对比文件名称：2009-09-08_US7586755B_发明授权_US07586755B2 Electronic circuit component
目标专利名称：三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
根据目标专利说明书及权利要求，结合对比文件US7586755B2的内容，现进行技术特征比对分析如下：
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：包括至少一个电感器的第一层级《直接公开》 | [0063] "In FIG. 1, 1 is a glass substrate... An inductor element 4 is a spiral type inductor and is formed on the same plane as the upper electrode 3c of the capacitor element 3 and the material thereof is Cu." | 对比文件明确公开了在玻璃基板（第一层级）上形成的螺旋型电感器（inductor element 4）。该电感器在对比文件中作为无源元件被集成，其作用与目标专利中作为共用器滤波元件的电感器相同，都是提供电感。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了“包括至少一个电感器的第一层级”。 |
| **技术特征B**：，其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器《隐含公开》 | [0051] "With regard to the configuration of the through holes of the present invention... the opening diameters R1 and R2, the arrangement thereof and the thickness of the substrate can be properly selected depending on the sizes of the elements and wirings to be mounted or integrated." [0095] "...electrolytic plating use seed films Cr: 50 nm, Cu: 500 nm were formed on the surface of the glass substrate and walls of the via holes with spattering method... then, conductive layers were formed inside the via holes by Cu electrolytic plating." | 对比文件详细描述了在玻璃基板（绝缘体基板）中形成通孔（through holes/via holes），并在其中填充导电材料以电连接基板两侧的金属布线。虽然对比文件没有明确将这种结构命名为“穿基板通孔电感器”，但本领域技术人员公知，通过在绝缘基板中形成特定几何形状（如螺旋、螺线管形）的垂直互连通孔结构，可以构成电感器，即穿基板通孔（TSV）电感器。对比文件[0051]提到通孔的尺寸和排布可根据元件和布线的尺寸选择，这为形成电感结构提供了可能性。因此，本领域技术人员通过合理推断，能够从对比文件公开的“在基板中形成导电通孔”这一技术手段，得到“穿基板通孔电感器”的技术方案。 |
| **技术特征C**：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级，《未公开》 | 对比文件全文未提及“变抗器”（varactor）。对比文件公开了电容器，例如：[0063] "Capacitor element 3 formed inside the organic insulator 2 is in a three layer structure constituted by a lower electrode 3a , a dielectric body 3b and an upper electrode 3c." | 目标专利中的“变抗器”特指电容可变的元件（如SOG变抗器），用于调谐共用器的频率响应。对比文件仅公开了由上下电极和介质层构成的固定电容器（capacitor element）。固定电容器与变抗器在结构和功能上存在本质区别：前者提供固定电容值，后者提供可变电容。对比文件未公开任何可变电容的装置或方法。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开“至少一个变抗器”。 |
| **技术特征D**：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。《未公开》 | 对比文件未公开“变抗器”，也未公开“可调谐共用器”（tunable diplexer）。对比文件公开了由电感、电容等构成的电路，例如实施例7的LC滤波器（[0172]段，图5）。 | 形成“可调谐共用器”的核心在于使用可变元件（变抗器或可变电感器）来实现频率调谐功能。由于对比文件缺少“变抗器”这一关键元件，且其电路（如LC滤波器）由固定值的电感和电容构成，不具备可调谐性，因此无法形成目标专利所定义的可调谐共用器。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。《未公开》 | 对比文件全文未提及“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”或任何具有类似结构和功能的可变电容元件。 | SOG变抗器是目标专利中用于实现高Q值可变电容的一种具体实施方式。对比文件中完全没有涉及任何类型的变抗器，更不用说具体的SOG变抗器。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。《隐含公开》 | [0002] "The present invention relates to... a technology which is effective when being applied to an electronic part using glass for the substrate..." [0063] "1 is a glass substrate..." [0095] "...through holes were formed in the glass substrate..." | 目标专利说明书指出，穿玻通孔(TGV)电感器是穿基板通孔(TSV)电感器的一种，当基板为玻璃时即为TGV。对比文件明确以玻璃（glass）作为绝缘体基板（例如BLC玻璃），并详细描述了在其中形成通孔（through holes）的工艺。虽然对比文件没有明确将这些通孔结构称为“TGV电感器”，但本领域技术人员能够理解，在玻璃基板中形成的、用于构成电感器的导电通孔结构，就是穿玻通孔(TGV)电感器。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。《隐含公开》 | [0172] "As the seventh embodiment, an example of an electronic circuit component in which an LC filter circuit as shown in FIG. 5 is formed in one chip." 图5显示了一个由电感(L)和电容(C)构成的LC滤波器电路。 | 对比文件公开了由电感器和电容器（固定值）构成的LC滤波器电路。低通(LP)滤波器是LC滤波器的一种基本类型。虽然对比文件未明确说明该LC滤波器是低通滤波器，但本领域技术人员根据电路图（图5）和其作为滤波器的基本功能，能够合理推断其可以设计为低通滤波器。然而，**关键区别在于**：目标专利的LP滤波器是“可调谐共用器内”的、由“电感器和变抗器”形成的部分。对比文件的LP滤波器由固定电感和固定电容构成，且未集成于“可调谐共用器”中。因此，对比文件部分公开了“电感器和电容器形成LP滤波器”的概念，但缺失“变抗器”和“可调谐共用器”这两个核心限定。鉴于隐含公开判断标准宽松，可以认为对比文件隐含公开了“电感器和电容器形成LP滤波器”这一更上位的技术特征，但未公开目标专利中结合了可变性的特定LP滤波器。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。《未公开》 | 对比文件未公开“变抗器”，也未公开由“多个电感器”和“变抗器”共同形成LP滤波器的结构。对比文件图5的LC滤波器可能包含多个元件，但均为固定值。 | 该技术特征涉及更具体的结构：在第二层级有第二变抗器，耦合到第一层级的多个第二电感器，共同形成LP滤波器。对比文件既没有“变抗器”，也没有描述这种跨层级（第一层级电感器与第二层级电容器）的特定耦合关系以形成LP滤波器。其实施例中的元件通常布置在同一基板面或通过通孔进行上下层互连，但并未明确指出这种布置用于构成特定的LP滤波器结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。《未公开》 | 对比文件未公开“变抗器”，因此也不可能公开其用于调节陷波频率的功能。 | 调节陷波频率是可调谐共用器的核心功能之一，该功能通过变抗器实现。由于对比文件根本不存在变抗器，所以其电容器也不具备调谐功能。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。《隐含公开》 | [0172] 公开了包含电感器的LC滤波器。在LC滤波器设计中，电感值是决定滤波器截止频率的关键参数之一。 | 在滤波器（包括LC滤波器）中，电感器的作用之一就是与电容器共同决定滤波器的截止频率。对比文件公开了包含电感器（包括隐含的穿基板通孔电感器）的LC滤波器。虽然对比文件未明确文字记载“电感器配置成控制滤波器的截止频率”，但这是电感器在滤波器电路中的公知作用和必然结果。因此，本领域技术人员能够从对比文件公开的“包含电感器的LC滤波器”中，合理推断出该电感器用于控制滤波器截止频率。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。《未公开》 | 对比文件描述的是一个独立的“电子电路组件”（electronic circuit component），其制造过程涉及在玻璃基板上集成无源元件，最终切割成单独的组件（[0095] "Finally, the product was separated by a dicing machine to form the electronic circuit components."）。全文未提及将其集成到另一个“半导体管芯”（semiconductor die）中。 | 目标专利的技术特征限定了该三维集成电路是集成到半导体管芯中的（参见说明书[0081]段）。对比文件的电子电路组件本身是一个封装好的、包含玻璃基板和无源元件的独立部件，类似于一个集成无源器件（IPD）模块，并非作为一部分集成到另一个半导体有源管芯内部。二者在集成层次和结构上不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。《未公开》 | 对比文件未提及将其公开的电子电路组件应用于任何具体的终端设备。其背景技术和发明内容部分主要讨论该组件自身的高性能、高密度集成和可靠性。 | 该技术特征是对三维集成电路应用领域的限定，属于用途特征。对比文件完全没有披露其电子电路组件可以用于或集成到所列的任何一种具体设备中。因此，该技术特征未被公开。 |
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