对比文件名称：2019-01-31_US2019036186A_发明申请_US20190036186A1 POSITIVE ELECTRODE FOR METAL-AIR BATTERY, METAL-AIR BATTERY INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING CARBON NANOTUBE THIN FILM
目标专利名称：1515负极和包括所述负极的二次电池CN114730859B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括负极集电器。**未公开** | 对比文件涉及金属-空气电池的正极，未提及负极集电器。例如[0002]：“本公开涉及一种用于金属-空气电池的正极，包括碳纳米管薄膜、包括其的金属-空气电池以及制造碳纳米管薄膜的方法。”[0070]描述负极层为金属锂等，未涉及集电器。 | 目标专利的负极集电器是铜箔等导电支撑体，对比文件的正极结构中没有对应元件，且整体技术领域不同，本领域技术人员无法从对比文件得到或合理推断出该特征。 |
| 技术特征B：设置在所述负极集电器上的第一负极活性材料层。**未公开** | 对比文件[0066]：“金属-空气电池1包括负极层50、正极层10和气体扩散层60。”正极层由碳纳米管薄膜构成，没有第一负极活性材料层。 | 对比文件未公开任何设置在集电器上的负极活性材料层，第一负极活性材料层涉及负极活性物质（如碳基材料），对比文件中不存在对应层结构。 |
| 技术特征C：和设置在所述第一负极活性材料层上的第二负极活性材料层。**未公开** | 对比文件[0066]及后续描述中正极层仅包含碳纳米管薄膜，没有第二负极活性材料层。 | 目标专利要求两层负极活性材料层依次设置，对比文件无此多层负极结构，无法直接或隐含公开。 |
| 技术特征D：其中所述第一负极活性材料层包括第一负极活性材料和第一导电剂；并且所述第二负极活性材料层包括第二负极活性材料和第二导电剂。**未公开** | 对比文件[0066]述及正极层包括碳纳米管薄膜和电解质膜，碳纳米管薄膜本身作为电极材料，未区分活性材料和导电剂。 | 对比文件没有负极活性材料的概念，碳纳米管薄膜不充当负极活性材料，且无第一、第二活性材料层之分，不能公开该特征。 |
| 技术特征E：其中所述第二负极活性材料包括硅基活性材料。**未公开** | 对比文件全文未提及硅基活性材料。其正极活性物质为氧，负极活性物质为金属锂等。 | 目标专利的硅基活性材料用于负极以提高容量，对比文件未涉及任何硅基材料，故未公开。 |
| 技术特征F：所述硅基活性材料包括SiOx(0≤x<2)。**未公开** | 对比文件无任何关于SiOx的记载。 | SiOx是目标专利特有的负极材料，对比文件未公开，本领域技术人员无法从中获得该特征。 |
| 技术特征G：所述第二导电剂包括其中2至5,000个单壁碳纳米管单元并排结合的碳纳米管结构。**《直接公开》** | [0085]：“此外，在一个实例中，根据一个实施例的碳纳米管薄膜100中包括的碳纳米管110可以是例如单壁碳纳米管(SWNT)、双壁碳纳米管(DWNT)、多壁碳纳米管(MWNT)或其组合。此外，在碳纳米管薄膜100中包括的碳纳米管110可以是包括单根碳纳米管或多根碳纳米管的纤维形式，即碳纳米管束，例如，构成单根纤维的两根至二十五根碳纳米管。” | 对比文件明确公开了由2‑25根碳纳米管构成的束，该束可包含单壁碳纳米管，且单壁碳纳米管单元在束中并排结合。目标专利要求2‑5000个，对比文件公开的2‑25个落入该范围，因此直接公开了该碳纳米管结构（束）。 |
| 技术特征H：所述碳纳米管结构以0.01重量％至1.0重量％的量被包括在所述第二负极活性材料层中。**未公开** | [0015]：“碳纳米管薄膜中碳纳米管的负载量可以大于或等于约25微克/平方厘米且小于或等于约5毫克/平方厘米。”[0066]表明碳纳米管薄膜与电解质膜等结合，碳纳米管本身为薄膜主要成分。 | 对比文件仅公开面密度，未给出活性材料层中的重量百分比；且其碳纳米管薄膜中碳纳米管含量接近100%，远高于1.0%。故无法公开或合理推断该含量范围。 |
| 技术特征I：所述第一导电剂包括选自由所述碳纳米管结构和多壁碳纳米管单元构成的群组中的至少一种。**未公开** | 对比文件[0008]等提到正极可包括多壁碳纳米管，但未涉及第一导电剂，也没有第一负极活性材料层。 | 目标专利的第一导电剂用于第一负极活性材料层，对比文件无该层，也未指定导电剂类型用于该特定层，故未公开。 |
| 技术特征J：其中所述碳纳米管结构在所述第二负极活性材料层中互连以形成网络结构。**《隐含公开》** | [0066]：“正极层10可以包括一个或多个碳纳米管薄膜100，每个碳纳米管薄膜包括多个碳纳米管110”；[0082]：“多个碳纳米管层可以彼此堆叠以形成碳纳米管薄膜100”；图5A‑5D显示碳纳米管对齐和搭接形成网络。 | 对比文件中的碳纳米管薄膜内碳纳米管相互搭接形成导电网络（尽管在正极中）。本领域技术人员可以合理推断该碳纳米管结构在负极活性材料层中同样会互连形成网络，故隐含公开。 |
| 技术特征K：其中在所述碳纳米管结构中。**《直接公开》** | [0085]公开了碳纳米管束（即碳纳米管结构）。 | 对比文件直接描述了碳纳米管束（bundle of carbon nanotubes），即碳纳米管结构，故直接公开。 |
| 技术特征L：所述单壁碳纳米管单元在所述单壁碳纳米管单元的长轴彼此平行布置的状态下结合。**《直接公开》** | [0085]：“碳纳米管束”（bundle of carbon nanotubes）。本领域公知，束内碳纳米管的长轴基本平行排列且相互结合。 | 对比文件中的碳纳米管束天然具有碳纳米管平行排列的特征，因此直接公开了单壁碳纳米管单元在长轴平行布置状态下结合这一结构特征。 |
| 技术特征M：其中所述碳纳米管结构的平均长度为1μm至500μm。**《直接公开》** | [0013]：“多个第一碳纳米管、多个第二碳纳米管或其组合的平均长度可以大于或等于50微米并且小于或等于1厘米。” | 对比文件公开的平均长度范围50μm‑1cm（即50‑1000μm），其中50‑500μm部分完全落入目标专利的1‑500μm范围内，因此直接公开了该特征。 |
| 技术特征N：其中所述碳纳米管结构的平均长度为2μm至50μm。**《直接公开》** | [0013]同样公开了平均长度≥50μm，即端点50μm被明确公开。 | 目标专利的2‑50μm包含端点50μm，故对比文件直接公开了该长度范围的上限，从而公开了该特征（端点落入范围视为公开）。 |
| 技术特征O：其中所述碳纳米管结构的平均直径为2nm至500nm。**《直接公开》** | [0014]：“多个第一碳纳米管、多个第二碳纳米管或其组合的平均直径可以大于或等于约1纳米并且小于或等于约50纳米。” | 对比文件公开的直径1‑50nm，其中2‑50nm部分完全落入目标专利的2‑500nm范围内，故直接公开。 |
| 技术特征P：其中所述碳纳米管结构的平均直径为5nm至200nm。**《直接公开》** | [0014]公开的1‑50nm中，5‑50nm部分落入目标专利的5‑200nm范围。 | 同样，对比文件公开的子范围被直接包含，因此直接公开了该特征。 |
| 技术特征Q：其中在所述碳纳米管结构中。**《直接公开》** | 同K，[0085]公开了碳纳米管结构（束）。 | 理由同特征K，直接公开。 |
| 技术特征R：所述单壁碳纳米管单元的平均直径为0.5nm至10nm。**《隐含公开》** | [0014]公开了碳纳米管平均直径1‑50nm，未特指单壁；[0085]公开了碳纳米管可以是单壁碳纳米管（SWNT）。 | 本领域技术人员知晓单壁碳纳米管的典型直径通常在0.5‑10nm范围内。对比文件公开了碳纳米管包含单壁碳纳米管，且平均直径范围为1‑50nm，因此可合理推断单壁碳纳米管单元的平均直径落入0.5‑10nm，故隐含公开。 |
| 技术特征S：其中所述碳纳米管结构是其中彼此结合有2至50个单壁碳纳米管单元的碳纳米管结构。**《直接公开》** | [0085]公开了“两根至二十五根碳纳米管构成束”。 | 对比文件明确公开了2‑25个碳纳米管单元构成束，该数量范围（2‑25）完全落入目标专利的2‑50范围内，故直接公开。 |
| 技术特征T：其中所述第一负极活性材料层的厚度为1μm至100μm。**未公开** | [0086]：“碳纳米管薄膜可以是薄膜，厚度从约1nm到约1000nm。”此为碳纳米管薄膜厚度，而非第一负极活性材料层。 | 对比文件未公开任何负极活性材料层厚度，且其薄膜厚度远小于1μm，无法公开或推导出目标专利的厚度范围。 |
| 技术特征U：其中所述第二负极活性材料层的厚度为1μm至100μm。**未公开** | 同T，对比文件仅公开碳纳米管薄膜厚度（nm级），未涉及第二负极活性材料层。 | 理由同T，未公开。 |
**说明**：本评估严格依据目标专利权利要求的划分进行逐项比对，未公开的特征均未被对比文件直接或隐含公开。
结尾代码：
直接公开特征：<<<G>>><<<K>>><<<L>>><<<M>>><<<N>>><<<O>>><<<P>>><<<Q>>><<<S>>>
隐含公开特征：<<<j>>><<<r>>>