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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
包括：形成包括光提取表面的结构，光提取表面包括具有第一材料特性的连续的第一层和具有第二材料特性的连续的第二层
B
粗糙化光提取表面以便创建延伸到第一和第二层中的特征
C
其中第一和第二材料特性对光提取表面的粗糙化反应实质上不相同。
权利要求 2
D
其中第一层包括AlGaN并且第二层包括GaN。
权利要求 3
E
其中第一层包括AlxGa1-xN
F
其中x在0.3和0.8之间。
权利要求 4
G
其中粗糙化包括光化学蚀刻
H
其中粗糙化包括对用于光化学蚀刻的灯的光谱进行滤波以相对于第一材料的蚀刻速率增加第二材料的蚀刻速率以增加尖锐度。
权利要求 5
I
其中第一层比第二层更耐受粗糙化。
权利要求 6
J
其中第二层比第一层更耐受粗糙化。
权利要求 7
K
其中形成光提取表面包括具有第三材料特性的第三层
L
粗糙化创建延伸到第三层中的特征
M
第三材料特性对光提取表面的粗糙化做出与第一和第二材料特性实质上不相同的反应。