对比文件名称：2002-02-15_JP2002050774A_发明专利_JP2002050774A Voltage-controlled oscillator
目标专利名称：271三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B
本次调用的模型名称：深度思考与严谨分析的专利代理师模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：包括至少一个电感器的第一层级**<br>**判断结果：隐含公开** | [0007]【０００７】図６は一般的な電圧制御発振器１のブロック構成を示す。 同図において、電圧制御発振器１は、ゲイン−Ａのアンプ７と、**インダクタ及びコンデンサを用いて構成されたゲインＢ（ｊω）のＬＣ移相器８**とを備える。<br>（译文：图6示出了一般电压控制振荡器1的框图。在该图中，电压控制振荡器1具有增益-A的放大器7、以及**由电感和电容构成的增益B(jω)的LC移相器8**。） | 对比文件公开了电压控制振荡器包含由电感（インダクタ）和电容构成的LC移相器（LC位相器），因此公开了“至少一个电感器”。关于“第一层级”，对比文件[0041]及图1描述了将电压控制可变电容（15）与集成了其他电路元件（17）的本体集成电路（9）制作为分离的芯片，并将可变电容芯片堆叠在本体集成电路芯片上方。虽然对比文件未明确将电感器划分在名为“第一层级”的实体中，但根据其整体技术方案，LC移相器中的电感器作为振荡器必要元件，理应集成在本体集成电路（9）或类似结构中。本领域技术人员在阅读对比文件后，能够理解为实现振荡功能，需要将包含电感器的电路部分与可变电容部分在三维空间上进行布置和连接，这种将不同功能元件分置于不同芯片/层级并堆叠的结构，属于本领域实现三维集成的常规技术手段。因此，对比文件隐含公开了“包括至少一个电感器的第一层级”这一技术特征。 |
| **技术特征B：，其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器**<br>**判断结果：未公开** | 无相关引用。 | 对比文件全文均未提及“穿基板通孔电感器”（Through-Substrate Via Inductor）或类似结构。其LC移相器中的电感器（インダクタ）是常规平面电感或集总电感，未公开其具体为穿基板通孔类型。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征C：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级，**<br>**判断结果：隐含公开** | [0041]【００４１】図１の電圧制御発振器１において、１５は図６に示すＬＣ移相器８の一部を構成する**電圧制御可変容量**である。 ９は本体集積回路であって、半導体基板１６には前記電圧制御可変容量１５以外の回路素子１７、例えば電圧制御発振器１を構成する抵抗や他のコンデンサなどが集積されている。... 前記本体集積回路９とは別チップにて構成された電圧制御可変容量１５は、**本体集積回路９の上方に配置される**。<br>（译文：在图1的电压控制振荡器1中，15是构成图6所示LC移相器8的一部分的**电压控制可变电容**。9是本体集成电路，在半导体基板16上集成了除该电压控制可变容量15以外的电路元件17，例如构成电压控制振荡器1的电阻和其他电容器等。... 构成与所述本体集成电路9不同芯片的电压控制可变容量15，**被配置在本体集成电路9的上方**。） | 对比文件明确公开了“电压控制可变容量”（電圧制御可変容量），其功能是通过施加的控制电压改变PN结电容，这与目标专利中“变抗器”（varactor）的功能实质相同。同时，对比文件描述了该可变电容与包含其他电路元件（可能包含LC移相器中的电感器）的“本体集成电路”是分离的芯片，并堆叠在本体集成电路的上方。这种位于上方的单独芯片，可以理解为“第二层级”。虽然对比文件未明确文字记载可变电容“耦合到”电感器，但根据[0007]和[0041]，该可变电容是LC移相器的一部分，而LC移相器包含电感器，因此本领域技术人员可以毫无疑义地推断，该可变电容必然与电感器电性耦合以形成振荡回路。因此，对比文件隐含公开了“包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级”。 |
| **技术特征D：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。**<br>**判断结果：未公开** | [0007]【０００７】...**インダクタ及びコンデンサを用いて構成された...ＬＣ移相器８**とを備える。<br>（译文：...具备**由电感和电容构成的...LC移相器8**。） | 对比文件公开了电感器和可变电容（变抗器）共同形成LC移相器，该移相器是电压控制振荡器中的核心部件，用于产生特定频率的振荡信号。而目标专利中的“可调谐共用器”（Tunable Diplexer）是一种用于频率复用/分离的双工滤波器，其功能、结构和应用场景（如载波聚合）与对比文件的振荡器有本质区别。本领域技术人员无法从对比文件的LC振荡器电路中，毫无疑义地得出或合理推断出“可调谐共用器”这一特定器件。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。**<br>**判断结果：未公开** | [0030]【００３０】...前記電圧制御可変容量は、前記ＰＮ接合を形成するＮ型領域の不純物濃度が前記ＰＮ接合面からの距離に比例して低くなる**超階段接合**で構成された可変容量であることを特徴とする。<br>（译文：...所述电压控制可变容量，其特征在于，是由形成所述PN结的N型区域的杂质浓度随离所述PN结界面的距离成比例降低的**超阶梯结**构成的可变容量。） | 对比文件详细描述了其电压控制可变容量采用“超阶梯结”（超階段接合）的半导体结构来实现大的电容变化比，但并未提及该可变容量是制作在“玻璃上覆硅”（SOG）基板上的。目标专利中限定的SOG变抗器是一种特定工艺和材料体系的器件。对比文件未公开SOG这一具体技术手段。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。**<br>**判断结果：未公开** | 无相关引用。 | 同技术特征B，对比文件未提及任何关于“穿玻通孔”（Through-Glass Via）或“穿基板通孔”电感器的内容。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征G：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。**<br>**判断结果：未公开** | [0007]【０００７】...**インダクタ及びコンデンサを用いて構成された...ＬＣ移相器８**とを備える。<br>（译文：...具备**由电感和电容构成的...LC移相器8**。） | 对比文件中的电感器和可变电容形成的是LC移相器，其功能是在振荡器中提供180度相移以满足振荡条件，并非用于滤波，更不是目标专利所限定的“可调谐共用器内的低通(LP)滤波器”。两者的功能和电路拓扑结构不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征H：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。**<br>**判断结果：未公开** | [0049]【００４９】図２は本実施の形態の電圧制御発振器の具体的構造を示す。 同図の電圧制御可変容量１５'は、...**第１の超階段接合容量１５Ａと**、...**第２の超階段接合容量１５Ｂと**を備える。<br>（译文：图2示出了本实施方式的电压控制振荡器的具体结构。该图的电压控制可变容量15'具有...**第一超阶梯结容量15A**和...**第二超阶梯结容量15B**。） | 对比文件在第二实施例（图2-4）中公开了包含两个可变容量（15A， 15B）的电压控制可变容量15’，并通过开关切换来扩展振荡频率范围。然而，这些可变容量仍然是电压控制振荡器LC移相器的一部分，其目的是调节振荡频率，而不是与“多个第二电感器”结合形成“可调谐共用器的LP滤波器”。目标专利特征H描述的是共用器内部一个特定滤波器的完整结构，对比文件完全没有公开这样的结构或目的。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。**<br>**判断结果：未公开** | [0009]【０００９】...電圧制御発振器１の出力信号ｆｏの周波数ｆｖｃｏの可変方法については、図６に示すＬＣ移相器７において、コンデンサの容量値を印加電圧により可変にできる電圧制御可変容量を用いることが一般的である。<br>（译文：...关于电压控制振荡器1的输出信号fo的频率fvco的可变方法，在图6所示的LC移相器7中，通常使用可通过施加电压来可变电容器电容值的电压控制可变容量。） | 对比文件明确公开了其变抗器（电压控制可变容量）用于调节电压控制振荡器的输出频率（fvco）。而目标专利中的变抗器用于调节“可调谐共用器内的滤波器的陷波频率”。两者调节的对象完全不同：一个是振荡器的振荡频率，另一个是滤波器的阻带（陷波）频率。本领域技术人员无法从对比文件公开的“调节振荡频率”直接且毫无疑义地得出“调节滤波器陷波频率”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。**<br>**判断结果：未公开** | 无相关引用。 | 对比文件未提及电感器具有“控制滤波器的截止频率”这一功能。其电感器在LC移相器中的作用是与电容共同决定振荡频率，而非控制滤波器的截止特性。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。**<br>**判断结果：隐含公开** | [0041]【００４１】...前記本体集積回路９とは**別チップにて構成された**電圧制御可変容量１５は、本体集積回路９の上方に配置される。... そして、これらの対応するチップ電極１２、１３同士は**バンプと呼ばれる導電性金属１０にて接続されている**。<br>（译文：...构成与所述本体集成电路9**不同芯片的**电压控制可变容量15，被配置在本体集成电路9的上方。... 然后，这些对应的芯片电极12、13之间通过**被称为凸块的导电性金属10连接着**。） | 对比文件公开了将电压控制可变容量芯片与本体集成电路芯片通过凸点（バンプ）进行垂直互连并堆叠的结构。这实质上是将两个或多个半导体管芯（chip）在三维方向上进行集成，属于三维集成电路（3D IC）的一种典型实现方式（如管芯堆叠）。虽然对比文件未使用“三维集成电路”这一术语，但其描述的结构本质就是三维集成。本领域技术人员能够从这种芯片堆叠和垂直互连的结构中，合理推断出“三维集成电路集成到半导体管芯中”这一技术特征。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。**<br>**判断结果：未公开** | 无相关引用。 | 对比文件仅描述了电压控制振荡器本身的结构和制造方法，并未提及将该振荡器或其所在的三维集成电路集成到任何具体的终端设备或产品中。目标专利特征L所列举的具体设备类型，在对比文件中均无记载。因此，该技术特征未被公开。 |
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