**对比文件名称**：2003-05-27_US6570258B_发明授权_US06570258B2 Method for reducing capacitive coupling between conductive lines
**目标专利名称**：用于基板的超细间距和间隔互连CN105493278B
**模型名称**：DeepSeek-R1
根据对目标专利说明书和对比文件的详细分析，现创建特征比对表格如下：
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括第一表面和第二表面的第一电介质层<br>《直接公开》 | 对比文件说明书第[0014]段：<br>"First a substantially planar layer 10 is patterned..." 及图1-4。该层10是绝缘层，具有上表面。<br>（对应中文：首先，使用图案化材料11（例如光刻胶）对基本平坦的层10进行图案化并蚀刻，以在平坦层中形成多个沟槽12。） | 对比文件公开了“layer 10”（例如，绝缘材料如氧化物），其具有用于形成导电线路的表面。虽然未明确描述“第二表面”，但作为本领域技术人员，能毫无疑义地理解一个层状结构必然具有相对的两个表面。该层在对比文件中作为导电线路的支撑和隔离介质，与目标专利中作为互连载体的第一电介质层作用相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征B**：嵌入在所述第一电介质层中的第一互连，所述第一互连包括第一侧和第二侧，所述第一侧被所述第一电介质层围绕，其中所述第二侧的至少一部分不与所述第一电介质层接触，其中所述第一互连是第一迹线<br>《直接公开》 | 对比文件说明书第[0016]段及图3-4：<br>"...a plurality of conductive lines with a single conductive line 31 formed in each trench 12..." 及图4。<br>（对应中文：...形成多个导电线路，其中每个沟槽12中形成有一条导电线路31...） | 对比文件图4明确示出了导电线路31形成在层10的沟槽12内。线路31的底部和侧壁（第一侧）被层10的材料围绕，而顶部（第二侧）暴露，不与层10接触。该导电线路在半导体器件中用于互连（如存储器的位线），其作为导电路径的功能与目标专利中的“迹线”相同。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征C**：穿过所述第一电介质层的所述第一表面到达所述第一互连的所述第二侧的第一空腔，其中所述第一空腔具有与所述第一互连的互连宽度基本相等的空腔宽度<br>《直接公开》 | 对比文件说明书第[0014]段及图1-4：<br>"...etched to form a plurality of trenches 12 in the planar layer." 及图4。<br>（对应中文：...蚀刻以在平坦层中形成多个沟槽12。） | 对比文件中，在层10中蚀刻形成沟槽12（即空腔），然后部分填充以形成导电线路31。从图4可以看出，沟槽12的宽度与其中形成的导电线路31的宽度基本相同。该空腔（沟槽）穿过层10的表面到达线路31的顶部（第二侧）。其作用是容纳和定义嵌入式互连的位置，虽然目标专利中空腔的作用还包括为上方互连提供空间，但结构特征本身已被公开。 |
| **技术特征D**：以及包括第三侧和第四侧的第二互连，其中所述第三侧至少部分地耦合到所述第一电介质层的所述第一表面上，其中所述第二互连是第二迹线<br>《直接公开》 | 对比文件说明书第[0016]段及图3-4：<br>"...and conductive lines 32 formed on the surface of layer 10 where a major portion of each conductive line 32 protrudes above the surface of layer 10." 及图4。<br>（对应中文：...以及导电线路32形成在层10的表面上，其中每个导电线路32的主要部分突出于层10的表面之上。） | 对比文件图4明确示出了导电线路32位于层10的表面上。线路32的底部（第三侧）接触并耦合（即物理连接）到层10的表面，顶部（第四侧）暴露。该线路同样用于器件内的电连接，其作为“迹线”的功能与目标专利相同。因此被直接公开。 |
| **技术特征E**：以及至少部分地在所述第一空腔中的第五互连，所述第五互连耦合至所述第一互连。<br>《未公开》 | 对比文件未描述或图示在任何沟槽（空腔）内的导电线路31之上，还存在另一个与之耦合的互连（第五互连）。图4显示沟槽12在形成线路31后，其上方是空的。 | 目标专利的特征E限定了在第一空腔中存在另一个耦合至第一互连的第五互连（例如，焊盘或另一迹线）。对比文件完全没有揭示这种结构。对比文件的空腔（沟槽）仅用于容纳第一互连（线路31），其上方是开放的，没有设置额外的互连。该特征在对比文件中既未直接描述，也无法通过其内容合理推断得出。 |
| **技术特征F**：其特征在于，进一步包括：嵌入在所述第一电介质层中的第三互连，所述第三互连包括第五侧和第六侧，所述第五侧被所述第一电介质层围绕，其中所述第六侧的至少一部分不与所述第一电介质层接触<br>《直接公开》 | 对比文件说明书第[0016]段及图4：<br>"...leaving behind conductive lines 31 and 32 arranged in an alternating pattern." 图4显示了多个导电线路31。<br>（对应中文：...留下以交替图案排列的导电线路31和32。） | 对比文件图4展示了多个嵌入式导电线路31（例如，不止一个）。每个线路31都嵌入在层10的沟槽中，其侧壁和下表面被层10围绕，上表面暴露。因此，除了第一个嵌入式互连（特征B）外，还存在另一个或多个具有相同结构特征的嵌入式互连（第三互连）。这被直接公开。 |
| **技术特征G**：穿过所述第一电介质层的所述第一表面到达所述第三互连的所述第六侧的第二空腔，其中所述第二空腔具有与所述第三互连的第二互连宽度基本相等的第二空腔宽度<br>《直接公开》 | 同特征C的引用。对比文件中通过蚀刻形成了多个沟槽（空腔）12，每个对应一个嵌入式线路31。 | 由于对比文件公开了多个沟槽12（空腔），每个沟槽对应一个嵌入式线路31，且沟槽宽度与线路宽度基本相等（如图4所示）。因此，对应于“第三互连”的“第二空腔”及其宽度关系已被直接公开。 |
| **技术特征H**：以及所述第一电介质层的所述第一表面上的第四互连，所述第四互连包括第七侧和第八侧，其中所述第七侧耦合至所述第一电介质层的所述第一表面。<br>《直接公开》 | 同特征D的引用。对比文件图4展示了多个表面导电线路32。<br>（对应中文：...以及导电线路32形成在层10的表面上...） | 对比文件图4显示了多个位于层10表面的导电线路32。除了特征D中的“第二互连”外，还存在另一个或多个表面互连（第四互连），其底部（第七侧）耦合到层10表面。这被直接公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第一互连与所述第三互连之间的横向间隔约为30微米(μm)。<br>《未公开》 | 对比文件未提及任何互连之间的具体间距数值。 | 目标专利明确限定了约为30微米的特定横向间隔。对比文件虽然教导了交替排列互连以减少电容耦合，但完全没有公开任何具体的间距尺寸，尤其是30微米这个数值。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或必然推断出该具体数值。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述第一互连与所述第三互连之间的横向间隔小于为30微米(μm)。<br>《未公开》 | 对比文件未提及任何互连之间的具体间距数值。 | 同特征I。对比文件未公开任何具体的间距数值，包括“小于30微米”这个范围。虽然为了减小电容耦合，间距可能设计得较小，但无法从对比文件内容中合理且确定地推断出“小于30微米”这一具体上限。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述第一互连与所述第二互连之间的横向间隔约为10微米(μm)，其中所述第一互连和所述第二互连是毗邻互连。<br>《未公开》 | 对比文件未提及任何互连之间的具体间距数值。 | 目标专利限定了嵌入式互连与相邻表面互连之间约为10微米的特定横向间隔。对比文件完全没有公开任何具体的间距尺寸。无法从对比文件中得出该数值。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述第一互连与所述第二互连之间的横向间隔小于10微米(μm)，其中所述第一互连和所述第二互连是毗邻互连。<br>《未公开》 | 对比文件未提及任何互连之间的具体间距数值。 | 同特征K。对比文件未公开任何具体的间距数值，包括“小于10微米”这个范围。无法合理推断。 |
| **技术特征M**：其特征在于，进一步包括：所述第一电介质层的所述第一表面上的第三互连，所述第三互连耦合至所述第一互连<br>《未公开》 | 对比文件中未描述或图示表面上的互连（32）与嵌入在沟槽中的互连（31）之间存在电耦合连接。图4显示它们是交替排列但电气上独立的线路。 | 目标专利的特征M要求一个表面互连（第三互连）电耦合至一个嵌入式互连（第一互连）。对比文件中的表面线路32和嵌入式线路31是交替排列以减小电容耦合的平行导线，说明书和附图均未显示它们彼此之间存在直接的电气连接（耦合）。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征N**：以及所述第一电介质层的所述第一表面上的第四互连，所述第四互连耦合至所述第二互连。<br>《未公开》 | 同上。对比文件未描述表面互连与另一个表面互连之间的耦合关系。 | 目标专利的特征N要求另一个表面互连（第四互连）耦合至第二个表面互连（第二互连）。对比文件未描述任何表面互连之间的耦合关系。它们被描绘为独立的平行导线。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述第三互连和所述第四互连是焊盘。<br>《未公开》 | 对比文件中的互连（31, 32）均被描述为用于半导体器件内部互连的“conductive lines”或“digit lines”，例如存储器中的位线。未描述为用于外部连接的“焊盘”。 | 目标专利中的“焊盘”特指为不同材料互连（如焊球）提供耦合接口的互连形式。对比文件中的互连是器件内部的导电路径（迹线），功能和作用完全不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述基板是封装基板。<br>《未公开》 | 对比文件涉及“semiconductor device”和“semiconductor memory device”的内部互连结构，其层10是器件制造过程中的绝缘层。未提及“封装基板”。 | 目标专利明确要求基板是“封装基板”，用于承载和互连芯片等。对比文件涉及的是集成电路芯片内部的互连结构，属于不同的技术领域和应用层级。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，进一步包括第二电介质层。<br>《未公开》 | 对比文件的实施例（图1-8）仅示出和描述了一个绝缘层（layer 10或50）。未提及或显示额外的电介质层。 | 目标专利的特征Q要求包括第二电介质层，可能用于构建多层互连结构。对比文件仅公开了单层绝缘层结构，用于形成单层交替的导电线路。没有公开多层电介质。 |
| **技术特征R**：其特征在于，所述基板被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、和/或膝上型计算机。<br>《未公开》 | 对比文件未提及将其导电线路结构应用于任何具体的终端电子设备。 | 目标专利该特征限定了基板的应用场景。对比文件仅描述其发明可用于半导体存储器等器件，但未延伸至具体的消费电子或通信设备。该应用特征未被公开。 |
| **技术特征S**：其特征在于，所述基板被纳入移动电话中。<br>《未公开》 | 对比文件未提及“移动电话”。 | 同特征R。该具体的应用特征（移动电话）在对比文件中完全没有提及。 |
| **技术特征T**：其特征在于，进一步包括：嵌入在所述第一电介质层中的第三互连<br>《直接公开》 | 同特征F的引用。对比文件图4显示了多个嵌入式导电线路31。 | 该特征与特征F的部分内容重叠，要求存在另一个嵌入式互连（第三互连）。如上所述，对比文件图4直接公开了多个嵌入式互连的存在。 |
| **技术特征U**：以及至少部分地在所述第三互连上的第四互连。<br>《未公开》 | 对比文件未描述或图示有任何互连垂直堆叠在另一个互连之上。所有互连（31, 32）都位于同一水平层级（尽管高度不同），且是交替排列，而非上下堆叠。 | 目标专利的特征U限定了一个互连（第四互连）至少部分地位于另一个互连（第三互连）之上，形成垂直方向的重叠或堆叠。对比文件中的表面互连32与嵌入式互连31在水平方向上交替，但没有任何一个互连的任一部分位于另一个互连的正上方并与之接触或重叠。该特征未被公开。 |
| **技术特征V**：其特征在于，所述第三互连包括第一横截面尺寸，并且所述第四互连包括小于所述第一横截面尺寸的第二横截面尺寸。<br>《未公开》 | 对比文件未描述不同互连之间的横截面尺寸关系。 | 目标专利明确限定了两个互连之间特定的尺寸关系（一个比另一个小）。对比文件未提及互连的尺寸或它们之间的尺寸比较。无法从对比文件中得出该特征。 |
| **技术特征W**：其特征在于，所述第四互连部分地在所述第三互连上并且部分地在所述第一电介质层上。<br>《未公开》 | 对比文件未描述任何互连部分位于另一互连上、部分位于电介质层上的结构。 | 该特征描述了互连的独特空间位置关系。对比文件中的互连要么完全在沟槽内，要么完全在绝缘层表面上，没有这种跨接结构。因此未被公开。 |
| **技术特征X**：其特征在于，所述第四互连是焊盘。<br>《未公开》 | 同特征O。对比文件中的互连不是焊盘。 | 该特征限定了第四互连的具体类型为“焊盘”。对比文件中没有公开“焊盘”这种互连形式。 |
| **技术特征Y**：其特征在于，所述第三互连耦合至所述第一互连。<br>《未公开》 | 对比文件未描述嵌入式互连彼此之间存在电耦合。图4中的嵌入式互连31是平行且独立的。 | 目标专利要求两个嵌入式互连之间耦合。对比文件未显示或描述任何嵌入式互连之间的电气连接。因此未被公开。 |
| **技术特征Z**：其特征在于，进一步包括所述第一电介质层上的第三互连。<br>《直接公开》 | 同特征H的引用。对比文件图4显示了多个表面导电线路32。 | 该特征要求在第一电介质层上存在另一个互连（第三互连）。如上所述，对比文件直接公开了多个表面互连（32），满足此特征。 |
**结论**：根据上述比对，技术特征A、B、C、D、F、G、H、T、Z被对比文件直接公开。
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