**对比文件名称**：2005-07-07_US2005146247A_发明申请_US20050146247A1 Curved micromachined ultrasonic transducer arrays and related methods of manufacture
**目标专利名称**：用于2-D波束成形的压电超声换能器的超像素阵列CN106999985B
**模型名称**：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：压电超声换能器元件阵列，所述阵列包含多个超像素区，每一超像素区包含至少两个像素组，所述至少两个像素组中的第一像素组安置于所述超像素区的中心部分中，且至少一第二像素组安置于所述超像素区的外部部分中 | 对比文件公开了超声换能器阵列（例如cMUT或pMUT阵列）。例如，[0001]段提到“arrays of micromachined sensors, including but not limited to micromachined ultrasonic transducers (MUTs)”。[0013]段描述：“An array of such cMUT transducer cells is typically fabricated on a substrate...”。然而，对比文件的核心在于通过切割和弯曲形成曲面阵列以扩大视野或实现聚焦，并未描述将阵列划分为多个“超像素区”，每个超像素区进一步包含按“中心部分”和“外部部分”划分的“像素组”。对比文件中的“elements”（元件）是由多个MUT单元硬连线（hard-wired）而成（参见[0012]段），但并未按超像素区的概念组织，也未涉及将同一超像素内的像素按距中心距离分组以用于波束成形。 | **未直接公开**。对比文件公开了超声换能器阵列，但未公开目标专利中定义的“超像素区”及其内部按中心部分和外部部分划分的“像素组”结构。目标专利的超像素区是为实现两种可切换操作模式（平面波和聚焦波束）而特别设计的结构单元。对比文件的阵列结构旨在形成曲面孔径，其元件分组（如果有）是为了适应曲面结构或电子集成（如[0062]段），而非用于实现目标专利所述的通过中心/外部像素组延迟控制进行波束成形。因此，本领域技术人员不能毫无疑义地从对比文件得出该技术特征。<br>**未隐含公开**。对比文件没有描述任何将阵列划分为包含中心像素组和外部像素组的超像素区的启示。其关于波束成形的描述（[0002]-[0004]段）是通用原理，并未暗示需要这种特定的像素分组结构。因此，本领域技术人员无法通过合理推断得出该技术特征。 |
| **技术特征B**：收发器电子装置 | 对比文件[0061]-[0063]段提到CMOS电子器件可以集成在硅晶片上，为cMUT提供功能，例如高压开关晶体管、门驱动晶体管、控制逻辑、阻抗匹配器件等。例如，[0061]段：“CMOS electronics 34 are fabricated on the top of the silicon substrate 22.”；[0063]段：“Some examples of switching circuits can be high-voltage switching transistors, gate-drive transistors for the switches, control logic, impedance matching devices, and other circuitry.” 这些电子装置用于控制换能器操作，相当于“收发器电子装置”。 | **《直接公开》**。对比文件明确公开了集成在换能器阵列衬底上或与之连接的电子装置（CMOS电子器件），其功能包括高压开关、控制逻辑等，这些构成了用于操作超声换能器阵列的收发器电子装置。本领域技术人员能毫无疑义地得出。 |
| **技术特征C**：和所述收发器电子装置与所述阵列之间的电耦合 | 对比文件[0062]段描述了cMUT底部电极可以连接到CMOS电子器件：“The cMUT bottom electrodes ... can be connected to the CMOS electronics using additional passivation and metal layers... Electrical interconnect from one layer to another can be provided by metallized vias...”。这公开了电子装置与换能器阵列之间的电连接，即电耦合。 | **《直接公开》**。对比文件明确公开了CMOS电子器件（收发器电子装置）通过金属化通孔等结构与cMUT电极（阵列的一部分）电连接，构成了两者之间的电耦合。本领域技术人员能毫无疑义地得出。 |
| **技术特征D**：其中所述收发器电子装置经配置以在第一模式和第二模式中的一可选择者中操作所述阵列 | 对比文件没有描述收发器电子装置被配置为在两种可选择的模式（例如平面波模式和聚焦波束模式）之间操作阵列。对比文件主要关注通过曲面阵列几何形状实现波束成形和宽视野成像（[0006], [0015], [0047]段），或通过电子延迟进行波束成形（[0002]-[0004]段），但未提及在同一阵列上可选择性地产生平面波或经聚焦波束这两种特定操作模式。 | **未直接公开**。对比文件未提及目标专利中定义的两种可选择的操作模式（第一模式：产生平面波；第二模式：产生显著更高声压的聚焦波束）。<br>**未隐含公开**。对比文件虽然提及波束成形，但未暗示收发器电子装置可以被配置为在所述两种特定模式之间进行切换。其曲面阵列设计主要是为了获得固定的宽视野或聚焦特性，而非一种可配置的、模式可切换的操作方案。因此，本领域技术人员无法通过合理推断得出该技术特征。 |
| **技术特征E**：在所述第一模式中，所述阵列产生具有第一声压的基本上平面超声波 | 对比文件没有描述阵列产生“基本上平面超声波”的操作模式。对比文件中关于波束成形的描述（[0002]-[0004]段）均旨在产生聚焦波束，而非平面波。其曲面阵列设计也是为了扩大视野或实现聚焦，而非产生平面波。 | **未直接公开**。对比文件未公开产生基本上平面超声波的操作模式。<br>**未隐含公开**。尽管本领域技术人员知道同时激励所有阵元可以产生近似平面波，但对比文件本身并未描述或暗示将这种操作作为一种可选择的、明确定义的“模式”来实施。因此，无法合理推断出该技术特征在对比文件中的存在。 |
| **技术特征F**：且在所述第二模式中，所述阵列从每一超像素区产生具有第二声压的经聚焦波束，所述第二声压显著高于所述第一声压。 | 对比文件[0002]-[0004]段描述了通过控制施加电压的延迟和幅度，可以使阵列中的换能器产生结合形成沿优选方向传播并聚焦在选定区域的超声波束。这公开了产生经聚焦波束。然而，对比文件并未提及“从每一超像素区”产生聚焦波束，因为其没有超像素区的概念。同时，对比文件也没有将聚焦波束模式下的声压与另一种模式（平面波）下的声压进行比较，并指出“显著高于”。 | **未直接公开**。对比文件虽然公开了产生聚焦波束，但未结合“超像素区”这一特定结构单元，也未提及声压“显著高于”另一模式下的声压。<br>**未隐含公开**。对比文件公开了聚焦波束成形原理。理论上，聚焦可能导致声压增强，但对比文件并未明确描述或比较两种不同模式下的声压水平，也未将其与“超像素区”结构关联。因此，不能认为隐含公开了该技术特征的全部内容。 |
| **技术特征G**：其中所述收发器电子装置与所述阵列之间的所述电耦合包含连接所述第一像素组中的像素与第一驱动输入端子的第一经固定配置的导电路径，以及连接所述第二像素组中的像素与第二驱动输入端子的第二经固定配置的导电路径，所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子与所述收发器电子装置耦合。 | 对比文件[0012]段提到：“A cMUT probe consists of an array of many elements, each element comprising a respective plurality of individual cMUT cells that have been hard-wired together.” 这暗示了元件内的cMUT单元通过硬连线（经固定配置的导电路径）连接在一起。然而，对比文件没有描述将像素按“第一像素组”和“第二像素组”划分，并分别连接到不同的驱动输入端子。其连接方式是为了构成一个可整体控制的“element”，而非为了实现目标专利中按组独立延迟驱动的目的。 | **未直接公开**。对比文件没有公开将像素按中心组和外部组划分，并通过独立的、经固定配置的导电路径连接到不同驱动输入端子的具体电耦合结构。<br>**未隐含公开**。对比文件公开了硬连线连接多个cMUT单元以形成元件。虽然理论上可以为不同组的像素设置不同的连接路径，但对比文件完全没有提及按中心/外部分组并独立驱动的概念，也没有揭示需要为不同组像素设置独立驱动输入端子的动机（该动机源于目标专利的可切换波束成形模式）。因此，无法合理推断出该技术特征。 |
| **技术特征H**：其中：在所述第一模式中，所述收发器电子装置同时发射信号到所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子中的每一者 | 对比文件没有描述在一种操作模式中，同时向不同驱动输入端子发射信号以产生平面波。 | **未直接公开**。对比文件未公开该操作。<br>**未隐含公开**。虽然同时激励所有阵元是产生平面波的一种可能方式，但对比文件既未定义“第一模式”，也未描述向不同的驱动输入端子同时发射信号的具体操作。因此，无法合理推断。 |
| **技术特征I**：且在所述第二模式中，所述收发器电子装置依序发射信号到所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子中的每一者，使得在将第一发射信号递送到所述第二驱动输入端子与将第二发射信号递送到所述第一驱动输入端子之间发生时间延迟。 | 对比文件[0003]段描述了波束成形原理：“By selecting the time delay (or phase) and amplitude of the applied voltages, the individual transducers in a given row can be controlled to produce ultrasonic waves that combine to form a net ultrasonic wave that travels along a preferred vector direction and is focused in a selected zone along the beam.” 这公开了通过向阵元施加具有不同时间延迟的信号来实现波束聚焦。虽然对比文件没有明确使用“依序发射”和“第一/第二驱动输入端子”的表述，但其描述的通过对不同阵元施加不同延迟以实现聚焦的原理，在逻辑上必然包含依序（或至少以不同时序）激励不同阵元或阵元组的概念。若将一组阵元视为一个整体（类比于一个像素组），向其施加信号，然后对另一组阵元施加具有延迟的信号，则实现了“依序发射信号到...每一者，使得...发生时间延迟”。 | **《隐含公开》**。对比文件明确公开了通过控制施加到阵列中不同换能器（或换能器组）的电压的时间延迟来实现波束聚焦。这是超声阵列波束成形的公知技术。本领域技术人员阅读对比文件后，能够直接且毫无困难地理解到，为了实现聚焦，需要以特定的时间顺序（即依序）向阵列的不同部分施加驱动信号，这些部分之间的驱动信号存在时间延迟。尽管对比文件没有使用“像素组”和“驱动输入端子”的术语，但其描述的波束成形原理在技术实质上涵盖了“依序发射信号到不同部分并引入时间延迟”这一核心操作。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征J**：其中：所述超像素区包含布置于六方晶格上以便形成六边形的七个像素 | 对比文件没有描述任何超像素区，也没有描述由七个像素按六方晶格排列形成六边形的具体结构。 | **未直接公开**。<br>**未隐含公开**。对比文件完全没有提及此类具体的像素几何排列方式。 |
| **技术特征K**：所述第一像素组包含安置成接近于所述六边形的中心的一个中心像素 | 对比文件没有描述此类结构。 | **未直接公开**。<br>**未隐含公开**。对比文件完全没有提及。 |
| **技术特征L**：且所述第二像素组包含六个像素，所述六个像素中的每一者以距所述中心像素大致相等的距离安置于所述超像素区的所述外部部分中。 | 对比文件没有描述此类结构。 | **未直接公开**。<br>**未隐含公开**。对比文件完全没有提及。 |
| **技术特征M**：其进一步包含第三像素组和第四像素组，其中：所述超像素区包含布置于六方晶格上以便形成六边形的十九个像素 | 对比文件没有描述任何超像素区或十九像素六边形的具体结构。 | **未直接公开**。<br>**未隐含公开**。对比文件完全没有提及。 |
| **技术特征N**：所述第一像素组包含安置成接近于所述六边形的中心的一个中心像素 | 对比文件没有描述此类结构。 | **未直接公开**。<br>**未隐含公开**。对比文件完全没有提及。 |
| **技术特征O**：所述第二像素组包含以距所述中心像素大致相等的距离安置于所述超像素区的外部部分中的六个像素 | 对比文件没有描述此类结构。 | **未直接公开**。<br>**未隐含公开**。对比文件完全没有提及。 |
| **技术特征P**：且所述第三像素组包含六个像素，所述六个像素中的每一者安置于与所述第二像素组中的每一像素相比距所述中心像素较大距离处，且与所述第四像素组中的每一像素相比距所述中心像素较小距离处。 | 对比文件没有描述此类结构。 | **未直接公开**。<br>**未隐含公开**。对比文件完全没有提及。 |
| **技术特征Q**：其中所述收发器电子装置与所述阵列之间的所述电耦合包含：第一经固定配置的导电路径，其连接所述第一像素组中的像素与第一驱动输入端子 | 对比文件没有描述连接特定像素组到特定驱动输入端子的经固定配置的导电路径。 | **未直接公开**。<br>**未隐含公开**。对比文件没有相关描述。 |
| **技术特征R**：第二经固定配置的导电路径，其连接所述第二像素组中的像素与第二驱动输入端子 | 对比文件没有描述连接特定像素组到特定驱动输入端子的经固定配置的导电路径。 | **未直接公开**。<br>**未隐含公开**。对比文件没有相关描述。 |
| **技术特征S**：第三经固定配置的导电路径，其连接所述第三像素组中的像素与第三驱动输入端子 | 对比文件没有描述连接特定像素组到特定驱动输入端子的经固定配置的导电路径。 | **未直接公开**。<br>**未隐含公开**。对比文件没有相关描述。 |
| **技术特征T**：第四经固定配置的导电路径，其连接所述第四像素组中的像素与第四驱动输入端子 | 对比文件没有描述连接特定像素组到特定驱动输入端子的经固定配置的导电路径。 | **未直接公开**。<br>**未隐含公开**。对比文件没有相关描述。 |
| **技术特征U**：且所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入、所述第三驱动输入和所述第四驱动输入中的每一者与所述收发器电子装置耦合。 | 对比文件没有描述多个独立的驱动输入端子与收发器电子装置的耦合。 | **未直接公开**。<br>**未隐含公开**。对比文件没有相关描述。 |
| **技术特征V**：其中：在所述第一模式中，所述收发器电子装置同时发射信号到所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入端子、所述第三驱动输入端子和所述第四驱动输入端子中的每一者 | 对比文件没有描述该操作。 | **未直接公开**。<br>**未隐含公开**。对比文件没有相关描述。 |
| **技术特征W**：且在所述第二模式中，所述收发器电子装置依序发射信号到所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入端子、所述第三驱动输入端子和所述第四驱动输入端子中的每一者，使得：在将第一发射信号递送到所述第四驱动输入端子与将第二发射信号递送到所述第三驱动输入端子之间发生第一时间延迟 | 对比文件没有描述该具体操作序列。 | **未直接公开**。<br>**未隐含公开**。对比文件没有相关描述。 |
| **技术特征X**：在将所述第二发射信号递送到所述第三驱动输入端子与将第三发射信号递送到所述第二驱动输入端子之间发生第二时间延迟 | 对比文件没有描述该具体操作序列。 | **未直接公开**。<br>**未隐含公开**。对比文件没有相关描述。 |
| **技术特征Y**：且在将所述第三发射信号递送到所述第三驱动输入端子与将第四发射信号递送到所述第一驱动输入端子之间发生第三时间延迟。 | 对比文件没有描述该具体操作序列。 | **未直接公开**。<br>**未隐含公开**。对比文件没有相关描述。 |
| **技术特征Z**：其进一步包括安置于所述阵列上方的台板和声学耦合介质，其中所述阵列经配置以经由所述台板和所述耦合介质接收或发射超声信号。 | 对比文件[0014]段提到：“Since the micromachined membrane typically oscillates far above the operating frequency of the probe and is damped by the material (such as an acoustic lens) that is applied to the top surface...”。[0047]段也提及声学透镜。此外，图1B-1D（目标专利）中描述的声学耦合介质和台板结构是超声换能器领域的常见配置。虽然对比文件US20050146247A1未在其附图中明确画出，但其提及的“acoustic lens”应用于顶部表面，其作用类似于声学耦合介质，用于耦合超声信号。而“台板”在超声探头中常体现为保护层或透镜本身。 | **《直接公开》**。对比文件明确提到了在换能器阵列顶部施加声学透镜（acoustic lens）等材料。这属于“声学耦合介质”的一种具体形式，其作用是耦合超声信号。此外，在超声成像领域，换能器阵列通常通过声学耦合介质和/或保护层（可视为台板）与外部环境接触以发射/接收信号，这是本领域的公知常识。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件得出，阵列配置为经由其顶部的材料（声学耦合介质/透镜）接收或发射超声信号。台板的存在也是此类设备的隐含或常规特征。 |
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