对比文件名称：2008-10-15_CN101285971A_发明公开_CN101285971A 液晶显示装置
目标专利名称：1585基板CN110770646B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：基础层《直接公开》 | 对比文件说明书[具体实施方式]部分：“阵列基板10具有：玻璃基板11”以及图1(c)标注的玻璃基板11。 | 对比文件明确公开了阵列基板包括玻璃基板作为基础层，该基础层用于承载有源元件、隔离物等，与目标专利中基础层（例如玻璃基板）的作用相同，均起到支撑和基底作用。因此本领域技术人员可直接、毫无疑义地确定该技术特征已被公开。 |
| 技术特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物《直接公开》 | 对比文件说明书[具体实施方式]部分：“在阵列基板10与对置基板30之间配置有柱状的隔离物36”，且多个隔离物形成在阵列基板上。图1(c)示出隔离物36位于阵列基板上。 | 对比文件公开了在玻璃基板（基础层）上设置有多个隔离物（间隔物），这些隔离物用于保持液晶盒间隙。与目标专利中在基础层上设置复数个间隔物的方案完全相同，功能均为支撑。因此直接公开。 |
| 技术特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物《直接公开》 | 对比文件说明书[具体实施方式]部分：“隔离物部件36b的前端不平坦而是弯曲的”、“隔离物部件36b的前端可以为半球状”。图2、3等示出隔离物部件前端呈半球状弯曲。 | 对比文件明确描述了隔离物的最上部（前端）为半球状弯曲形状，即顶部具有半球形部分。目标专利的“半球形间隔物”即指顶部为半球形的间隔物。两者在结构上完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分《直接公开》 | 对比文件说明书[具体实施方式]部分：“隔离物部件36b的前端不平坦而是弯曲的”、“具有规定曲率的弯曲面”。 | 对比文件清楚地说明隔离物部件（即半球形部分）是弯曲的，包含弯曲形状。目标专利的半球形部分定义为包含弯曲形状的部分，两者一致，直接公开。 |
| 技术特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹《未公开》 | 对比文件说明书[具体实施方式]部分仅提到“具有规定曲率的弯曲面”，但未给出任何曲率数值范围，更未提及最大曲率≤150mm⁻¹。 | 对比文件未公开任何关于曲率的具体数值或范围，本领域技术人员无法从对比文件直接得出或合理推断出弯曲形状的截面最大曲率≤150mm⁻¹。目标专利该特征限定了具体的数值上限，对比文件中完全不存在对应教导。因此既未直接公开，也未隐含公开。 |
| 技术特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物《直接公开》 | 对比文件说明书[具体实施方式]部分：隔离物36包括隔离物用台座36a（柱状部分）和隔离物部件36b（半球形部分），总高度4.0μm，台座高度1.0～3.0μm，隔离物部件高度1.0～3.0μm。图1(c)、图2等示出柱状台座上方有半球形头部。 | 对比文件公开了隔离物由底部的柱状台座（具有高度）和顶部的半球形部件组成，总高度大于半球形部件的高度。这与目标专利的“柱状间隔物”（包括柱状部分和半球形部分，总高度高于半球形部分高度）结构完全相同。因此直接公开。 |
| 技术特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20%或更小《未公开》 | 对比文件说明书[具体实施方式]部分：隔离物部件36b的高度为1.0～3.0μm。未公开隔离物占基础层面积比率。 | 对比文件明确记载半球形部分（隔离物部件）的高度仅为1.0～3.0μm，不在目标专利的5～20μm范围内；且完全没有提及间隔物在基础层上的面积占有率。因此该特征未公开。 |
| 技术特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小《未公开》 | 对比文件仅在[具体实施方式]部分提到“隔离物按每个像素电极而设置”，但未定义标准间距、未计算标准偏差、未提及正方形区域检验方法。 | 对比文件完全没有涉及目标专利定义的这种间隔物排列均匀性的度量方式。本领域技术人员无法从对比文件中获得关于标准间距、正方形区域选择和标准偏差的任何信息。因此未公开。 |
| 技术特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示《未公开》 | 对比文件未公开任何关于间距分布图或正态分布的内容。 | 对比文件中没有任何关于间隔物间距统计分布的描述或暗示，更未提到正态分布图。因此未公开。 |
| 技术特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上《未公开》 | 对比文件未公开间隔正态分布图的相关概念。 | 对比文件未涉及此特征，故未公开。 |
| 技术特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1《未公开》 | 对比文件未公开。 | 对比文件完全未公开上述分布图的任何参数，故未公开。 |
| 技术特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹《未公开》 | 对比文件描述隔离物部件前端为弯曲面（具有规定曲率），未提及包含平坦（曲率为0）的部分。 | 对比文件仅强调弯曲形状，未暗示可包含曲率为0的线性部分。本领域技术人员不能从对比文件直接或隐含得出半球形部分的轨迹包括曲率为0的部分。因此未公开。 |
| 技术特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内《隐含公开》 | 对比文件说明书[具体实施方式]部分：“隔离物用台座36a的底部是15微米见方的平坦突起”，即宽度约15μm；隔离物部件形成于台座上，其宽度应与台座宽度相当或略大。 | 虽然对比文件未直接给出半球形部分的宽度数值，但本领域技术人员根据已知的台座宽度（15μm）以及隔离物部件通过液滴形成、会自然铺展在台座上的常识，可以合理推断半球形部分的宽度在几微米至数十微米之间，必然落入目标专利所述的2μm至40μm范围内。对比文件给出了明确的尺寸15μm，此数值本身即在该范围内，且工艺通常不会产生超出该范围的宽度。因此该特征被隐含公开。 |
| 技术特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分《未公开》 | 对比文件未描述间隔物底部具有渐缩形状，台座通常具有垂直侧壁（如[具体实施方式]中台座为平坦突起，截面为矩形）。 | 对比文件中隔离物底部（台座部分）未表现出渐缩弯曲形状，且无任何教导或暗示可形成这种曲率中心在外的弯曲渐缩部。因此未公开。 |
| 技术特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形《隐含公开》 | 对比文件说明书[具体实施方式]部分：“最后，按照覆盖显示区域的整个面的方式形成取向膜。”显示区域包括阵列基板整个表面及隔离物。取向膜覆盖在隔离物上。由于隔离物顶部为半球形，取向膜必然随形覆盖，从而顶部呈半球形。 | 对比文件明确公开了在显示区域整个面（包括基础层和间隔物）上形成取向膜（配向膜）。该取向膜覆盖在间隔物上，间隔物顶部具有半球形，因此取向膜在该部位的形状必然跟随间隔物形状，形成半球形顶部。虽然对比文件未用文字描述取向膜顶部形状，但本领域技术人员根据取向膜极薄且均匀覆盖的特性，能够必然地、唯一地得出取向膜顶部亦为半球形的结论。因此该特征被隐含公开。 |
| 技术特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小《未公开》 | 对比文件未公开任何与配向膜截面曲率相关的信息。 | 对比文件未涉及配向膜的截面曲率，也无任何数值教导，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹《未公开》 | 对比文件未公开配向膜顶部形状包含平坦部分。 | 对比文件未教导或暗示该特征，故未公开。 |
| 技术特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内《未公开》 | 对比文件未公开配向膜的厚度或高度。 | 对比文件无配向膜高度信息，故未公开。 |
| 技术特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内《未公开》 | 对比文件未公开配向膜的宽度。 | 对比文件无配向膜宽度信息，故未公开。 |
| 技术特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时《未公开》 | 对比文件未公开这种选择方式。 | 对比文件未涉及间隔物选择形成闭合图形的概念，故未公开。 |
| 技术特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时《未公开》 | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物《未公开》 | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同《未公开》 | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开。 |
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