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对比文件列表
2002-05-07_US6383141B_发明授权_US06383141B1 Ultrasound transducer_+++A_B_C_F_G_I_K_N_Q_R_Z_d_e_h+++.docx
2026-03-19 23:00
2002-06-27_US2002080999A_发明申请_US20020080999A1 System and method for highlighting a scene under vision guidance_+++B_C_g_h_q_r_s_t_u_v+++.docx
2026-03-19 23:00
2004-05-18_US6736779B_发明授权_US06736779B1 Ultrasonic probe and ultrasonic diagnostic device comprising the same_+++B_C_U_Z_a_g_i_q_r_s_t_w_x_y+++.docx
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2008-05-15_US2008110266A_发明申请_US20080110266A1 Transducer array imaging system_+++B_C_D_E_F_H_I_a_g_j_k_l_m_n_o_p_q_r_s_t_u_v_w_x_y+++.docx
2026-03-19 23:00
2008-05-29_US2008122317A_发明申请_US20080122317A1 MULTI-LAYER TRANSDUCERS WITH ANNULAR CONTACTS_+++c_g_q_r_s_t_u_z+++.docx
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2008-10-22_GB2448571A_发明专利_GB2448571A Multilayer piezoelectric microphone with annular, concentric electrodes_+++b_c_g_q_r_u+++.docx
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2010-04-29_US2010106431A_发明申请_US20100106431A1 APPARATUS AND METHOD FOR ULTRASONIC TESTING_+++B_C_G_I_Q_R_Z_a_d_e_f_h+++.docx
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2011-08-03_CN102143422A_发明公开_CN102143422A 圆形薄膜压电超声换能器_+++C_G_Q_R+++.docx
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2011-11-23_EP1214909A_发明公开_EP1214909A1 ULTRASONIC PROBE AND ULTRASONIC DIAGNOSTIC DEVICE COMPRISING THE SAME_+++A_B_C_g_i_q_r_s_t_u_w_x_y+++.docx
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2012-04-18_CN1766672B_发明授权_CN1766672B 控制马赛克式传感器阵列扫描的方法与装置_+++B_C_a_b_c_d_e_f_g_h_i_j_k_l_m_n_o_p_q_r_s_t_u_v_w_x_y_z+++.docx
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2012-08-16_JP2012152319A_发明专利_JP2012152319A Ultrasonic sensor and electronic appliance_+++B_C_D_E_G_H_a_f_i_j_k_l_q_r_s_t_u_z+++.docx
2026-03-19 23:00
2013-06-13_WO2013085737A_发明申请_WO2013085737A1 PIEZOELECTRIC TRANSFORMER_+++C_G_Q_R_b_h+++.docx
2026-03-19 23:00
2013-06-13_WO2013085737A_发明申请_WO2013085737A1 PIEZOELECTRIC TRANSFORMER_+++C_G_Q_R_b_h+++.docx

# 对比文件与目标专利特征比对分析

**对比文件名称**:2013-06-13_WO2013085737A_发明申请_WO2013085737A1 PIEZOELECTRIC TRANSFORMER

**目标专利名称**:用于2-D波束成形的压电超声换能器的超像素阵列 CN106999985B

**本次调用模型名称**:DeepSeek-R1

以下是根据目标专利权利要求划分的技术特征与对比文件进行比对的详细表格。

## 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:其包括:压电超声换能器元件阵列,所述阵列包含多个超像素区,每一超像素区包含至少两个像素组,所述至少两个像素组中的第一像素组安置于所述超像素区的中心部分中,且至少一第二像素组安置于所述超像素区的外部部分中。<br>**公开性判断**:未公开[0036] 所述压电变压器100包括压电层102、布置在压电层102的第一表面106上方的第一导电层104和布置在压电层102的与第一表面相对的第二表面110上方的第二导电层108。在一些实施方式中,所述第一导电层104包括第一组一个或多个第一电极112和第二组一个或多个第二电极114。在一些此类实施方式中,所述第一电极112与第二电极114交错排列。对比文件公开了一种压电变压器结构,包含压电层和布置在其上下表面的电极阵列。这些电极(如112, 114)是用于实现电能转换的变压器导电部件,其排列(如交错)是为了形成特定的电场分布以实现变压功能。而目标专利的“压电超声换能器元件阵列”是一个用于超声成像的传感器阵列,其“像素”是独立的超声换能元件,用于产生和接收声波。“超像素区”和“像素组”是根据声学波束成形需求,对换能器像素进行的空间分组(中心部分和外部部分),目的是通过控制不同组像素的激励时序来实现声压聚焦。对比文件中的电极阵列,其目的是电学能量转换(变压),而非声学换能或成像,也未将其划分为具有中心部分和外部部分、用于波束成形的“超像素区”和“像素组”。两者在技术领域、元件功能、结构划分目的上均存在本质区别。因此,本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出技术特征A。
**技术特征B**:收发器电子装置<br>**公开性判断**:隐含公开[0037] 所述压电变压器100还包括能够接收输入信号的第一端口或节点124。所述第一电极112电连接到第一端口124。所述压电变压器100还包括第二端口126,其能够电连接到负载并能够输出输出信号。所述第二电极114电连接到第二端口126。对比文件明确公开了与压电变压器电极相连接的端口(124, 126),这些端口用于接收输入信号和输出输出信号,是变压器与外部电路进行能量交换的接口。虽然对比文件未明确使用“收发器电子装置”这一术语,但端口的存在必然意味着与其连接的外部电子电路的存在,这些电路用于提供输入信号和处理输出信号,这构成了“电子装置”的基本要素。在广义上,这些用于信号输入输出的电子电路可以视为一种“收发器电子装置”。因此,本领域技术人员有可能从对比文件公开的端口及其功能,合理推断出存在与之配合的“收发器电子装置”。
**技术特征C**:和所述收发器电子装置与所述阵列之间的电耦合<br>**公开性判断**:直接公开[0037] 所述第一电极112电连接到第一端口124。...所述第二电极114电连接到第二端口126。对比文件明确记载了第一电极112连接到第一端口124,第二电极114连接到第二端口126。这种“电连接”清楚地公开了电极(对应于目标专利中“阵列”的组成部分)与端口(对应于“收发器电子装置”的接口)之间的导电路径,即“电耦合”。虽然目标专利的电耦合可能具有更具体的配置(如连接像素组与驱动端子),但“电耦合”这一基本特征已被对比文件实质公开。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出技术特征C。
**技术特征D**:其中所述收发器电子装置经配置以在第一模式和第二模式中的一可选择者中操作所述阵列<br>**公开性判断**:未公开对比文件全文未提及对阵列进行操作的模式选择。对比文件描述的是压电变压器作为一个电能转换器件的工作方式,其电极在输入信号驱动下产生机械振动并感应输出电信号。全文没有描述任何关于“操作模式”的选择,特别是没有涉及目标专利所定义的“第一模式”(平面波发射)和“第二模式”(聚焦波束发射)这两种截然不同的声学工作模式。选择性地以不同模式操作阵列是目标专利的核心创新点之一,对比文件完全没有涉及这一概念。
**技术特征E**:在所述第一模式中,所述阵列产生具有第一声压的基本上平面超声波<br>**公开性判断**:未公开对比文件全文未提及产生超声波,更未提及“平面超声波”或“声压”。对比文件涉及的是利用压电效应进行电能转换的“变压器”,其工作频率可能在射频范围,用于电路中的信号处理或能量传递。其产生的机械振动是器件内部的,目的是实现电-机-电的能量转换,而不是为了向外部介质(如空气或生物组织)发射用于成像的“超声波”。因此,对比文件完全没有公开“产生超声波”,尤其是“基本上平面超声波”这一技术特征。
**技术特征F**:且在所述第二模式中,所述阵列从每一超像素区产生具有第二声压的经聚焦波束,所述第二声压显著高于所述第一声压。<br>**公开性判断**:未公开对比文件全文未提及波束成形、聚焦波束或声压比较。对比文件仅描述了压电变压器的基本电能变换功能,没有任何内容涉及利用阵列中不同元件的时间延迟来控制声波相位,从而实现波束聚焦。目标专利中“经聚焦波束”以及“第二声压显著高于第一声压”是波束成形技术带来的特定声学效果,这在对比文件中完全没有记载或暗示。
**技术特征G**:其中所述收发器电子装置与所述阵列之间的所述电耦合包含连接所述第一像素组中的像素与第一驱动输入端子的第一经固定配置的导电路径,以及连接所述第二像素组中的像素与第二驱动输入端子的第二经固定配置的导电路径,所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子与所述收发器电子装置耦合。<br>**公开性判断**:直接公开[0037] 所述第一电极112电连接到第一端口124。...所述第二电极114电连接到第二端口126。对比文件明确公开了第一组电极(112)连接到第一端口(124),第二组电极(114)连接到第二端口(126)。这种连接是通过制造工艺形成的物理导电路径,可以认为是“经固定配置的”。端口(124, 126)作为信号的输入/输出端子,其功能类似于“驱动输入端子”,并与外部电路(即“收发器电子装置”)耦合。虽然电极分组的目的不同(目标专利为声学波束成形,对比文件为变压比),但“不同组电极通过固定导电路径连接到不同驱动端子”这一结构特征已被对比文件实质公开。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出技术特征G。
**技术特征H**:其中:在所述第一模式中,所述收发器电子装置同时发射信号到所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子中的每一者<br>**公开性判断**:隐含公开[0037] ...第一端口124能够接收输入信号...第二端口126...能够输出输出信号。 [0059] ...第一输入端口124p能够接收差分输入信号的第一分量...第二输入端口124n能够接收差分输入信号的第二分量...对比文件描述了向输入端施加输入信号。虽然未明确说明信号是“同时”发射到不同端口,但在电路操作中,向一个变压器的多个输入端口提供信号通常是同时进行的,以确保变压器正常工作。例如,在差分驱动方案(图7)中,差分信号的两个分量需要同时施加到两个输入端口。本领域技术人员可以合理推断,为了驱动对比文件中的变压器,必要时需要同时向不同的输入端子(或端口)提供信号。这隐含了“同时发射信号到...驱动输入端子...中的每一者”的可能性。
**技术特征I**:且在所述第二模式中,所述收发器电子装置依序发射信号到所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子中的每一者,使得在将第一发射信号递送到所述第二驱动输入端子与将第二发射信号递送到所述第一驱动输入端子之间发生时间延迟。<br>**公开性判断**:未公开对比文件全文未提及依序发射信号或为波束成形而引入时间延迟。目标专利中“依序发射信号”并引入“时间延迟”是实现声波聚焦(波束成形)的关键步骤。对比文件中的压电变压器作为无源器件,其工作依赖于施加的输入信号,但从未教导或暗示需要以特定的时间顺序向不同电极组施加信号以实现某种聚焦效应。所有关于信号施加的描述都是功能性的(如“接收输入信号”),而非时序控制性的。因此,该特征未被公开。
**技术特征J**:其中:所述超像素区包含布置于六方晶格上以便形成六边形的七个像素<br>**公开性判断**:未公开对比文件中的电极图案为线性交错排列(如图2-5),或为其他规则的阵列,但未公开“六方晶格”或“六边形”排列的七个像素构成的“超像素区”。对比文件公开的电极图案是用于优化电场分布和变压比的,其典型布局是周期性直线条(参见图2-5)。目标专利中“六方晶格”和“六边形”排列是专门为二维超声波束成形设计的超像素几何形状,以实现对称的声场聚焦。对比文件的电极布局在目的和几何构型上均与之不同,没有公开此特征。
**技术特征K**:所述第一像素组包含安置成接近于所述六边形的中心的一个中心像素<br>**公开性判断**:未公开无相应内容。此特征与技术特征J描述的特定超像素几何结构紧密相关。既然对比文件未公开六边形排列的超像素区,自然也不会公开其中心的“一个中心像素”。
**技术特征L**:且所述第二像素组包含六个像素,所述六个像素中的每一者以距所述中心像素大致相等的距离安置于所述超像素区的所述外部部分中。<br>**公开性判断**:未公开无相应内容。此特征同样是技术特征J所描述的特定超像素结构的组成部分。对比文件未公开该结构,因此也未公开环绕中心的六个像素组成的第二像素组。
**技术特征M**:其进一步包含第三像素组和第四像素组,其中:所述超像素区包含布置于六方晶格上以便形成六边形的十九个像素<br>**公开性判断**:未公开无相应内容。对比文件未公开任何由十九个像素以六方晶格排列形成的六边形超像素区结构。
**技术特征N**:所述第一像素组包含安置成接近于所述六边形的中心的一个中心像素<br>**公开性判断**:未公开无相应内容。同技术特征K,依赖于未公开的特定超像素结构。
**技术特征O**:所述第二像素组包含以距所述中心像素大致相等的距离安置于所述超像素区的外部部分中的六个像素<br>**公开性判断**:未公开无相应内容。同技术特征L,依赖于未公开的特定超像素结构。
**技术特征P**:且所述第三像素组包含六个像素,所述六个像素中的每一者安置于与所述第二像素组中的每一像素相比距所述中心像素较大距离处,且与所述第四像素组中的每一像素相比距所述中心像素较小距离处。<br>**公开性判断**:未公开无相应内容。此特征描述了多圈像素组的相对位置关系,是复杂超像素结构的一部分。对比文件完全没有涉及此类基于距离分组的像素布局。
**技术特征Q**:其中所述收发器电子装置与所述阵列之间的所述电耦合包含:第一经固定配置的导电路径,其连接所述第一像素组中的像素与第一驱动输入端子<br>**公开性判断**:直接公开[0037] 所述第一电极112电连接到第一端口124。同技术特征G的论述。对比文件公开了第一组电极连接到第一端口,这实质公开了“第一经固定配置的导电路径连接第一组(像素组)与第一驱动输入端子(端口)”。
**技术特征R**:第二经固定配置的导电路径,其连接所述第二像素组中的像素与第二驱动输入端子<br>**公开性判断**:直接公开[0037] ...所述第二电极114电连接到第二端口126。同技术特征G的论述。对比文件公开了第二组电极连接到第二端口,这实质公开了“第二经固定配置的导电路径连接第二组(像素组)与第二驱动输入端子(端口)”。
**技术特征S**:第三经固定配置的导电路径,其连接所述第三像素组中的像素与第三驱动输入端子<br>**公开性判断**:未公开对比文件中最多公开了两组电极(如112,114)分别连接到两个端口。对于更复杂的多级变压器(如图6),不同“级”的电极连接到不同端口,但这并非目标专利中同一超像素区内“第三像素组”的概念。目标专利的“第三像素组”是同一超像素区内的又一圈像素。对比文件没有公开将同一功能单元(如一个变压器或一个超像素)内的第三组元件连接到第三个独立驱动端子的结构。图6中的多级变压器是多个独立变压器的串联,每个变压器有自己的输入输出组,而非单个单元内的多组像素。因此,该特征未被公开。
**技术特征T**:第四经固定配置的导电路径,其连接所述第四像素组中的像素与第四驱动输入端子<br>**公开性判断**:未公开无相应内容。理由同技术特征S,对比文件未公开连接第四像素组与第四驱动输入端子的结构。
**技术特征U**:且所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入、所述第三驱动输入和所述第四驱动输入中的每一者与所述收发器电子装置耦合。<br>**公开性判断**:未公开对比文件公开了端口(如124,126)与外部电路连接。但未公开四个独立的驱动输入端子分别与收发器电子装置耦合。此特征与技术特征S、T相关,要求存在第三、第四驱动输入端子并与电子装置耦合。由于对比文件未公开对应于第三、第四像素组的独立驱动端子,因此该整体耦合关系也无法成立。
**技术特征V**:其中:在所述第一模式中,所述收发器电子装置同时发射信号到所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入端子、所述第三驱动输入端子和所述第四驱动输入端子中的每一者<br>**公开性判断**:未公开无相应内容。此特征涉及四个驱动端子的同时信号发射,其前提是存在这四个端子和对应的像素组。由于对比文件未公开该结构,因此也不可能公开向这四个端子同时发射信号的操作。
**技术特征W**:且在所述第二模式中,所述收发器电子装置依序发射信号到所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入端子、所述第三驱动输入端子和所述第四驱动输入端子中的每一者,使得:在将第一发射信号递送到所述第四驱动输入端子与将第二发射信号递送到所述第三驱动输入端子之间发生第一时间延迟<br>**公开性判断**:未公开无相应内容。此特征涉及更复杂的多组像素依序驱动和时间延迟,是实现复杂波束成形的关键。对比文件完全没有涉及任何形式的依序驱动或为聚焦而设计的时间延迟。
**技术特征X**:在将所述第二发射信号递送到所述第三驱动输入端子与将第三发射信号递送到所述第二驱动输入端子之间发生第二时间延迟<br>**公开性判断**:未公开无相应内容。同技术特征W。
**技术特征Y**:且在将所述第三发射信号递送到所述第三驱动输入端子与将第四发射信号递送到所述第一驱动输入端子之间发生第三时间延迟。<br>**公开性判断**:未公开无相应内容。同技术特征W。
**技术特征Z**:其进一步包括安置于所述阵列上方的台板和声学耦合介质,其中所述阵列经配置以经由所述台板和所述耦合介质接收或发射超声信号。<br>**公开性判断**:未公开对比文件全文未提及台板、声学耦合介质或经由它们接收/发射超声信号。目标专利的台板和声学耦合介质是用于将超声换能器阵列与外部成像对象(如手指)进行声学耦合的部件,是超声成像设备的关键组成部分。对比文件中的压电变压器是一个独立的电学器件,封装在腔体中(如图10),用于电路内部,并不需要与外部介质进行声学耦合以发射或接收超声波。因此,该特征未被公开。

## 结论与代码输出

基于以上分析:

- **直接公开**的技术特征有:C, G, Q, R。

- **隐含公开**的技术特征有:B, H。

- **未公开**的技术特征有:A, D, E, F, I, J, K, L, M, N, O, P, S, T, U, V, W, X, Y, Z。

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