对比文件名称：2005-12-08_US2005269582A_发明申请_US20050269582A1 Luminescent ceramic for a light emitting device
目标专利名称：1308发光器件CN101375420B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括固态光源(3)、至少一个转换元件(4)、和光散射元件(6) 《隐含公开》 | [0033] “在一些实施例中，顶部陶瓷层的表面被粗糙化以增加散射，这是混合光所必需的，例如，在来自发光器件的光与一个或多个波长转换层的光混合形成白光的器件中。在其他实施例中，足够的混合可以通过次级光学器件（如透镜或光导）实现，这是本领域已知的。” | 对比文件明确公开了固态光源（LED）和转换元件（陶瓷层），并公开了通过粗糙化表面或次级光学器件实现光散射，该粗糙表面或透镜可视为光散射元件。虽然粗糙表面集成于陶瓷层，但本领域技术人员可合理推断其起到光散射元件的作用，且该特征未明确区分独立元件，故隐含公开。 |
| 技术特征B：其中所述固态光源(3)被提供来发射进入所述光散射元件(6)的初级辐射的第一部分(511)和进入所述转换元件(4)以至少部分地转换为至少一个次级辐射(521、522)的初级辐射的第二部分(512) 《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未提及将初级辐射分为第一部分和第二部分分别进入不同元件，所有辐射均经过陶瓷层，未公开该特征。 |
| 技术特征C：所述光散射元件(6)被提供来从初级辐射的第一部分(511)、次级辐射(521、522)和在所述转换元件(4)中尚未被转换的初级辐射的第二部分(512)的部分生成具有朗伯光分布的混合辐射(5) 《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未提及朗伯光分布，也未公开由三部分辐射生成混合辐射的特定方式，未公开该特征。 |
| 技术特征D：和初级辐射的第一部分(511)不经过所述转换元件(4)离开所述发光器件 《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开任何部分辐射不经过转换元件，未公开该特征。 |
| 技术特征E：其特征在于，所述转换元件(4)包括陶瓷材料 《直接公开》 | [0009] “根据本发明的实施例，一种半导体发光器件包括设置在n型区和p型区之间的发光层，并与陶瓷层组合，该陶瓷层设置在发光层发出的光路中。陶瓷层由或包括波长转换材料（如磷光体）组成。” [0018] “陶瓷片通常是自支撑层，与半导体器件分开形成，然后附接到完成的半导体器件或用作半导体器件的生长衬底。” | 对比文件明确公开了转换元件为陶瓷层（ceramic layer），由波长转换材料构成，直接公开该特征。 |
| 技术特征F：所述陶瓷材料具有大于晶体连接的理论固态密度的97％的密度 《隐含公开》 | [0020] “发光陶瓷的磷光体颗粒紧密堆积，没有粘合剂材料，因此颗粒之间几乎没有空间或不同折射率的材料。结果，发光陶瓷是透明或半透明的，与共形磷光体层不同。” [0020] 还提到陶瓷是由粉末磷光体高压加热制成，颗粒表面部分熔化并粘合在一起，形成刚性团聚体。 | 对比文件未明确给出密度数值，但公开了陶瓷层通过高温高压烧结形成，颗粒紧密堆积，无孔隙，透明或半透明，表明其密度接近理论值。本领域技术人员可合理推断其密度大于97%，故隐含公开该特征。 |
| 技术特征G：其特征在于，所述转换元件(4)在初级辐射的第二部分(512)的辐射的平均方向上具有至少30μm的厚度 《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未提及转换元件的厚度具体数值，也未公开30μm的下限，未公开该特征。 |
| 技术特征H：其特征在于，从混合辐射(5)的辐射方向观察，所述固态光源(3)具有大于或者等于所述转换元件(4)的表面(41)的发光表面(31) 《未公开》 | [0032] “成形陶瓷层可以小于或等于其所附接的器件52的面的尺寸，也可以大于该面的尺寸，如图6和图7所示。” 图7显示陶瓷层大于器件面。 | 对比文件公开了陶瓷层（转换元件）可大于器件面，但未公开固态光源发光表面大于或等于转换元件表面，反而通常相反，未公开该特征。 |
| 技术特征I：所述转换元件(4)的表面面对所述固态光源(3) 《直接公开》 | [0029] “在图2和3所示的器件中，发光陶瓷层50附接到器件的光提取表面：图2中衬底40的背面，图3中n型区42的顶部。” [0032] “成形陶瓷层附接到器件52的面。” | 对比文件明确陶瓷层附接到器件表面，因此其表面面对固态光源，直接公开该特征。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述转换元件(4)具有至少一个开口(8) 《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开转换元件具有开口，未公开该特征。 |
| 技术特征K：初级辐射能够通过所述开口而不经过所述转换元件(4) 《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开通过开口而不经过转换元件的辐射路径，未公开该特征。 |
| 技术特征L：其特征在于，所述转换元件(4)光学地耦合到所述固态光源(3) 《直接公开》 | [0021] “发光陶瓷层可以通过例如晶片键合、烧结、用已知有机粘合剂（如环氧树脂或硅胶）薄层粘合、用高折射率无机粘合剂粘合以及用溶胶-凝胶玻璃粘合而附接到发光器件。” [0022] 列举高折射率粘合剂以匹配折射率，实现光学耦合。 | 对比文件公开了通过粘合、键合等方式使陶瓷层附接到器件，并且使用高折射率材料实现光学耦合，直接公开该特征。 |
| 技术特征M：其特征在于，所述光散射元件(6)围住所述固态光源(3)和所述转换元件(4) 《未公开》 | [0029] “陶瓷层50可以延伸覆盖图2所示器件的侧面。” | 对比文件仅公开陶瓷层（转换元件）可覆盖侧面，而非光散射元件围住两者，且光散射元件未明确围住，未公开该特征。 |
| 技术特征N：还包括透镜(7) 《直接公开》 | [0033] “在其他实施例中，足够的混合可以通过次级光学器件（如透镜或光导）实现，这是本领域已知的。” | 对比文件明确公开了可用透镜作为次级光学器件，直接公开包括透镜的特征。 |
| 技术特征O：所述透镜(7)围住所述固态光源(3)、所述转换元件(4)和所述光散射元件(6) 《未公开》 | [0006] 背景技术中描述了透镜24围住LED和荧光层，但并非本发明的实施例。 | 对比文件未公开透镜围住固态光源、转换元件和光散射元件的具体布置，未公开该特征。 |
| 技术特征P：其特征在于，经由未被转换的初级辐射(511)的部分调整所述混合辐射(5)的色点 《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未提及通过未转换的初级辐射调整色点，未公开该特征。 |
| 技术特征Q：未被转换的初级辐射(511)的部分通过所述光散射元件(6)的散射特性可调整 《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开通过光散射元件散射特性调整未转换辐射部分，未公开该特征。 |
| 技术特征R：所述初级辐射被散射回所述转换元件(4)以转换为次级辐射(521、522) 《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开辐射被散射回转换元件进行转换的机制，未公开该特征。 |
| 技术特征S：其特征在于，所述光散射元件(6)包括相同或不同的大小、材料和浓度的反射和/或折射颗粒用于产生具有朗伯光分布的混合辐射(5) 《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开光散射元件包含散射颗粒，也未提及朗伯光分布，未公开该特征。 |
| 技术特征T：其特征在于，所述颗粒包括来自颜料组的材料用于吸收初级和或次级辐射 《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开颜料颗粒用于吸收辐射，未公开该特征。 |
| 技术特征U：其特征在于，所述颗粒包括来自颜料组的材料用于吸收初级和或次级辐射并且随后以不同的波长再发射 《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开颜料颗粒吸收后再发射，未公开该特征。 |
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