对比文件名称：2012-10-24_CN202502301U_实用新型_CN202502301U 一种设有柔性液晶显示屏的3d眼镜
目标专利名称：1585基板CN110770646B
本次调用的模型名称：基于深度思考的专利创造性评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（含段落标号） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基础层**<br>《直接公开》 | [0019] “下柔性导电基材12包括下偏光片121、下二氧化硅层123及下ITO膜125”。<br>[0021] “下柔性导电基材12由下至上依次设置”。 | 对比文件公开了“下柔性导电基材12”，其作为支撑间隔物（下PS支撑柱）的基底，功能相当于目标专利中的基础层。本领域技术人员可直接且毫无疑义地确定该特征已被公开。 |
| **技术特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物**<br>《直接公开》 | [0019] “...下PS支撑柱15...”。<br>[0022] “下柔性导电基材12的下PS支撑柱15为直径8微米至15微米的圆柱”。<br>[0041] “掩模板上设计由等间距、直径大小一致的点图形，通过紫外线曝光，将掩模板上的点图形转印到下柔性导电基材12上”。 | 对比文件明确公开在下柔性导电基材上设置了复数个PS支撑柱（间隔物），用于支撑液晶盒厚度，与目标专利中间隔物的作用相同。该特征已被直接公开。 |
| **技术特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物**<br>《未公开》 | [0022] “下柔性导电基材12的下PS支撑柱15为直径8微米至15微米的圆柱”。 | 对比文件明确间隔物为圆柱形，其顶部为平面，无半球形部分。目标专利的半球形间隔物具有特定的弯曲顶部以利于配向膜的均匀取向，对比文中未公开任何半球形形状，也未给出相关技术启示。 |
| **技术特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分**<br>《未公开》 | 无相关引用。 | 基于特征C未被公开，该特征D自然未被公开。 |
| **技术特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm<sup>-1</sup>或更小的轨迹**<br>《未公开》 | 无相关引用。 | 对比文件无半球形弯曲形状，更未公开其曲率范围。 |
| **技术特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物**<br>《未公开》 | 无相关引用。 | 对比文件间隔物为单一圆柱，不具有目标专利所述的“半球形部分”与“柱状部分”的组合结构。 |
| **技术特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且中相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小**<br>《未公开》 | [0006] “所述下PS支撑柱的高度小于4微米”。 | 对比文件公开支撑柱高度小于4μm，不在5-20μm范围内，且无半球形部分高度。面积比率未公开或暗示，且圆柱形状与半球形不同，无法直接或隐含得出该特征。 |
| **技术特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小**<br>《隐含公开》 | [0041] “掩模板上设计由等间距、直径大小一致的点图形”。 | 对比文件公开间隔物按等间距规则排列，该间距可视为标准间距P。在规则排列下，任选10P边长的正方形区域（可合理实现）时，各区域所含间隔物数量必然相同，标准偏差为0（≤2）。虽然未明确记载“标准偏差”概念，但本领域技术人员根据等间距公开可直接推理出该条件成立。 |
| **技术特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示**<br>《未公开》 | [0041] “等间距、直径大小一致的点图形”。 | 对比文件中间隔物间距单一（等间距），分布图为单值，不是正态分布。 |
| **技术特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上**<br>《未公开》 | 无相关引用。 | 基于特征I未公开，该特征J亦未公开。 |
| **技术特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且中所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1**<br>《未公开》 | 无相关引用。 | 对比文件等间距，半高宽为0（不在0.5-1000μm），且最大高度为1（不小于1）。未公开。 |
| **技术特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm<sup>-1</sup>的轨迹**<br>《未公开》 | 无相关引用。 | 基于半球形部分未公开，该特征未公开。 |
| **技术特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内**<br>《未公开》 | 无相关引用。 | 对比文件无半球形部分，未公开半球形宽度。 |
| **技术特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分**<br>《未公开》 | 无相关引用。 | 对比文件间隔物为圆柱，底部直接连接基材，无渐缩弯曲部分。 |
| **技术特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且中形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形**<br>《未公开》 | [0022] “下PI膜17覆盖于所述下PS支撑柱15及下柔性导电基材12”。 | 对比文件公开了PI膜（配向膜）形成于基础层和间隔物上，但间隔物为圆柱，其顶部平坦，因此覆盖其上的配向膜顶部也为平坦，不具有半球形。该特征的核心限定“顶部具有半球形”未被公开。 |
| **技术特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm<sup>-1</sup>或更小**<br>《未公开》 | 无相关引用。 | 基于配向膜顶部半球形未公开，曲率特征未公开。 |
| **技术特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm<sup>-1</sup>的轨迹**<br>《未公开》 | 无相关引用。 | 基于配向膜顶部半球形未公开，该特征未公开。 |
| **技术特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内**<br>《隐含公开》 | [0006] “所述下PS支撑柱的高度小于4微米”。<br>[0022] “下PI膜17覆盖于所述下PS支撑柱15”。 | 对比文件公开支撑柱高度<4μm，PI膜覆盖后，形成在间隔物上的配向膜高度等于支撑柱高度加PI膜厚度。PI膜厚度通常为纳米级，总高度显著小于4.5μm，完全落入1-50μm范围内。虽然未直接给出配向膜高度数值，但本领域技术人员可合理推断其在该范围。 |
| **技术特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内**<br>《隐含公开》 | [0022] “下PS支撑柱15为直径8微米至15微米的圆柱”。 | 对比文件公开支撑柱直径8-15μm，PI膜覆盖后宽度为支撑柱直径加两倍PI膜厚度，仍处于8-15μm范围内，完全落入1-80μm。本领域技术人员可合理推断。 |
| **技术特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时**<br>《隐含公开》 | [0041] “掩模板上设计由等间距、直径大小一致的点图形”。 | 对比文件公开了复数个间隔物，本领域技术人员可以任意选择其中三个、四个或六个间隔物，这是常规操作，隐含公开。 |
| **技术特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时**<br>《隐含公开》 | [0041] “等间距、直径大小一致的点图形”。 | 在对比文件的规则排列中，本领域技术人员可以选择间隔物形成三角形、四边形或六边形（如选择相邻点构成），该操作是常规且显而易见的。 |
| **技术特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物**<br>《隐含公开》 | [0041] “等间距、直径大小一致的点图形”。 | 在对比文件的规则排列中，可通过选择适当的点（如相邻的四个点形成正方形）使闭合图形内部不包含其他间隔物。本领域技术人员能够实现该条件。 |
| **技术特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同**<br>《未公开》 | [0041] “掩模板上设计由等间距、直径大小一致的点图形”。 | 对比文件中间隔物为等间距排列，形成的四边形（如正方形）边长全部相等，不符合“至少一者不同”。对比文件未公开可导致边长不同的排列方式，也未给出任何相关教导。 |
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