**对比文件名称**：2010-06-24_JP2010141055A_发明专利_JP2010141055A Semiconductor module, method of manufacturing semiconductor module, and portable equipment
**目标专利名称**：用于基板的超细间距和间隔互连CN105493278B
**本次调用模型名称**：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译为中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A《直接公开》**<br>包括：包括第一表面和第二表面的第一电介质层 | [2] “素子搭載用基板２０は、絶縁樹脂層２２と...を備える。”<br>（元件搭载用基板20具备绝缘树脂层22...） | 对比文件公开了作为基板核心结构的绝缘树脂层22，其必然具有上表面（半导体元件搭载侧）和下表面（焊球侧），这对应于目标专利的“第一电介质层”及其第一表面和第二表面。该电介质层在对比文件中作为支撑和绝缘基体，与目标专利中的作用相同。 |
| **技术特征B《未公开》**<br>嵌入在所述第一电介质层中的第一互连，所述第一互连包括第一侧和第二侧，所述第一侧被所述第一电介质层围绕，其中所述第二侧的至少一部分不与所述第一电介质层接触，其中所述第一互连是第一迹线 | [2] “配線層２４は、...基板電極２４ａ（電極パッド）を含む。”<br>（配线层24包括...基板电极24a（电极焊盘）。）<br>[2] “配線層２４は、銅などの導電材料により形成される。”<br>（配线层24由铜等导电材料形成。） | 对比文件中的配线层24（含基板电极24a）是通过蚀刻铜箔在绝缘树脂层22“上”形成的图案（见制造方法图3(D)-(E)）。其是表面上的导电图形，并非“嵌入”在电介质层中且侧面被电介质“围绕”的结构。目标专利的“嵌入式互连”（如迹线）是其核心，其顶部与电介质表面平齐或凹陷，侧面被电介质包裹，这与对比文件明确记载的形成于表面的配线层/电极有本质区别。 |
| **技术特征C《未公开》**<br>穿过所述第一电介质层的所述第一表面到达所述第一互连的所述第二侧的第一空腔，其中所述第一空腔具有与所述第一互连的互连宽度基本相等的空腔宽度 | 未找到相关内容。 | 对比文件完全没有提及在电介质层中形成到达互连顶部的“空腔”或“凹槽”结构。目标专利的“空腔”是形成于电介质层表面、向下延伸至嵌入式互连顶部的特征，用于容纳其他互连或增加间距，这是其实现超细间距的关键设计之一。对比文件解决短路问题的思路是调整电极宽度比例，而非形成空腔。 |
| **技术特征D《隐含公开》**<br>以及包括第三侧和第四侧的第二互连，其中所述第三侧至少部分地耦合到所述第一电介质层的所述第一表面上，其中所述第二互连是第二迹线 | [2] “配線層２４は、所定パターンを有し、絶縁樹脂層２２の一方の主表面に設けられている。”<br>（配线层24具有预定图案，设于绝缘树脂层22的一方主表面上。）<br>[2] “図２は、基板電極２４ａを含む配線層２４のパターンの一例を示す平面図である。”<br>（图2是显示包含基板电极24a的配线层24图案的一例的平面图。） | 对比文件明确记载了在绝缘树脂层22表面上形成具有预定图案的“配線層２４”。该配线层图案必然包括用于电连接的导线部分，即“迹线”。本领域技术人员在阅读说明书及附图（如图2）后，能够毫无疑义地理解，配线层24包含连接不同电极或区域的导电路径（迹线），这些迹线是直接形成并附着（耦合）在电介质层表面上的导电图形。因此，对比文件隐含公开了设置在电介质层第一表面上的第二互连（迹线）。 |
| **技术特征E《未公开》**<br>以及至少部分地在所述第一空腔中的第五互连，所述第五互连耦合至所述第一互连。 | 未找到相关内容。 | 该特征依赖于特征C所述“第一空腔”的存在。由于对比文件未公开任何空腔结构，因此也不存在“至少部分地在所述第一空腔中”的第五互连。目标专利中此特征用于描述焊盘等结构位于空腔内的配置，对比文件无对应技术内容。 |
| **技术特征F《未公开》**<br>其特征在于，进一步包括：嵌入在所述第一电介质层中的第三互连，所述第三互连包括第五侧和第六侧，所述第五侧被所述第一电介质层围绕，其中所述第六侧的至少一部分不与所述第一电介质层接触 | 同特征B的论述。 | 此特征为另一“嵌入式互连”，其结构与特征B所述的第一互连类似。如特征B所述，对比文件中的互连均为表面图形，不具备“嵌入并被电介质层围绕”的结构特征。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征G《未公开》**<br>穿过所述第一电介质层的所述第一表面到达所述第三互连的所述第六侧的第二空腔，其中所述第二空腔具有与所述第三互连的第二互连宽度基本相等的第二空腔宽度 | 同特征C的论述。 | 此特征为另一“空腔”，其结构与特征C类似。对比文件未公开任何空腔结构，故该特征未被公开。 |
| **技术特征H《隐含公开》**<br>以及所述第一电介质层的所述第一表面上的第四互连，所述第四互连包括第七侧和第八侧，其中所述第七侧耦合至所述第一电介质层的所述第一表面。 | [2] “配線層２４は、...基板電極２４ａ（電極パッド）を含む。”<br>（配线层24包括...基板电极24a（电极焊盘）。）<br>[2] “基板電極２４ａは、配線層２４の一部から突出した櫛状をなしており...”<br>（基板电极24a是从配线层24的一部分突出的梳齿状...） | 对比文件明确公开了设置在绝缘树脂层22表面上的“基板電極２４ａ”（电极焊盘），它是配线层24图案的一部分。该电极焊盘作为一种“互连”，其必然有侧面和顶面/底面，并且是通过配线层与基板表面直接耦合的。因此，对比文件隐含公开了设置在第一电介质层第一表面上的第四互连（电极/焊盘）。 |
| **技术特征I《未公开》**<br>其特征在于，所述第一互连与所述第三互连之间的横向间隔约为30微米(μm)。 | 未找到具体数值“30微米”的记载。 | 对比文件虽然追求电极的“狭ピッチ化”（窄间距化），但全文未给出任何具体的互连间距数值，例如“30微米”。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地或通过合理推断得出该具体数值限制。 |
| **技术特征J《未公开》**<br>其特征在于，所述第一互连与所述第三互连之间的横向间隔小于为30微米(μm)。 | 未找到具体数值“小于30微米”的记载。 | 同特征I。对比文件未提供任何具体的间距数值，因此无法得出“小于30微米”的限定。 |
| **技术特征K《未公开》**<br>其特征在于，所述第一互连与所述第二互连之间的横向间隔约为10微米(μm)，其中所述第一互连和所述第二互连是毗邻互连。 | 未找到具体数值“10微米”的记载。 | 同特征I。对比文件未提供嵌入式互连与表面互连之间的具体间距数值。 |
| **技术特征L《未公开》**<br>其特征在于，所述第一互连与所述第二互连之间的横向间隔小于10微米(μm)，其中所述第一互连和所述第二互连是毗邻互连。 | 未找到具体数值“小于10微米”的记载。 | 同特征I和K。 |
| **技术特征M《未公开》**<br>其特征在于，进一步包括：所述第一电介质层的所述第一表面上的第三互连，所述第三互连耦合至所述第一互连 | 此特征依赖于特征B（嵌入式第一互连）的存在。 | 由于对比文件未公开特征B所述的“嵌入式第一互连”，因此也就不存在耦合至该嵌入式互连的表面第三互连。对比文件中的表面电极（基板电极24a）是直接作为配线层24的一部分形成的，并非耦合到一个独立的嵌入式迹线上。 |
| **技术特征N《隐含公开》**<br>以及所述第一电介质层的所述第一表面上的第四互连，所述第四互连耦合至所述第二互连。 | [2] “配線層２４は、...基板電極２４ａ（電極パッド）を含む。”<br>（配线层24包括...基板电极24a（电极焊盘）。）<br>图2显示了配线层24的图案，其中电极与连接它们的导线（迹线）是一体形成的。 | 对比文件中的“基板電極２４ａ”是配线层24图案的一部分。在图案中，电极与连接电极的导线（即迹线）是物理相连且电导通的。因此，本领域技术人员可以合理推断，设置在电介质层表面上的电极（第四互连）是耦合至同层的导线（第二互连）的。这公开了“表面上的第四互连耦合至第二互连”的特征。 |
| **技术特征O《直接公开》**<br>其特征在于，所述第三互连和所述第四互连是焊盘。 | [2] “基板電極２４ａ（電極パッド）を含む。”<br>（包含基板电极24a（电极焊盘）。） | 对比文件明确将“基板電極２４ａ”描述为“電極パッド”（电极焊盘）。焊盘是用于电气连接（如通过焊料连接芯片）的典型互连结构。因此，对比文件直接公开了表面互连可以是焊盘。 |
| **技术特征P《直接公开》**<br>其特征在于，所述基板是封装基板。 | [2] “素子搭載用基板２０”（元件搭载用基板20）<br>该基板用于搭载半导体元件（芯片），并通过焊球80与外部连接，其功能与封装基板（package substrate）完全相同。 | 对比文件中的“素子搭載用基板２０”用于承载半导体芯片并实现其与外部电路的互连，是本领域公认的封装基板的一种。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征Q《未公开》**<br>其特征在于，进一步包括第二电介质层。 | 对比文件中的基板核心是单一的“絶縁樹脂層２２”。虽然表面有保护层28，但保护层是用于防氧化和定义焊盘区域的阻焊层，并非用于承载布线或构成层叠结构的第二电介质层。 | 目标专利中“第二电介质层”通常指构成多层基板的另一绝缘层。对比文件的说明书和附图均未显示或描述基板具有多层电介质叠层结构，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征R《直接公开》**<br>其特征在于，所述基板被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、和/或膝上型计算机。 | [2] “携帯機器として携帯電話に搭載する例を示すが、たとえば、個人用携帯情報端末（ＰＤＡ）、デジタルビデオカメラ（ＤＶＣ）、音楽プレーヤ、及びデジタルスチルカメラ（ＤＳＣ）といった電子機器であってもよい。”<br>（作为便携设备，以搭载于移动电话为例，但也可以是例如个人数字助理(PDA)、数码摄像机(DVC)、音乐播放器、数码相机(DSC)等电子设备。） | 对比文件明确列举了其半导体模块可应用于“音乐播放器”、“个人数字助理(PDA)”、“数码摄像机(DVC)”（属于视频播放器/娱乐单元）、“移动电话”（属于通信设备、移动设备、智能电话）。这完全覆盖了目标专利权利要求中列举的多种电子设备类型。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征S《直接公开》**<br>其特征在于，所述基板被纳入移动电话中。 | [2] “携帯機器として携帯電話に搭載する例を示す”<br>（作为便携设备，以搭载于移动电话为例。）<br>图12-13具体描绘了半导体模块在移动电话中的应用。 | 对比文件明确且具体地公开了其半导体模块被纳入移动电话中。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征T《未公开》**<br>其特征在于，进一步包括：嵌入在所述第一电介质层中的第三互连 | 同特征B和F的论述。 | 此特征要求另一个“嵌入式互连”。如特征B所述，对比文件未公开任何嵌入式互连结构。 |
| **技术特征U《未公开》**<br>以及至少部分地在所述第三互连上的第四互连。 | 对比文件中的突起电极90（实施方式2）是从配线层24突出的，可以视为“在互连上”。但突起电极90与下方的配线层24是一体形成的，并非目标专利中可能指代的、位于嵌入式互连“上”的独立焊盘或互连结构。且特征T（第三互连）未被公开，此特征无依存基础。 | 目标专利此特征可能描述焊盘等结构部分覆盖在嵌入式互连顶部的三维关系。对比文件没有公开这种明确的结构关系。其实施方式2的突起电极是与配线层一体的凸起，而非两个独立的互连元件。 |
| **技术特征V《未公开》**<br>其特征在于，所述第三互连包括第一横截面尺寸，并且所述第四互连包括小于所述第一横截面尺寸的第二横截面尺寸。 | 未找到关于两个互连之间横截面尺寸大小关系的描述。 | 对比文件虽然提到基板电极宽度小于芯片电极宽度，但这是两个不同部件（基板vs芯片）上对应电极的比较。并未公开同一基板上两个互连（如一个嵌入式迹线和一个表面焊盘）之间的尺寸大小关系。 |
| **技术特征W《未公开》**<br>其特征在于，所述第四互连部分地在所述第三互连上并且部分地在所述第一电介质层上。 | 未找到相关内容。 | 该特征描述了第四互连（如焊盘）跨坐在第三互连（嵌入式）和电介质层上的特定布局。对比文件完全没有公开这种结构。 |
| **技术特征X《直接公开》**<br>其特征在于，所述第四互连是焊盘。 | [2] “基板電極２４ａ（電極パッド）を含む。”<br>（包含基板电极24a（电极焊盘）。） | 同特征O。对比文件明确将表面电极称为“電極パッド”（电极焊盘），因此直接公开了“第四互连是焊盘”这一特征。 |
| **技术特征Y《未公开》**<br>其特征在于，所述第三互连耦合至所述第一互连。 | 此特征依赖于特征B（第一互连）和特征T（第三互连）的存在。 | 由于对比文件未公开特征B和T所述的嵌入式互连，因此也不存在它们之间的耦合关系。 |
| **技术特征Z《隐含公开》**<br>其特征在于，进一步包括所述第一电介质层上的第三互连。 | [2] “配線層２４は、...基板電極２４ａ（電極パッド）を含む。”<br>（配线层24包括...基板电极24a（电极焊盘）。） | 对比文件明确公开了在绝缘树脂层22（第一电介质层）的表面上设置有包含电极的配线层24。该配线层及其包含的电极均为“第一电介质层上的互连”。因此，该特征被隐含公开。 |
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