对比文件名称：2001-05-18_JP2001136045A_发明专利_JP2001136045A Layered composite electronic component
目标专利名称：三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法 CN105191123B
本次调用模型名称：DeepSeek最新版本模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：包括至少一个电感器的第一层级<br>《直接公开》 | 【0001】本発明は、積層型複合電子部品、例えばマイクロ波帯で使用される積層型デュプレクサ…に関する。<br>【0013】インダクタパターン６３ａ〜６５ａ，６３ｂ〜６５ｂをそれぞれ設けた絶縁性シート４６，４８…<br>【0015】ビアホール６０ａ〜６０ｈ…連接してインダクタＬ１を構成する。…ビアホール６１ａ〜６１ｈ…連接してインダクタＬ２…を構成する。…ビアホール６２ａ〜６２ｈ…連接してインダクタＬ３を構成する。 | 对比文件公开了一种分层复合电子元件（積層型複合電子部品），例如双工器（デュプレクサ）。其通过堆叠多个绝缘片（絶縁性シート）构成层叠体（積層体）。在这些绝缘片上设置有构成电感器（インダクタ）的导体图案（パターン），例如L1-L3。这些绝缘片及其上的电感器图案共同构成了一个包含至少一个电感器的层级（第一层级）。本领域技术人员能毫无疑义地得出，对比文件公开了“包括至少一个电感器的第一层级”。 |
| **技术特征B**：，其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器<br>《直接公开》 | 【0015】ビアホール６０ａ〜６０ｈは、絶縁性シート４３〜５０の略左半分の領域にあって、シート４３〜５０の厚み方向に形成され、連接してインダクタＬ１を構成する。…同様に、ビアホール６１ａ〜６１ｈ，６２ａ〜６２ｈも、それぞれ絶縁性シート４３〜５０の厚み方向に形成され、連接してインダクタＬ２，Ｌ３を構成する。<br>【0035】ビアホール６０ａ〜６０ｊ…シート４３〜５２の厚み方向に形成され、連接してインダクタＬ１を構成する。…ビアホール６１ａ〜６１ｊ，６２ａ〜６２ｊ…それぞれ絶縁性シート４３〜５２の厚み方向に形成され、連接してインダクタＬ２，Ｌ３を構成する。 | 对比文件详细描述了通过绝缘片（基板）的厚度方向（厚み方向）形成的通孔（ビアホール），这些通孔连接起来构成电感器L1、L2、L3。这种结构本质上是贯穿基板（绝缘片）的通孔形成的电感器，即穿基板通孔（TSV）电感器。本领域技术人员能毫无疑义地得出对比文件公开了“穿基板通孔电感器”。 |
| **技术特征C**：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级，<br>《隐含公开》 | 【0013】コンデンサパターン７４ａ〜７６ａ，７４ｂ〜７６ｂをそれぞれ設けた絶縁性シート４５，４９…<br>【0023】コンデンサパターン７４ａ，７４ｂは、それぞれ…インダクタパターン６３ａ，６３ｂの先端部に対向し、コンデンサＣ４を形成する。そして、コンデンサＣ４と２重構造のインダクタＬ４とでＬＣ並列共振器Ｑ４を構成する。 | 对比文件公开了在另一个绝缘片层级（例如第45、49片）上设置电容器图案（コンデンサパターン），这些电容器与电感器（如L4）对向，形成电容器（如C4），并与电感器共同构成LC谐振器。电容器是电容性元件，变抗器是一种可变电容器。在微波滤波器领域，为了实现频率调谐，使用可变电容器（变抗器）替代固定电容器是常见技术手段。本领域技术人员基于对比文件公开的“电容器与电感器耦合构成谐振电路”这一结构，结合公知常识，为了获得可调谐的特性，有动机且能够合理推断出可以用“变抗器”替代该“电容器”，从而隐含公开了“包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级”。 |
| **技术特征D**：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。<br>《隐含公开》 | 【0001】積層型デュプレクサ…<br>【0012】デュプレクサ４１は、ＬＣ並列共振器Ｑ１〜Ｑ３を有する３段のバンドパスフィルタＢＰＦ１と、ＬＣ並列共振器Ｑ４〜Ｑ６を有する３段のバンドパスフィルタＢＰＦ２とを組み合わせたものである。<br>【0027】共振器Ｑ１〜Ｑ３…３段のバンドパスフィルタＢＰＦ１を構成している。共振器Ｑ４〜Ｑ６…３段のバンドパスフィルタＢＰＦ２を構成している。…バンドパスフィルタＢＰＦ１…送信用端子電極Ｔｘ…アンテナ用端子電極ＡＮＴ…バンドパスフィルタＢＰＦ２…受信用端子電極Ｒｘ…アンテナ用端子電極ＡＮＴ… | 对比文件公开了一种双工器（デュプレクサ），其由两个带通滤波器（BPF1和BPF2）组合而成，分别连接至发射端子、接收端子和天线端子。这是一种典型的共用器（双工器）结构。基于前述对技术特征C的隐含公开推理（即使用变抗器替代固定电容器），由可变电容（变抗器）和电感器构成的LC谐振器，其谐振频率是可调的。由这样的可调谐振器构成的双工器（共用器），其滤波特性（如通带、陷波）也相应是可调的。因此，本领域技术人员可以合理推断出，将对比文件中的固定电容器替换为变抗器后，所述电感器和变抗器将共同形成一种“可调谐共用器”。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。<br>《未公开》 | （对比文件未提及） | 对比文件完全没有提及“变抗器”，更没有提及任何特定类型的变抗器，如“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”。SOG变抗器是目标专利中为实现高Q值而采用的特定技术方案。对比文件中使用的电容性元件是印刷形成的固定电容器图案，其材料、结构和制造工艺均与SOG变抗器不同。本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得出该技术特征。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。<br>《隐含公开》 | 【0014】絶縁性シート４２〜５４は、誘電体粉末や磁性体粉末を結合剤等と一緒に混練したものをシート状にしたものである。 | 对比文件说明了绝缘片（絶縁性シート）是由介电粉末或磁性粉末与粘合剂混合后制成片状的材料。这通常指陶瓷或类似材料。目标专利中的“穿玻通孔(TGV)电感器”特指基板材料为玻璃。虽然对比文件未明确基板为玻璃，但玻璃作为一种常见的绝缘介质材料，在集成电路和电子元件制造领域是公知的。本领域技术人员在面临选择何种绝缘材料来制作穿基板通孔电感器时，基于对材料特性的了解（如玻璃的高频特性），有可能选择玻璃作为基板材料，从而制作出TGV电感器。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。<br>《隐含公开》 | 【0071】例えば、前記実施形態は、バンドパスフィルタ回路を組み合わせて構成したデュプレクサを例にして説明したが、他に、ローパスフィルタ回路、ハイパスフィルタ回路及びトラップ回路、あるいは、これら異なる種類の回路を組み合わせてデュプレクサを構成してもよい。…ダイプレクサは、例えばローパスフィルタ回路とハイパスフィルタ回路を組み合わせて構成される。 | 对比文件在【0071】段明确指出，其复合电子元件不限于带通滤波器组合，也可以由低通滤波器（ローパスフィルタ回路）、高通滤波器等不同种类电路组合构成，并举例说明双工器（ダイプレクサ）可以由低通和高通滤波器组合构成。结合前述推理（技术特征C、D），若使用变抗器与电感器构成可调谐的双工器，那么根据对比文件公开的此教导，本领域技术人员完全有可能且能够合理推断出，所述电感器和变抗器可以被配置成形成该双工器（共用器）内的低通滤波器部分。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。<br>《隐含公开》 | 【0013】インダクタパターン６３ａ〜６５ａ，６３ｂ〜６５ｂをそれぞれ設けた絶縁性シート４６，４８…<br>【0023】コンデンサパターン７４ａ，７４ｂ…コンデンサＣ４を形成する。…コンデンサＣ５…コンデンサＣ６…<br>【0071】ダイプレクサは、例えばローパスフィルタ回路とハイパスフィルタ回路を組み合わせて構成される。 | 对比文件公开了多个电感器（如L4, L5, L6）和分别与它们对向耦合的多个电容器（如C4, C5, C6）。基于与技术特征C、G相同的推理逻辑，为了构成可调谐的低通滤波器，本领域技术人员有动机将多个固定电容器替换为多个变抗器（第二变抗器）。这些变抗器位于不同的绝缘片层级（第二层级），并与第一层级中的多个电感器耦合。根据对比文件【0071】的教导，这些元件可以组合形成双工器（共用器）中的低通滤波器部分。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。<br>《隐含公开》 | 【0029】バンドパスフィルタ回路ＢＰＦ１の通過周波数調整は、例えば、コンデンサＣ１〜Ｃ３のコンデンサパターン…の面積を変えることによって、コンデンサＣ１〜Ｃ３の静電容量を変えて行われる。<br>【0030】バンドパスフィルタ回路ＢＰＦ２の通過周波数調整は、例えば、コンデンサＣ４〜Ｃ６のコンデンサパターン…の対向面積を変えることによって行われる。 | 对比文件公开了通过改变电容器图案的面积或对向面积，从而改变电容值，进而调整带通滤波器的通带频率（通過周波数）。陷波频率是滤波器频率响应中的一个特性。变抗器的核心功能是通过改变其电容值来调节电路频率特性。本领域技术人员知晓，在由LC元件构成的滤波器中，改变电容（或电感）值会改变其谐振频率，从而影响包括陷波频率在内的滤波特性。因此，基于对比文件公开的“通过改变电容来调整滤波器频率”的原理，可以合理推断，若将固定电容替换为可变电容（变抗器），则该变抗器可以被配置用于调节滤波器的陷波频率。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。<br>《隐含公开》 | 【0029】【0030】（同上） | 对比文件公开了通过改变电容来调整滤波器频率。在滤波器设计中，电感值和电容值共同决定了滤波器的频率特性，包括截止频率。穿基板通孔电感器作为一种电感元件，其电感值是滤波器设计的关键参数之一。本领域技术人员公知，改变电感器的值（例如通过改变匝数、尺寸等）是控制滤波器截止频率的常规手段之一。因此，尽管对比文件未明确描述用电感器控制截止频率，但基于其公开的LC谐振器构成滤波器以及元件值影响频率特性的基本原理，可以合理推断所述穿基板通孔电感器被配置用于（与其他元件一起）控制滤波器的截止频率。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。<br>《隐含公开》 | 【0001】積層型複合電子部品<br>【0074】…積層構造を有する複合電子部品が得られる。 | 对比文件公开的是一种“分层复合电子元件（積層型複合電子部品）”，其通过堆叠和烧结绝缘片制成。虽然其制造工艺（低温共烧陶瓷LTCC或类似）与目标专利中提及的半导体管芯（如通过基板转移或管芯堆叠形成的3DIC）的典型制造工艺不同，但“集成到半导体管芯中”本质上是将电子电路集成到一个封装或载体中。对比文件的层叠体本身就是一个高度集成的元件。本领域技术人员在面临将此类滤波器电路进一步微型化和集成化的需求时，有可能也将其集成到更广义的“半导体管芯”或芯片封装中，作为系统的一部分。因此，该技术特征被宽松地认为隐含公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。<br>《隐含公开》 | 【0001】マイクロ波帯で使用される積層型デュプレクサ | 对比文件明确指出其分层复合电子元件（如双工器）用于微波波段（マイクロ波帯）。微波波段的双工器/滤波器是无线通信设备（如移动电话、蜂窝电话）中的关键部件。所列设备清单中的通信设备、移动电话、蜂窝电话等均属于典型的无线通信设备，需要使用微波滤波器/双工器。因此，本领域技术人员可以合理推断，对比文件公开的这种元件可以集成到此类通信设备中。虽然其他一些设备（如DVD播放器）可能不直接使用微波双工器，但鉴于隐含公开判断标准宽松，且清单中包含通信设备，可以认为该技术特征被隐含公开。 |
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