对比文件名称：2010-03-16_US7678695B_发明授权_US07678695B2 Circuit substrate and method for fabricating the same
目标专利名称：三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法 CN105191123B
模型名称：GPT-4
根据目标专利说明书和权利要求，以及对比文件说明书，现进行技术特征比对如下：
### **特征比对表格**
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：包括：包括至少一个电感器的第一层级**<br>**《未被公开》** | 无直接对应内容。对比文件公开了具有穿基板通孔(Via electrode)的基板（例如玻璃基板16），但并未描述或暗示这些通孔结构作为电感器使用。 | 目标专利中的“电感器”是构成可调谐共用器滤波器的核心无源元件，用于提供电感。对比文件中的穿基板通孔（via electrodes 20）用于在基板两侧的电路之间提供电连接（见[0041]-[0043]段），其作用是实现垂直互连，而非作为提供特定电感值的电感元件。本领域技术人员阅读对比文件后，无法毫无疑义地得出这些互连结构被用作“电感器”的技术方案。因此，技术特征A未被直接公开。同时，对比文件通篇未提及任何滤波器或共用器电路，也未暗示其互连结构具有电感功能，因此本领域技术人员也无法通过推理得出该基板层级包含“至少一个电感器”。故技术特征A也未被隐含公开。 |
| **B：其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器**<br>**《未被公开》** | 无直接对应内容。对比文件公开了在玻璃基板（16）或硅基板（36）中形成通孔（through-hole 18, 40）并填充金属形成电极（via electrode 20）的结构（见[0039], [0040], [0070]段）。 | 目标专利中的“穿基板通孔电感器”（如TGV电感器）是一种利用穿过基板的导电柱形成电感特性的特定元件。对比文件虽然公开了“穿基板通孔”（through-hole）结构，但其描述该结构的作用是形成“电极”（via electrode），用于电连接基板两侧的电路（见[0047]段），即其功能是互连导电。对比文件从未描述或暗示这些通孔电极可以起到电感器的作用，或将其用于构成滤波器。两者功能和作用截然不同。因此，本领域技术人员不能从对比文件中毫无疑义地得出“穿基板通孔电感器”的技术方案，故技术特征B未被直接公开。虽然结构上都是穿基板通孔，但由于功能和作用完全不同，本领域技术人员也无法合理推断出该结构在目标专利的特定电路（可调谐共用器）中作为电感器使用。故技术特征B也未被隐含公开。 |
| **C：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级，**<br>**《未被公开》** | 无直接对应内容。对比文件在基板（如玻璃基板16）的背面（第二面）形成了由电极（24, 28）和介电膜（26）构成的电容器（30）（见[0043], [0063]段）。 | 目标专利中的“变抗器”是一种可变电容器，是可调谐共用器中用于调谐滤波特性的关键元件。对比文件在基板背面形成的“电容器”（30）是固定电容器，其电容值不可变，且其作用是作为去耦电容等无源元件集成在基板上（见[0005]段提及“decoupling capacitors”）。两者在元件类型（固定 vs. 可变）和在整个装置中所起的作用（普通集成电容 vs. 可调谐滤波器的调谐部件）上均不相同。因此，本领域技术人员不能从对比文件得出“变抗器”的技术方案，技术特征C未被直接公开。同时，对比文件未提供任何使该电容器变为可调（变抗器）的启示或可能性，因此也无法推理得出“至少一个变抗器”被隐含公开。 |
| **D：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。**<br>**《未被公开》** | 无对应内容。对比文件未公开任何共用器（Diplexer）或滤波器电路。 | 目标专利的核心在于由特定连接关系的电感器和变抗器“合而形成可调谐共用器”。对比文件仅公开了一个包含互连通孔和集成电容器的基板结构，完全没有公开任何形式的共用器电路，更没有公开由电感和可变电容元件构成的、具有特定滤波功能的可调谐电路。因此，技术特征D既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **E：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。**<br>**《未被公开》** | 无对应内容。对比文件中未提及“SOG变抗器”或任何具有可变电容特性的类似结构。 | 目标专利明确限定了变抗器的一种具体类型为“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”。对比文件中形成的电容器（30）使用BST（钛酸锶钡）作为介电质（见[0043], [0062]段），是固定电容，且未采用SOG结构。因此，该具体类型的技术特征未被对比文件公开。 |
| **F：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。**<br>**《隐含公开》** | 对比文件说明书[0039]段：”As shown in FIGS. 2A and 2B, through-holes 18 are formed in a 500 μm-thickness glass substrate 16 at a prescribed pitch.”<br>（如图2A和2B所示，通孔18以规定的间距形成在500μm厚的玻璃基板16中。）<br>[0040]段：”Via electrodes 20 of Pt are buried in the respective through-holes 18.”<br>（Pt材料的通孔电极20被埋入各自的通孔18中。） | 目标专利中的“穿玻通孔(TGV)电感器”是指穿过玻璃基板形成的、具有电感功能的导电结构。对比文件明确公开了在玻璃基板（glass substrate 16）中形成通孔（through-hole）并填充金属（Pt）以形成电极（via electrode）的技术特征（见[0039], [0040]段）。虽然对比文件描述该结构的作用是作为互连电极（via electrode），但其物理结构（穿过玻璃基板的导电柱）与“穿玻通孔(TGV)电感器”的结构完全相同。本领域技术人员公知，任何一段导体在特定频率下都会呈现电感特性，而穿过玻璃基板的导电柱（TGV）是制造高频电感器的一种常见手段。因此，虽然对比文件未明确其“电感器”功能，但本领域技术人员基于其公开的“穿玻璃基板的导电通孔”结构，完全有可能推断出该结构可以被用作“穿玻通孔(TGV)电感器”。因此，技术特征F被对比文件隐含公开。 |
| **G：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。**<br>**《未被公开》** | 无对应内容。对比文件未公开任何滤波器电路，更未公开低通(LP)滤波器。 | 目标专利限定了电感器和变抗器形成的具体电路功能是“低通(LP)滤波器”。对比文件仅公开了互连结构和独立的电容器，未公开任何由电感和电容（无论是固定还是可变）按照特定电路拓扑连接形成的滤波器，尤其未公开低通滤波器。因此，该技术特征未被公开。 |
| **H：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。**<br>**《未被公开》** | 无对应内容。 | 该技术特征涉及更复杂的电路结构，包括多个层级的多个电感和变抗器，并具体形成LP滤波器。对比文件完全没有公开此类复杂的、具有特定连接关系的滤波器电路结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **I：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。**<br>**《未被公开》** | 无对应内容。 | 该技术特征限定了变抗器的功能是“调节陷波频率”。对比文件中的电容器（30）是固定电容，未提及任何可调性或用于调节滤波器频率的功能。因此，该功能特征未被公开。 |
| **J：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。**<br>**《未被公开》** | 无对应内容。 | 该技术特征限定了穿基板通孔电感器的功能是“控制截止频率”。对比文件中的通孔电极（20）仅作为互连结构，未提及任何电感特性或用于控制滤波器频率的功能。因此，该功能特征未被公开。 |
| **K：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。**<br>**《未被公开》** | 无直接对应内容。对比文件涉及一种可用于更高密度和更高速度的“电路基板”（circuit substrate），并提及可与LSI基板（LSI substrate）连接（见[0005], [0045]段）。 | 目标专利的“三维集成电路”特指将电感器和变抗器等元件在三维空间堆叠形成的集成电路。对比文件公开的是一种具有垂直互连和集成电容器的“电路基板”，其本身可被视为一个封装或互连基板，而非目标专利所描述的、集成了特定可调谐滤波器功能的“三维集成电路”。虽然该基板可能用于承载半导体管芯（如LSI substrate），但对比文件本身并未公开其被“集成到半导体管芯中”。两者属于不同层级的结构（封装基板 vs. 集成芯片）。因此，该技术特征未被直接公开。从对比文件公开的“电路基板”也无法合理推断出其被集成到半导体管芯内部。故也未被隐含公开。 |
| **L：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。**<br>**《未被公开》** | 无对应内容。对比文件未提及任何具体的终端应用设备。 | 该技术特征限定了三维集成电路的具体应用场景。对比文件仅一般性地提及该电路基板可用于计算机等（见[0002]段），但并未明确列举目标专利权利要求中如此具体且冗长的设备列表中的任何一个。因此，该技术特征未被公开。 |
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