对比文件：2001-04-13_JP2001102696A_发明专利_JP2001102696A Wiring board and manufacturing method therefor
目标专利：1558印刷电路板CN113243145B
本次调用的模型名称：DeepSeek-Chat
### 特征比对表格
| 第一栏：技术特征描述及公开性判断结果 | 第二栏：对比文件原文引用（中文翻译） | 第三栏：公开性论述 |
| **技术特征A：包括**<br>《直接公开》 | [0010]：“即ち、本発明の配線基板は、熱硬化性樹脂を含む絶縁材料からなる絶縁基板の表面および／または内部に、線幅が０．５ｍｍ以下の微細配線層と、線幅が１ｍｍ以上の幅広配線層が形成されており…”（翻译：“即，本发明的配线基板在由含有热固化性树脂的绝缘材料构成的绝缘基板的表面和/或内部，形成有线宽为0.5mm以下的微细配线层和线宽为1mm以上的宽幅配线层……”） | 对比文件公开了一种配线基板，其包括绝缘基板和配线层等必要组成部分，因此技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B：绝缘层**<br>《直接公开》 | [0010]：“熱硬化性樹脂を含む絶縁材料からなる絶縁基板”；[0014]：“絶縁層１ａ，１ｂを積層してなる絶縁基板”（翻译：“由含有热固化性树脂的绝缘材料构成的绝缘基板”；“将绝缘层1a、1b层叠而成的绝缘基板”） | 对比文件明确公开了绝缘基板，该绝缘基板由绝缘层构成，因此技术特征B被直接公开。 |
| **技术特征C：电路图案**<br>《直接公开》 | [0010]：“線幅が０．５ｍｍ以下の微細配線層”（翻译：“线宽为0.5mm以下的微细配线层”） | 对比文件公开的微细配线层作为信号导体线，相当于电路图案，因此技术特征C被直接公开。 |
| **技术特征D：所述电路图案设置在所述绝缘层上**<br>《直接公开》 | [0010]：“絶縁基板の表面および／または内部に、…微細配線層が形成されており”；[0014]：“その表面には、線幅が０．５ｍｍ以下…の微細配線層３が形成され”（翻译：“在绝缘基板的表面和/或内部形成有微细配线层”；“在其表面形成有线宽0.5mm以下的微细配线层3”） | 对比文件公开了微细配线层设置在绝缘基板的表面或内部，因此技术特征D被直接公开。 |
| **技术特征E：其中，所述电路图案包括上表面、下表面、第一侧表面和第二侧表面**<br>《直接公开》 | [0024]：“この微細配線層６の断面は、図３ａに示すように、台形形状である”；[0016]：“信号導体線３の断面は、図１に示すように、台形形状である”（翻译：“该微细配线层6的截面如图3a所示，为梯形形状”；“信号导体线3的截面如图1所示，为梯形形状”） | 对比文件明确微细配线层（电路图案）的截面为台形（梯形），梯形必然具有上表面、下表面以及两个侧表面，因此技术特征E被直接公开。 |
| **技术特征F：所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.31μm以下**<br>未公开 | [0016]：“信号導体線３においては、絶縁基板２との界面３ａの表面粗さ（Ｒａ）を０．３μｍ以下”；[0027]：“用いる金属箔…表面粗さＲａが０．３μｍ以下”（翻译：“信号导体线3中，与绝缘基板2的界面3a的表面粗糙度（Ra）为0.3μm以下”；“所用的金属箔…表面粗糙度Ra为0.3μm以下”） | 对比文件仅明确限定了信号导体线与绝缘基板界面（即下表面）的Ra≤0.3μm，未对电路图案的上表面、第一侧表面、第二侧表面的粗糙度进行限定，更未提及至少三个表面同时满足Ra≤0.31μm。虽然铜箔本身表面粗糙度可能较低，但侧表面因刻蚀通常较粗糙，且对比文件未给出任何教导或暗示需要控制侧表面粗糙度。因此，本领域技术人员不能毫无疑义地确定至少三个表面均满足该范围，也无法合理推断出该技术特征，故技术特征F未被对比文件公开。 |
| **技术特征G：其中，在所述电路图案的表面中长度长的部分的粗糙度小于长度小的部分的粗糙度**<br>未公开 | 对比文件未涉及该特征的相关描述。 | 对比文件没有公开或暗示电路图案不同表面之间的粗糙度与表面长度的关系，技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H：其中，所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.17μm以下**<br>未公开 | [0016]提到界面Ra≤0.3μm、特に0.2μｍ以下。但未公开0.17μm以下。 | 对比文件仅公开了界面Ra≤0.3μm，优选≤0.2μm，未明确公开0.17μm以下的数值范围，且针对至少三个表面的条件更不存在，故未公开。 |
| **技术特征I：其中，所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.1μm至0.13μm**<br>未公开 | [0027]提到表面粗さＲａが特に０．１μｍ以下が最適，但仅针对铜箔，且不是针对多个表面。 | 对比文件未定义至少三个表面具有该特定数值范围，故未公开。 |
| **技术特征J：其中，所述电路图案的宽度方向上的横截面中的所述上表面的长度和所述下表面长度中的至少一个与所述电路图案的所述横截面中的所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度中的至少一个不同**<br>《直接公开》 | [0024]：“断面は、台形形状”（翻译：“截面为梯形形状”） | 对比文件中电路图案（微细配线层）截面为梯形，上表面宽度和下表面宽度彼此不同，且它们均与侧表面的长度（高度）不同。因此至少有一个上述长度关系不同，技术特征J被直接公开。 |
| **技术特征K：其中，所述电路图案的所述上表面和所述下表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)与所述电路图案的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)不同**<br>《隐含公开》 | [0016]规定下表面（界面）Ra≤0.3μm；但对侧表面无粗糙度要求。且从制造工艺（金属箔刻蚀）可知侧表面通常较粗糙。 | 对比文件明确要求下表面（界面）的粗糙度Ra≤0.3μm，而对侧表面的粗糙度未作要求。本领域技术人员根据公知常识或对比文件隐含的教导可知，通过刻蚀形成的侧表面粗糙度通常大于界面处经过控制的平滑表面。因此可以合理推断出下表面（或上表面，若使用平滑铜箔）的粗糙度与侧表面的粗糙度不同，故技术特征K被隐含公开。 |
| **技术特征L：其中，所述电路图案的所述横截面中的所述上表面的长度和所述下表面的长度中的至少一个大于所述电路图案的所述横截面中的所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度中的至少一个；并且中，所述电路图案的所述上表面和所述下表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)小于所述电路图案的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)**<br>《隐含公开》 | 关于长度关系：台形截面下表面宽度大于侧表面高度（直接公开）。关于粗糙度关系：对比文件公开下表面Ra≤0.3μm，侧表面粗糙度未限定，可推断侧表面较粗糙。 | 对比文件公开了电路图案为台形截面，其中下表面的宽度（长度）大于侧表面的高度（长度）（直接公开）。同时，对比文件明确下表面（界面）的粗糙度Ra≤0.3μm，而对侧表面的粗糙度未做限定。在刻蚀工艺下，侧表面通常较粗糙，因此本领域技术人员可以合理推断下表面的粗糙度小于侧表面的粗糙度。故技术特征L中长度关系部分直接公开，粗糙度关系部分隐含公开，整体技术特征L被隐含公开。 |
| **技术特征M：其中，所述上表面的长度是所述上表面的宽度**<br>《直接公开》 | [0024]：“断面は、台形形状”（翻译：“截面为梯形形状”） | 对比文件中电路图案的截面为台形，其上表面为一条线段，其长度即为其宽度，故技术特征M被直接公开。 |
| **技术特征N：其中，所述下表面的长度是所述下表面的宽度**<br>《直接公开》 | 同上台形截面。 | 同理，下表面的长度即为下表面的宽度，直接公开。 |
| **技术特征O：所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度是所述电路图案的高度**<br>《直接公开》 | 台形截面的侧表面长度为电路图案的厚度（高度）。 | 在台形截面中，侧表面的长度对应电路图案的高度，直接公开。 |
| **技术特征P：其中，所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Rq)为0.42μm以下**<br>未公开 | 对比文件仅使用了Ra表示粗糙度，未提及Rq。 | 对比文件未使用Rq参数描述粗糙度，也未公开任何关于Rq的取值范围，故技术特征P未公开。 |
| **技术特征Q：其中，所述电路图案的阻抗为35.3Ω以下**<br>未公开 | 对比文件未公开阻抗值。 | 对比文件未涉及电路图案的阻抗值，更未提及35.3Ω以下的范围，故未公开。 |
| **技术特征R：其中，所述电路图案包括：电镀种子层**<br>未公开 | 对比文件电路图案由金属箔刻蚀形成，无电镀种子层。 | 对比文件的微细配线层通过金属箔刻蚀形成，并非通过电镀种子层加工，未公开电镀种子层，故未公开。 |
| **技术特征S：所述电镀种子层设置在所述绝缘层上**<br>未公开 | 同R。 | 同R，未公开种子层，故未公开。 |
| **技术特征T：图案层**<br>未公开 | 对比文件未区分种子层和图案层。 | 对比文件未公开图案层，故未公开。 |
| **技术特征U：所述图案层设置在所述电镀种子层上**<br>未公开 | 同R。 | 同R，未公开。 |
| **技术特征V：其中，所述电路图案的所述上表面是所述图案层的上表面**<br>未公开 | 对比文件没有图案层的概念。 | 对比文件电路图案的上表面是金属层的上表面，但与目标专利中特定图案层不同，故未公开。 |
| **技术特征W：其中，所述电路图案的所述下表面是所述电镀种子层的下表面**<br>未公开 | 同R。 | 同R，未公开。 |
| **技术特征X：其中，所述电路图案的所述第一侧表面包括所述电镀种子层的第一侧表面和所述图案层的第一侧表面；并且中，所述电路图案的所述第二侧表面包括所述电镀种子层的第二侧表面和所述图案层的第二侧表面**<br>未公开 | 对比文件无种子层和图案层的分层结构。 | 对比文件无种子层和图案层的分层结构，故未公开。 |
| **技术特征Y：其中，所述电路图案的宽度方向上的横截面中的所述上表面的长度小于所述电路图案的所述宽度方向上的所述横截面中的所述下表面的长度**<br>《直接公开》 | [0024]：“断面は、台形形状”（翻译：“截面为梯形形状”） | 对比文件公开了微细配线层的截面为台形，台形上表面宽度小于下表面宽度，因此上表面的长度（宽度）小于下表面的长度（宽度），直接公开技术特征Y。 |
| **技术特征Z：其中，所述电路图案的所述宽度方向上的所述横截面中的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个具有规定的倾斜角度并且连接在所述电路图案的所述上表面和所述下表面之间**<br>《直接公开》 | [0024]：“断面は、台形形状”（翻译：“截面为梯形形状”） | 对比文件明确电路图案的截面为台形，台形的两侧边倾斜，连接上表面和下表面，因此技术特征Z直接公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<J>>><<<M>>><<<N>>><<<O>>><<<Y>>><<<Z>>><<<k>>><<<l>>>