对比文件的名称：2014-04-17_JP2014067019A_发明专利_JP2014067019A Resin composition for forming light selective transmission filter and application thereof
目标专利的名称：1585基板CN110770646B
本次调用的模型名称：GPT-4
以下为特征比对表格，逐一分析目标专利权利要求的各技术特征相对于对比文件的公开情况。
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：基础层（直接公开） | [0006]“ガラス基板上に、近赤外吸収剤を含む顔料インクを塗布・乾燥して得られる光吸収膜と…”（在玻璃基板上，涂布含有近红外吸收剂的颜料墨水并干燥得到的光吸收膜…）；[0112]“上記支持体フィルムとしては、透明性に優れる樹脂を用いることが好適である。”（作为上述支持体膜，优选使用透明性优异的树脂。） | 对比文件明确公开了用于承载滤光功能层的基底层（玻璃基板或树脂支持体膜）。该基底层在结构上和功能上（作为下部支撑层）与目标专利的基础层相同，本领域技术人员可以直接且毫无疑义地确定该技术特征已被公开。 |
| 技术特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物（未公开） | 对比文件全文未出现“间隔物”、“スペーサー”或任何具有间隔功能的柱状/半球状结构；全部内容均涉及树脂组合物、吸收层、反射膜等滤光片构成。 | 对比文件完全不涉及间隔物结构，既无直接文字记载，也无法通过合理推理得到任何间隔物相关内容。因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物（未公开） | 同特征B，无任何关于间隔物形状的描述。 | 对比文件未公开任何间隔物，更未涉及半球形形状，故未公开。 |
| 技术特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分（未公开） | 无相关记载。 | 该特征是对半球形部分结构的进一步限定，对比文件无任何对应内容。 |
| 技术特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件未涉及曲率参数。 |
| 技术特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件无间隔物结构，更无非半球形柱状部分。 |
| 技术特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小（未公开） | 无关于间隔物高度或面积比例的数据。 | 对比文件未提供任何间隔物尺寸或密度信息。 |
| 技术特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小（未公开） | 无关于间隔物排列及标准间距的标准偏差计算。 | 对比文件未公开间隔物的排列规律。 |
| 技术特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件无间距分布内容。 |
| 技术特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件无正态分布图相关描述。 |
| 技术特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件无半高宽或最大高度参数。 |
| 技术特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件未涉及曲率为0的轨迹。 |
| 技术特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件无半球形宽度范围。 |
| 技术特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件无渐缩部分结构。 |
| 技术特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形（未公开） | 对比文件涉及树脂层涂布，但未涉及配向膜；且全文中无“配向膜”、“配向層”等术语。 | 对比文件不涉及液晶配向技术，故无配向膜，更无顶部半球形。 |
| 技术特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件无配向膜及其曲率。 |
| 技术特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件无相关内容。 |
| 技术特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件无配向膜高度范围。 |
| 技术特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件无配向膜宽度范围。 |
| 技术特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时（未公开） | 无关于选择间隔物形成几何图形的描述。 | 对比文件无间隔物选择方法。 |
| 技术特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件无闭合图形概念。 |
| 技术特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件无相关限定。 |
| 技术特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件无边长差异的限定。 |
综上，对比文件仅直接公开了技术特征A（基础层），其他技术特征（B至W）均未以直接或隐含方式公开。
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