对比文件名称：2005-06-08_CN1625686A_发明公开_CN1625686A 生物传感器、用于磁性分子以及待测量目标的测量方法
目标专利名称：1318用于感测磁性粒子的传感器设备和方法CN101632018B
本次调用的模型名称：AI专利分析模型（资深专利代理师模拟）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：所述传感器设备(50)包括：基板(25) **《直接公开》** | 实施例1所述：“通过公知的CMOS工艺将传感器芯片1形成在硅衬底11上。” | 对比文件明确公开了硅衬底11作为基板，用于承载传感器芯片，与目标专利的基板25在结构和功能上实质相同，本领域技术人员可直接且毫无疑义地确定该特征被公开。 |
| **技术特征B**：被提供在所述基板(25)之上和/或其中和/或附近的感测单元(11、20) **《直接公开》** | 实施例1所述：“半导体霍尔器件被形成在传感器芯片1表面中的凹槽13的底部处。” | 半导体霍尔器件（感测单元）形成在硅衬底（基板）上的凹槽中，即位于基板之上和/或其中，与目标专利中感测单元设置在基板上的位置关系一致，作用相同，直接公开。 |
| **技术特征C**：其被适配成感测表示所述磁性粒子(15)的存在的检测信号 **《直接公开》** | 实施例1图2相关描述：“由于半导体霍尔器件2的输出电压与磁通量密度成比例，因此借助于输出电压可确定磁性分子5是否被结合在半导体霍尔器件2上。” | 对比文件中的霍尔器件通过检测磁通量密度变化来输出反映磁性分子存在的电压信号，该信号即为检测信号，与目标专利中感测检测信号的作用完全相同，直接公开。 |
| **技术特征D**：被提供在所述基板(25)之外的磁场控制单元(30到34) **《直接公开》** | 实施例1所述：“上部线圈CU（第一磁场产生装置）被布置在面对传感器芯片1表面的位置中。”；“下部线圈CD（第二磁场产生装置）被布置在传感器芯片1的背侧上。” | 上部线圈和下部线圈均位于传感器芯片（基板）外部，不集成在基板上，与目标专利中磁场控制单元提供在基板之外的特征一致，直接公开。 |
| **技术特征E**：其被适配成生成与时间相关的磁场以便与所述磁性粒子(15)相互作用 **《直接公开》** | 实施例2描述：“通过使得交流电穿过上部线圈而产生交流电磁场。”；实施例3描述：“后部线圈CR间歇地施加具有磁场强度B1的磁场，所述磁场强度B1足以强到可吸引磁性分子。” | 交流电磁场和交流磁场均为与时间相关的磁场，用于吸引或排斥磁性分子，与目标专利中生成时变磁场以与磁性粒子相互作用的目的相同，直接公开。 |
| **技术特征F**：其中所述与时间相关的磁场的脉冲包括交替的第一磁场值(403，503，503’)和第二磁场值(405，504，505)的序列 **《直接公开》** | 实施例3图10及相关描述：“后部线圈CR间歇地施加具有磁场强度B1的磁场，所述磁场强度B1足以强到可吸引磁性分子。在该图中，所产生的磁场为双极的，然而该磁场也可为单极的。” | 间歇磁场具有高（B1）和低（零）交替的序列，即交替的第一磁场值（低值）和第二磁场值（高值），双极磁场则交替正负值，均构成脉冲序列，直接公开。 |
| **技术特征G**：所述第一磁场值(403，503，503’)的绝对值实质上低于所述第二磁场值(405，504，505)的绝对值 **《直接公开》** | 同上，间歇磁场中低值（如零）的绝对值低于高值（B1）的绝对值。 | 对比文件中间歇磁场的低值时段磁场强度为零或显著低于高值时段，绝对值的比较直接满足该特征，直接公开。 |
| **技术特征H**：其中所述第一磁场值(403，503，503’)的持续时间处在0.2s到1s之间的范围内 **未公开** | 对比文件未记载任何关于第一磁场值（低值）或间歇时间的具体数值范围。 | 对比文件虽然公开了间歇磁场，但未给出任何时间参数，更未限定0.2s至1s的特定范围，本领域技术人员无法从对比文件中直接或合理推断出该具体数值范围，故未公开。 |
| **技术特征I**：其中，所述磁场控制单元(30到34)被适配成在传感器事件之前把所述磁性粒子(15)聚集在所述感测单元(11、20)的环境中；并且，所述磁场控制单元(30到34)被适配成在传感器事件之后从所述感测单元(11，20)中去除未结合磁性粒子(15)。 **《直接公开》** | 聚集：实施例1步骤S101：“从下部线圈施加磁场。磁性分子被磁场吸引到传感器芯片的表面。”；去除：实施例1步骤S105：“从上部线圈施加磁场。”以及描述：“未结合于传感器芯片1的表面的飘浮的磁性分子5被向上吸引并且不会影响由半导体霍尔器件2检测的磁通量密度。” | 对比文件明确使用下部线圈施加磁场将磁性分子聚集到传感器表面（传感器事件前），并在结合后使用上部线圈施加磁场将未结合磁性分子吸引远离表面（传感器事件后去除），与目标专利的聚集和去除功能完全一致，直接公开。 |
| **技术特征J**：其中，所述磁场控制单元(30到34)被适配成关于所述基板(25)和/或关于所述感测单元(11，20)引导所述磁性粒子(15) **《直接公开》** | 上述聚集和去除过程均通过磁场引导磁性粒子移向或移离传感器表面，即沿特定方向引导。 | 对比文件中下部线圈和上部线圈分别产生吸引和排斥磁场，使磁性粒子靠近或远离传感器表面，实现了关于基板和感测单元的引导作用，直接公开。 |
| **技术特征K**：被适配成生成脉冲磁场。 **《直接公开》** | 实施例3所述：“后部线圈CR间歇地施加具有磁场强度B1的磁场。” | “间歇地施加”即产生脉冲形式的磁场，与目标专利的脉冲磁场含义相同，直接公开。 |
| **技术特征L**：其中，所述第一磁场值(403，503，503’)是零 **《直接公开》** | 实施例3图10中，间歇磁场的低值时段为磁场关断状态，磁场强度为零。 | 对比文件中间歇磁场的低值部分未施加磁场，即第一磁场值为零，直接公开。 |
| **技术特征M**：所述第二磁场值(405，504，505)不同于零。 **《直接公开》** | 同上，间歇磁场的高值时段施加磁场强度B1，明显非零。 | 第二磁场值为非零的磁场强度，直接公开。 |
| **技术特征N**：其中，所述脉冲磁场的脉冲包括至少两个具有相反符号的非零脉冲(504，505) **《直接公开》** | 实施例3图10所述：“在该图中，所产生的磁场为双极的”，双极磁场包含正负交替的非零脉冲。 | 双极脉冲磁场必然包含至少两个相反符号的非零脉冲，直接公开。 |
| **技术特征O**：其中每一对接连的非零脉冲(504，505)中的脉冲具有相反符号。 **《直接公开》** | 同上，双极磁场中正脉冲和负脉冲交替出现，每一对相邻非零脉冲符号相反。 | 正负交替的双极脉冲直接满足该特征，直接公开。 |
| **技术特征P**：其中，所述与时间相关的磁场的特征参数的时间平均值为零 **《隐含公开》** | 实施例3图10及描述：“所产生的磁场为双极的”，双极脉冲在对称情况下其磁场强度的时间平均值为零。 | 对比文件虽未明确记载时间平均值为零，但本领域技术人员在获知双极脉冲磁场时，必然理解其对称波形的时间平均值为零，且该特征在脉冲磁场中合理存在，因此隐含公开。 |
| **技术特征Q**：其中所述与时间相关的磁场具有从零逐渐增大和/或逐渐减小到零的包络(506) **未公开** | 对比文件未记载任何关于磁场包络逐渐增大或减小的内容。 | 对比文件中的脉冲磁场采用瞬时通断或切换，未提及包络可调，本领域技术人员无法从对比文件中直接或合理推断出包络渐增渐减的特征，故未公开。 |
| **技术特征R**：其中所述磁场控制单元(30到34)被适配成生成所述与时间相关的磁场，这是通过向该磁场控制单元(30到34)施加与时间相关的电激励信号而实现的 **《直接公开》** | 实施例2步骤S206：“通过使得交流电穿过上部线圈而产生交流电磁场。”；实施例3步骤S301：“通过使得间歇电流穿过后部线圈而产生磁场。” | 交流电和间歇电流均为与时间相关的电激励信号，通过向线圈施加这类信号产生时变磁场，直接公开。 |
| **技术特征S**：其中所述磁场控制单元(30到34)被适配成通过按照与时间相关的方式关于所述基板(25)移动所述磁场控制单元(30到34)来生成所述与时间相关的磁场。 **未公开** | 对比文件所有实施例中，磁场控制单元（线圈或磁体）均固定不动，仅通过改变电流或磁场方向来产生时变场，未涉及移动磁场控制单元。 | 对比文件未公开任何通过移动磁场控制单元来产生时变磁场的方式，本领域技术人员无法从对比文件中直接或合理推断出该技术方案，故未公开。 |
| **技术特征T**：其中，所述移动包括旋转、平移和往复移动中的至少一种。 **未公开** | 同上，对比文件未公开任何移动方式。 | 基于特征S未公开，该特征同样未公开。 |
| **技术特征U**：其中，所述磁场控制单元(30到34)被适配成以处在0.1Hz到1kHz之间的范围内的频率来生成所述与时间相关的磁场。 **《直接公开》** | 实施例3测量部分记载：“由线圈在霍尔器件的表面上产生的磁通量密度为20Hz，大约为50grms。” | 20Hz明确落在0.1Hz至1kHz的范围内，直接公开。 |
| **技术特征V**：其中，所述磁场控制单元(30到34)被适配成以处在1Hz到100Hz之间的范围内的频率来生成所述与时间相关的磁场。 **《直接公开》** | 同上，20Hz也落在1Hz至100Hz范围内。 | 20Hz直接满足该范围，直接公开。 |
| **技术特征W**：其中，所述磁场控制单元(30到34)被适配成重置磁体 **未公开** | 对比文件未提及任何关于重置磁体或重置传感器磁状态的功能。 | 对比文件没有公开磁场控制单元用于重置磁体或传感器，本领域技术人员无法从对比文件中直接或合理推断出该特征，故未公开。 |
| **技术特征X**：其中所述磁场控制单元(30到34)包括电磁体(31到34)和/或永磁体。 **《直接公开》** | 实施例1至3均使用线圈（电磁体）；实施例4描述：“磁体被布置在传感器芯片1上。” | 对比文件公开了电磁体（线圈）和永磁体（实施例4）作为磁场产生装置，直接公开。 |
| **技术特征Y**：其包括被提供在所述基板(25)的表面处的捕获分子(75) **《直接公开》** | 实施例1图2描述：“由抗体构成的分子受体61被固定在半导体霍尔器件2的表面上。” | 分子受体61即捕获分子，固定在传感器（基板）表面，直接公开。 |
| **技术特征Z**：所述捕获分子被适配成用于通过杂化与附着到所述磁性粒子(15)上的互补分子(76)结合。 **《直接公开》** | 实施例1图2描述：“待测量目标62特异性结合于分子受体61，并且磁性粒子51还通过待测量目标62与由抗体构成的分子受体63之间的特异性结合而结合于待测量目标62。” | 特异性结合包括核酸杂交（杂化）以及抗原-抗体结合，目标专利中“杂化”泛指特异性结合，对比文件明确公开了捕获分子通过特异性结合与附着有磁性粒子的互补分子结合，直接公开。 |
**代码输出**
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