对比文件名称：2007-03-08_JP2007057622A_发明专利_JP2007057622A Optical element, manufacturing method thereof, method for manufacturing shape transfer mold for optical element, and transfer mold for optical element
目标专利名称：1561全息光学元件及其制造方法CN113728257B
模型名称：AI模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（日文中译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述制造方法包括《直接公开》 | 对比文件标题为“光学元件、其制造方法、光学元件用形状转印型及其制造方法”；说明书第1段：“本发明涉及……光学元件，进一步涉及该光学元件的制造方法”。 | 对比文件明确涉及光学元件的制造方法，因此直接公开了制造方法这一主题。 |
| 技术特征B：通过用光敏树脂涂覆基底的一个表面来形成光敏基底的步骤(a)《直接公开》 | 第[0021]段：“在基板上涂布光反应性材料”；第[0010]段：“将感光性高分子材料（抗蚀剂）涂覆在基底上”。 | 对比文件明确公开了在基底上涂布光敏树脂（光反应性材料）的步骤，这是制造微细结构的基本准备步骤。 |
| 技术特征C：通过用激光照射所述光敏基底的一个表面和另一个表面中的每一者来记录所述全息光栅的步骤(b)《未公开》 | 对比文件公开了用激光照射光敏材料的方法，例如第[0010]段：“将激光干涉并照射到抗蚀剂上”；第[0021]段：“在材料中聚焦激光，仅在聚焦点附近引起多光子吸收”。 | 对比文件中的激光照射均是从单一方向进行（干涉或聚焦），未公开从光敏基底的两面分别照射以记录全息光栅。本领域技术人员从对比文件的内容不能直接且毫无疑义地得出需要从两面照射的步骤。 |
| 技术特征D：其中在所述步骤(a)中施加所述光敏树脂使得光敏树脂涂层的高度沿预定方向变化《隐含公开》 | 第[0010]段：“结构形成在抗蚀剂中，高度由抗蚀剂厚度规定”。 | 虽然对比文件没有直接在涂覆步骤中描述涂层高度变化，但明确指出了结构高度由涂层厚度决定。本领域技术人员为了实现空间变化的结构高度，可以合理推断出通过预先改变涂层厚度来实现高度变化，从而隐含公开了在涂覆时使涂层高度沿预定方向变化的技术手段。 |
| 技术特征E：所述全息光栅记录在所述光敏树脂涂层的整个高度上《未公开》 | 对比文件中描述的微结构是表面浮雕型，例如第[0002]段：“表面浮雕型衍射光学元件”。未提及记录在涂层整个高度内的体全息光栅。 | 对比文件中的微结构是通过曝光或加工在表面形成的浮雕结构，不是贯穿整个涂层厚度的体全息光栅。因此该特征未被公开。 |
| 技术特征F：所述全息光栅的高度沿所述预定方向变化；并且所述光敏树脂涂层的高度沿所述预定方向逐渐增加《隐含公开》 | 第[0001]段：“通过空间调制至少一部分结构的高度来改变透射光的相位”；第[0018]段：“连续平滑的表面浮雕结构”。 | 对比文件直接公开了微结构高度空间变化以实现相位调制，包括逐渐变化（连续结构）。同时，基于涂层高度决定结构高度的认识（第[0010]段），涂层高度沿预定方向逐渐增加也被隐含公开。因此整体特征被隐含公开。 |
| 技术特征G：所述全息光栅的高度沿所述预定方向逐渐增加《直接公开》 | 第[0018]段记载了“连续平滑的曲面结构”；第[0017]段提到“通过改变聚焦点与基底的距离来逐渐改变结构体高度”。 | 对比文件公开了微结构高度可以逐渐增加（连续变化），例如通过多光子吸收法使高度连续变化。因此直接公开了全息光栅（微结构）高度逐渐增加的特征。 |
| 技术特征H：所述全息光栅具有相同的宽度《直接公开》 | 第[0022]段：“在光学元件起作用的区域中，所述结构以等间距制造”；第[0018]段：“同一周期的矩形格子或柱状结构或多段结构”。 | 等间距制造且为矩形格子或柱状意味着结构宽度可以相同（恒定占空比）。对比文件明确公开了等间距结构，进一步地，本领域技术人员可理解宽度相同是典型实施方式，因此直接公开。 |
| 技术特征I：其中在所述步骤(a)中将所述光敏树脂喷涂至所述基底的一个表面上多个位置处《未公开》 | 对比文件未提及喷涂方式。 | 对比文件中涂覆方式一般为旋涂、浸涂或滴涂，没有明确记载喷涂至多个位置。 |
| 技术特征J：喷涂的光敏树脂的量根据位置而变化《未公开》 | 对比文件未提及喷涂及量变化。 | 同I，未公开。 |
| 技术特征K：其中所述步骤(a)包括将所述基底浸入包含所述光敏树脂的容器中的步骤(a-1)《未公开》 | 对比文件未提及浸入容器步骤。 | 对比文件无相关内容。 |
| 技术特征L：和通过在一个方向上移动所述基底将所述基底与所述容器分离的步骤(a-2)《未公开》 | 对比文件未提及。 | 同上。 |
| 技术特征M：在所述步骤(a-2)中在改变所述基底的移动速度的同时将所述基底与所述容器分离《未公开》 | 对比文件无浸涂及速度变化。 | 同上。 |
| 技术特征N：其中所述步骤(a)包括在所述基底与辅助基底之间提供所述光敏树脂的步骤(a-1)《未公开》 | 对比文件未提及辅助基底及之间提供光敏树脂。 | 对比文件无相关内容。 |
| 技术特征O：和移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者的步骤(a-2)《未公开》 | 对比文件未提及。 | 同上。 |
| 技术特征P：在所述步骤(a-2)中在改变所述基底和所述辅助基底中的一者相对于另一者的相对移动速度的同时移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者《未公开》 | 对比文件未提及。 | 同上。 |
| 技术特征Q：其中在所述步骤(a)中在所述基底的一个表面相对于基面倾斜的状态下提供所述光敏树脂《未公开》 | 对比文件未提及倾斜状态。 | 对比文件未公开此特征。 |
| 技术特征R：将所述光敏树脂干燥《未公开》 | 对比文件在显影后可能有干燥，但未在涂覆步骤中明确干燥步骤。 | 对比文件未提及在倾斜状态下提供后干燥。 |
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