**对比文件名称**：2011-10-06_US2011241203A_发明申请_US20110241203A1 SEMICONDUCTOR MODULE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULE, AND PORTABLE APPARATUS
**目标专利名称**：用于基板的超细间距和间隔互连CN105493278B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek-R1
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括第一表面和第二表面的第一电介质层。<br>**《直接公开》** | [0032] “The device mounting board 20 includes an insulating resin layer 22...”（器件安装板20包括绝缘树脂层22...）<br>图1显示绝缘树脂层22具有上表面（面向半导体器件30）和下表面（具有焊球80）。 | 对比文件明确公开了器件安装板20包含绝缘树脂层22。该层作为基板的核心绝缘/电介质层，具有第一表面（安装表面）和第二表面（相对表面）。本领域技术人员能毫无疑义地确定其具有第一和第二表面。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征B**：嵌入在所述第一电介质层中的第一互连，所述第一互连包括第一侧和第二侧，所述第一侧被所述第一电介质层围绕，其中所述第二侧的至少一部分不与所述第一电介质层接触，其中所述第一互连是第一迹线。<br>**《未公开》** | [0032] “The wiring layer 24 has a predetermined pattern and is provided on the one main surface of the insulating resin layer 22... includes substrate electrodes 24a...”（布线层24具有预定图案并设置在绝缘树脂层22的一个主表面上...包括基板电极24a...）<br>[0035] “...the wiring layer 24 is formed of a conducive material such as copper.”（...布线层24由铜等导电材料形成。） | 对比文件公开了在绝缘树脂层22的“表面上”形成布线层24和电极24a，而非“嵌入在”电介质层中。目标专利的“嵌入式互连”特指其侧部被电介质材料围绕、仅部分顶部暴露的结构（参见说明书[0008]、[0014]、[0031]等）。对比文件的布线层24和电极24a是形成于树脂层22表面上的图案化层，其底部和侧部通常直接与空气或保护层28接触，并非被电介质材料从四周“围绕”。因此，该技术特征未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征C**：穿过所述第一电介质层的所述第一表面到达所述第一互连的所述第二侧的第一空腔，其中所述第一空腔具有与所述第一互连的互连宽度基本相等的空腔宽度。<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 对比文件中完全没有提及在电介质层中形成任何“空腔”或“凹陷”结构。目标专利的空腔（如说明书[0059]、[0119]、[0128]所述）是穿过电介质层表面到达嵌入式互连顶部的凹陷，用于增加间距或容纳另一互连。对比文件不存在此类结构，本领域技术人员无法从对比文件内容中推理得出。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征D**：以及包括第三侧和第四侧的第二互连，其中所述第三侧至少部分地耦合到所述第一电介质层的所述第一表面上，其中所述第二互连是第二迹线。<br>**《直接公开》** | [0032] “The wiring layer 24 has a predetermined pattern and is provided on the one main surface of the insulating resin layer 22...”（布线层24具有预定图案并设置在绝缘树脂层22的一个主表面上...）<br>[0035] “...the wiring layer 24 is formed of a conducive material such as copper.”（...布线层24由铜等导电材料形成。） | 对比文件明确公开了在绝缘树脂层22（第一电介质层）的第一表面（主表面）上设置有由铜等导电材料构成的布线层24。该布线层24是图案化的导电层，即“迹线”。其必然具有侧部（相当于第三侧、第四侧）并且至少部分（其底面）耦合（即附着/形成）在电介质层表面上。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征E**：以及至少部分地在所述第一空腔中的第五互连，所述第五互连耦合至所述第一互连。<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 技术特征E依赖于特征C（第一空腔）和特征B（第一互连）的存在。如上所述，对比文件既未公开“嵌入式互连”（特征B），也未公开“空腔”（特征C）。因此，“至少部分地在第一空腔中并耦合至第一互连的第五互连”这一完整技术方案，在对比文件中完全没有基础，无法被推理得出。 |
| **技术特征F**：其特征在于，进一步包括：嵌入在所述第一电介质层中的第三互连，所述第三互连包括第五侧和第六侧，所述第五侧被所述第一电介质层围绕，其中所述第六侧的至少一部分不与所述第一电介质层接触。<br>**《未公开》** | 同特征B的引用。 | 该特征是与特征B结构相同的另一嵌入式互连。如对特征B的分析，对比文件未公开“嵌入式互连”这一核心结构。因此，该特征同样未被公开。 |
| **技术特征G**：穿过所述第一电介质层的所述第一表面到达所述第三互连的所述第六侧的第二空腔，其中所述第二空腔具有与所述第三互连的第二互连宽度基本相等的第二空腔宽度。<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 该特征是与特征C结构相同的另一空腔。如对特征C的分析，对比文件未公开任何“空腔”结构。因此，该特征同样未被公开。 |
| **技术特征H**：以及所述第一电介质层的所述第一表面上的第四互连，所述第四互连包括第七侧和第八侧，其中所述第七侧耦合至所述第一电介质层的所述第一表面。<br>**《隐含公开》** | [0032] “The wiring layer 24 has a predetermined pattern...”（布线层24具有预定图案...）<br>图2显示了包含多个电极24a（可视为互连的一种）的布线图案。 | 对比文件公开了在电介质层22表面上有图案化的布线层24。该布线层24通常包含多个导电部分（如连接不同电路的迹线或电极）。本领域技术人员可以理解，为实现电路功能，基板上必然存在多个表面互连（迹线或焊盘）。因此，在公开了表面布线层（相当于第二互连）的基础上，推理出还存在“第四互连”（即另一个表面互连）是合理的。该第四互连同样耦合至电介质层表面。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第一互连与所述第三互连之间的横向间隔约为30微米(μm)。<br>**《未公开》** | [0003] “...demand has been ever greater for further miniaturization of semiconductor devices... the pitch of electrodes... be made narrower.”（...对半导体器件进一步小型化的需求日益增长...电极间距...变得更窄。）<br>无具体30微米数值的记载。 | 对比文件虽然提及了缩小电极间距的需求和趋势（背景技术），但在具体实施例中并未给出“第一互连与第三互连”（即两个嵌入式互连）之间横向间隔为“约30微米”的具体数值限定。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或必然推理出该具体数值。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述第一互连与所述第三互连之间的横向间隔小于为30微米(μm)。<br>**《未公开》** | 同特征I的引用。 | 与特征I同理，对比文件未公开任何关于两个嵌入式互连之间横向间隔的具体数值，无论是“约为30微米”还是“小于30微米”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述第一互连与所述第二互连之间的横向间隔约为10微米(μm)，其中所述第一互连和所述第二互连是毗邻互连。<br>**《未公开》** | [0008] “...the width of the first electrode is narrower than that of the second electrode...”（...第一电极的宽度比第二电极的宽度窄...）<br>[0043] 描述了电极宽度L1、L2和间距S1、S2的关系，但未给出10微米的具体数值。 | 对比文件讨论了电极宽度与间距的关系以实现细间距，但从未给出“约10微米”这一具体的横向间隔数值。本领域技术人员无法从对比文件中确定该具体尺寸。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述第一互连与所述第二互连之间的横向间隔小于10微米(μm)，其中所述第一互连和所述第二互连是毗邻互连。<br>**《未公开》** | 同特征K的引用。 | 与特征K同理，对比文件未公开“小于10微米”的具体间隔数值。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，进一步包括：所述第一电介质层的所述第一表面上的第三互连，所述第三互连耦合至所述第一互连。<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 该特征要求一个位于电介质层“表面上”的互连（第三互连）耦合至一个“嵌入在”电介质层中的互连（第一互连）。对比文件既未公开“嵌入式互连”（第一互连），也未公开这种“表面互连与嵌入式互连直接耦合”的具体结构（如说明书图10B、11B等所示）。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N**：以及所述第一电介质层的所述第一表面上的第四互连，所述第四互连耦合至所述第二互连。<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 该特征要求另一个表面互连（第四互连）耦合至另一个表面互连（第二互连）。虽然对比文件公开了表面布线层（第二互连），但“第四互连耦合至第二互连”描述的是两个特定表面互连之间的连接关系。对比文件的布线层24是一个连续的图案，其中不同部分可能相互连接，但并未明确公开或暗示存在一个独立的、被称为“第四互连”的部分专门耦合到“第二互连”。这种具体的互连关系未被公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述第三互连和所述第四互连是焊盘。<br>**《未公开》** | [0032] “...includes substrate electrodes 24a (electrode pads)...”（...包括基板电极24a（电极焊盘）...）<br>[0040] “...device electrode 32 (electrode pad)...”（...器件电极32（电极焊盘）...） | 对比文件确实公开了“电极焊盘”（如24a, 32）的概念。然而，技术特征O限定的是“第三互连和第四互连是焊盘”，而“第三互连”和“第四互连”分别源自技术特征M和N。由于特征M和N（特定的耦合关系）未被对比文件公开，因此作为其进一步限定的特征O也失去了比对基础。对比文件中公开的焊盘并非在特征M、N所定义的结构关系下的焊盘。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述基板是封装基板。<br>**《直接公开》** | [0001] “The present invention relates to a semiconductor module where a semiconductor device is mounted on a substrate.”（本发明涉及一种半导体器件安装在基板上的半导体模块。）<br>[0031] “The semiconductor module 10 includes a device mounting board 20 and a semiconductor device 30.”（半导体模块10包括器件安装板20和半导体器件30。） | 对比文件描述的“器件安装板20”是用于安装和封装半导体器件30的基板，其具备布线、电极、保护层等结构，并用于构成半导体模块10。这明确属于“封装基板”的范畴。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，进一步包括第二电介质层。<br>**《未公开》** | 全文仅提及一个绝缘树脂层22。 | 对比文件的器件安装板20核心是单一的绝缘树脂层22。虽然存在保护层28，但保护层（如阻焊层）在目标专利中通常被单独区分（参见说明书[0010]、[0011]等），并非本特征所指的“第二电介质层”（通常指构成基板主体的另一层绝缘介质）。对比文件未公开具有多层电介质层的基板结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征R**：其特征在于，所述基板被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、和/或膝上型计算机。<br>**《直接公开》** | [0095] “The mobile apparatus presented as an example herein is a mobile phone, but it may be any electronic apparatus, such as a personal digital assistant (PDA), a digital video cameras (DVC), a music player or a digital still camera (DSC).”（本文作为示例提供的移动设备是移动电话，但它可以是任何电子设备，例如个人数字助理（PDA）、数码摄像机（DVC）、音乐播放器或数码静态相机（DSC）。）<br>图13、14显示移动电话包含该半导体模块。 | 对比文件明确列举了包含其半导体模块（即包含所述基板）的电子设备，包括移动电话、PDA、音乐播放器、数码摄像机等，这些设备落入目标专利所列的设备范围内。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征S**：其特征在于，所述基板被纳入移动电话中。<br>**《直接公开》** | [0095] “The mobile apparatus presented as an example herein is a mobile phone...”（本文作为示例提供的移动设备是移动电话...）<br>图13、14明确示出了移动电话的结构。 | 对比文件以移动电话作为具体应用示例，并展示了其结构图，明确指出半导体模块（包含器件安装板20）被纳入移动电话中。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征T**：其特征在于，进一步包括：嵌入在所述第一电介质层中的第三互连。<br>**《未公开》** | 同特征B的引用。 | 该特征与特征B、F本质相同，要求一个“嵌入式互连”。如之前分析，对比文件未公开“嵌入式互连”结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征U**：以及至少部分地在所述第三互连上的第四互连。<br>**《未公开》** | [0040] “The copper pillar 33 and the substrate electrode 24a are connected via solder 70.”（铜柱33和基板电极24a通过焊料70连接。）<br>图12显示了焊料70与凸块电极90的尖端侧面接触。 | 对比文件公开了焊料70连接两个电极。然而，目标专利中的“互连”指迹线、焊盘等导电结构（参见说明书[0095]定义），而焊料70是对比文件中的“导电连接成员”，其作用与目标专利中作为结构部件的“互连”不同。更重要的是，该特征限定了“第四互连至少部分地在第三互连上”，这描述了类似“焊盘部分重叠在嵌入式迹线上”的垂直堆叠结构（如说明书图25、26）。对比文件中的焊料是连接材料，并非这种结构性的互连，也未展示一个互连部分位于另一个互连之上的立体交叠关系。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征V**：其特征在于，所述第三互连包括第一横截面尺寸，并且所述第四互连包括小于所述第一横截面尺寸的第二横截面尺寸。<br>**《未公开》** | [0043] “...width L1 of the substrate electrode 24a is narrower than width L2 of the device electrode 32...”（...基板电极24a的宽度L1比器件电极32的宽度L2窄...）<br>[0072] “...width L1′ of the top surface of the bump electrode 90 is smaller than the width L1 of the base of the bump electrode 90.”（...凸块电极90的顶面宽度L1′小于凸块电极90的底面宽度L1。） | 对比文件确实公开了不同电极之间或同一电极不同部位的宽度差异。但技术特征V限定的是“第三互连”（嵌入式互连）和“第四互连”（位于其上的互连）之间的尺寸关系。由于特征T（第三互连）和U（第四互连及其位置关系）均未被公开，因此该尺寸限定缺乏比对客体。对比文件中宽度差异的描述是针对不同元件（电极24a vs 电极32）或同一电极的不同部位（凸块90的顶 vs 底），并非特征V所定义的特定结构关系。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征W**：其特征在于，所述第四互连部分地在所述第三互连上并且部分地在所述第一电介质层上。<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 该特征描述了第四互连同时覆盖第三互连（嵌入式互连）和电介质层表面的结构（如说明书图25、26所示）。对比文件中完全没有此类结构。焊料70仅位于电极之间，并未部分铺设在电介质层表面上。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征X**：其特征在于，所述第四互连是焊盘。<br>**《未公开》** | [0032] “...substrate electrodes 24a (electrode pads)...”（...基板电极24a（电极焊盘）...） | 对比文件公开了焊盘（电极垫）的概念。但技术特征X是对特征U中“第四互连”的进一步限定。由于特征U（至少部分地在第三互连上的第四互连）未被公开，因此“该第四互连是焊盘”这一限定也失去了比对基础。对比文件中的焊盘并非位于嵌入式互连之上的结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征Y**：其特征在于，所述第三互连耦合至所述第一互连。<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 该特征限定了两个嵌入式互连（第三互连和第一互连）之间的耦合关系。对比文件既未公开“嵌入式互连”，更未公开它们之间的相互连接关系。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征Z**：其特征在于，进一步包括所述第一电介质层上的第三互连。<br>**《隐含公开》** | [0032] “The wiring layer 24 has a predetermined pattern and is provided on the one main surface of the insulating resin layer 22...”（布线层24具有预定图案并设置在绝缘树脂层22的一个主表面上...） | 对比文件明确公开了在绝缘树脂层22（第一电介质层）的表面上存在布线层24，这是一个表面互连。技术特征Z要求“进一步包括...第三互连”，意指在已提及的互连之外，还存在另一个表面互连。考虑到布线层24通常包含多个功能部分或延伸段，本领域技术人员可以合理推断，在基板表面上除了已明确的部分外，还可能存在其他的导电互连结构以实现电路连接。因此，该技术特征被隐含公开。 |
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