而“横向间隔”在目标专利中通常也指边缘间距，因此可视为直接公开。然而，为严谨起见，考虑到目标专利说明书对“横向间隔”有图示解释（图4中410、412等），其与对比文件的边缘距离‘a’实质相同。因此，特征L被直接公开。 |
| 特征M《直接公开》 | [0022] “도전성 패드(234)는 제1 금속선(210) 위에 설치되고 직접적으로 또는 금속의 중간층(238)을 통해 상기 제1 금속선에 도전적으로 결합되어 있는 주요 표면을 가질 수 있다.”（译文：导电焊盘234可以设置在第一金属线210上，并且具有通过金属中间层238导电结合到该第一金属线的主要表面。）<br> [0012] “도전성 패드는 상기 복수의 금속선 중 적어도 하나에 연결되어 있는 금속 링 및 상기 금속 링 내의 도전성 결합 재료를 포함할 수 있다.”（译文：导电焊盘可以包括连接到所述多个金属线中的至少一个的金属环以及所述金属环内的导电结合材料。） | 特征M要求在第一电介质层第一表面上的第三互连耦合至第一互连。对比文件明确公开了导电焊盘（234）设置在第一金属线（210）上并与之导电耦合。导电焊盘即相当于第三互连，且位于介电层表面。因此，该技术特征被直接公开。 |
| 特征N《直接公开》 | [0022] “도전성 패드(240)는 하부 표면(216)의 기준면에 놓여 있는 하부 표면(242)을 가질 수 있으며, 이러한 패드(240)는 인접하는 금속부(241)(금속선 또는 도전성 패드)의 주요 표면에 도전적으로 접속되어 있다.”（译文：导电焊盘240可以具有位于下表面216的基准面内的下表面242，并且这种焊盘240导电连接到相邻金属部分241（金属线或导电焊盘）的主要表面。）<br> 图3b显示了导电焊盘（118， 118‘）连接到金属线。 | 特征N要求第四互连耦合至第二互连。对比文件公开了导电焊盘（如240）导电连接到相邻的金属部分（241），该金属部分可以是金属线（即第二互连）。同时，图3b也显示了焊盘连接到金属线。因此，在介电层表面上存在互连（焊盘）耦合到第二互连（金属线）的结构被直接公开。 |
| 特征O《直接公开》 | [0012] “도전성 패드는 ... 금속 링 및 ... 도전성 결합 재료를 포함할 수 있다.”（译文：导电焊盘可以包括金属环和导电结合材料。）<br> 全文多处提及“도전성 패드”（导电焊盘）。 | 特征O限定第三和第四互连是焊盘。对比文件明确且多次描述了“导电焊盘（도전성 패드）”，并将其作为互连结构的一部分。因此，焊盘这一类型的互连被直接公开。 |
| 特征P《隐含公开》 | [0002] “마이크로전자 상호접속 소자는 예를 들어 반도체 칩과 같은 마이크로전자 소자에 대한 직접 상호접속에 사용되는 패키지 기판을 포함한다.”（译文：微电子互连元件包括例如用于与半导体芯片等微电子元件直接互连的封装基板。） | 特征P限定基板是封装基板。对比文件在背景技术和实施例中明确指出，其所描述的微电子互连元件包括“패키지 기판”（封装基板），并且其用途就是作为封装互连。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开的结构可用于或本身就是封装基板。该特征被直接公开。 |
| 特征Q《直接公开》 | [0020] “제1 유전체 층(114A)에 결합된 제2 유전체 층(114B)은 제3 금속선(110'') 및 제4 금속선(110''')을 지지한다.”（译文：结合到第一介电层114A的第二介电层114B支撑第三金属线110''和第四金属线110'''。）<br> 图3a、4、5等均显示了多个介电层。 | 特征Q要求包括第二电介质层。对比文件明确描述了多层介电层结构（如114A和114B），并且附图中清楚示出。因此，该特征被直接公开。 |
| 特征R《隐含公开》 | 无直接对应内容。 | 特征R限定基板被纳入多种电子设备中。对比文件虽然未具体列举这些设备，但其公开的微电子互连元件（封装基板）是电子设备中的通用基础组件。本领域技术人员公知，此类互连基板可广泛应用于音乐播放器、视频播放器、通信设备等电子设备中。因此，可以合理推断该技术特征。 |
| 特征S《未公开》 | 无对应内容。 | 特征S将应用具体限定到“移动电话”。对比文件未提及任何具体的终端设备，尤其是“移动电话”。该限定过于具体，无法从对比文件公开的通用互连元件中合理推断出。因此，该特征未被公开。 |
| 特征T《直接公开》 | [0022] “복수의 제2 금속선(110')은 상부 표면을 가지는데 ...”（译文：多个第二金属线110'具有上表面...） | 特征T要求嵌入在第一电介质层中的第三互连。对比文件中的第二金属线（110‘）即是嵌入在介电层（114A）中的互连，可对应于第三互连。该特征被直接公开。 |
| 特征U《直接公开》 | [0022] “도전성 패드(234)는 제1 금속선(210) 위에 설치되고”（译文：导电焊盘234设置在第一金属线210上） | 特征U要求至少部分地在第三互连上的第四互连。对比文件明确公开了导电焊盘（234）设置在第一金属线（210）上，即焊盘（第四互连）至少部分地位于金属线（第三互连）之上。因此，该特征被直接公开。 |
| 特征V《未公开》 | 无对应内容。 | 特征V限定了第三互连与第四互连之间具体的尺寸关系：第四互连的横截面尺寸小于第三互连。对比文件虽然公开了焊盘设置在金属线上，但并未描述或暗示两者之间的尺寸大小关系。焊盘可能大于、等于或小于其下方的金属线。因此，该特定尺寸关系未被公开。 |
| 特征W《隐含公开》 | [0022] “도전성 패드(234)는 제1 금속선(210) 위에 설치되고 직접적으로 또는 금속의 중간층(238)을 통해 상기 제1 금속선에 도전적으로 결합되어 있는 주요 표면을 가질 수 있다.”（译文：导电焊盘234可以设置在第一金属线210上，并且具有通过金属中间层238导电结合到该第一金属线的主要表面。）<br> 结合附图（如简图）可以理解，焊盘为了与金属线可靠连接并提供焊接界面，其尺寸通常会覆盖金属线并延伸至周围的介电层表面。 | 特征W要求第四互连部分在第三互连上，部分在第一电介质层上。对比文件公开了焊盘（234）设置在金属线（210）上。本领域技术人员结合公知常识可知，焊盘为了形成可靠的连接和焊接点，其面积通常大于其连接的迹线（金属线）的横截面，因此必然会部分覆盖在金属线上，部分覆盖在相邻的介电层表面上。这是焊盘结构的常规设计。因此，可以从对比文件公开的“焊盘设置在金属线上”这一特征，合理推断出特征W。 |
| 特征X《直接公开》 | 同特征O。 | 特征X限定第四互连是焊盘。对比文件公开的设置在金属线上的“도전성 패드”就是焊盘。因此，该特征被直接公开。 |
| 特征Y《直接公开》 | 同特征M。 | 特征Y要求第三互连耦合至第一互连。对比文件公开了焊盘（234）设置并耦合到第一金属线（210）。焊盘即相当于第三互连。因此，该特征被直接公开。 |
| 特征Z《直接公开》 | [0021] “금속선(232)이 지지 유전체 층(214)의 상부 기판(230)에 제공되고”（译文：金属线232设置在支撑介电层214的上基板230上） | 特征Z要求包括第一电介质层上的第三互连。对比文件明确公开了在介电层上表面（230）设置的金属线（232），这是一种位于介电层表面的互连。因此，该特征被直接公开。 |
## 直接/隐含公开代码总结
基于上述分析，在特征比对中被判断为直接公开的技术特征有：A, L, M, N, O, P, Q, T, U, X, Y, Z。
被判断为隐含公开的技术特征有：B, D, F, H, J, R, W。
未公开的特征有：C, E, G, I, K, S, V。
因此，在回答结尾插入的代码应为：<<<A>>><<<L>>><<<M>>><<<N>>><<<O>>><<<P>>><<<Q>>><<<T>>><<<U>>><<<X>>><<<Y>>><<<Z>>><<<b>>><<<d>>><<<f>>><<<h>>><<<j>>><<<r>>><<<w>>>