对比文件名称：2005-06-29_KR1020050064272A_发明公开_KR1020050064272A 액정 표시 소자 및 그 제조방법
目标专利名称：1585基板CN110770646B
本次调用的模型名称：大语言模型（DeepSeek）
| 技术特征及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括基础层《直接公开》 | 段落[30]：“本发明的液晶显示器件包括：包含黑矩阵的第一基板；包含薄膜晶体管的第二基板；以及形成在所述第一、第二基板中任一个上的半球形图案间隔物。”<br>段落[36]：“首先在玻璃基板(41)上形成黑矩阵(42)。” | 对比文件明确公开了基板（玻璃基板或第一/第二基板）作为支撑结构，该基板对应于本专利中的基础层，作用是为间隔物提供承载基础。本领域技术人员毫无疑义地确定对比文件公开了基础层。 |
| 技术特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物《直接公开》 | 段落[42]：“将聚合物图案(48a)在100‑300℃的温度下热固化3‑10分钟，形成半球形的图案间隔物(48b)。”<br>段落[49]：“由于形成图案化的间隔物，可以均匀保持液晶盒间隙，减少配向膜损伤。” | 对比文件公开了在基板上形成多个图案间隔物（patterns spacer），即复数个间隔物，其数量可根据需要设置。本领域技术人员可直接得出该特征。 |
| 技术特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物《直接公开》 | 段落[42]：“形成半球形的图案间隔物(48b)。”<br>段落[49]：“间隔物具有半球形形状。” | 对比文件明确使用“半球形”（반구형）描述间隔物，即间隔物顶部为半球形部分，整体为半球形间隔物。特征被直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分《直接公开》 | 段落[42]：“半球形的图案间隔物。”<br>段落[49]：“间隔物具有半球形形状。” | “半球形”必然包含弯曲形状，这是本领域技术人员的基本认知。对比文件公开的半球形间隔物直接意味着其包含弯曲形状的部分，无需额外推理。 |
| 技术特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹《未公开》 | 对比文件未提及任何与曲率相关的描述或数值。 | 对比文件完全没有涉及间隔物曲率的概念，更未公开任何曲率范围。本领域技术人员无法从对比文件中得到该技术特征。 |
| 技术特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物《未公开》 | 段落[41]：“在基板上形成矩形聚合物图案(48a)。”<br>段落[42]：“将聚合物图案热固化形成半球形的图案间隔物(48b)。” | 对比文件最终形成的间隔物是半球形，无柱状部分；初始矩形图案在热固化后完全转变为半球形。对比文件未公开或暗示间隔物包含高于半球形部分的柱状结构。 |
| 技术特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小《未公开》 | 对比文件全文未给出间隔物高度或面积比率的具体数值。 | 对比文件没有公开任何关于间隔物高度或覆盖面积比例的信息，本领域技术人员无法从对比文件中获得该特征。 |
| 技术特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小《未公开》 | 对比文件全文未涉及间隔物间距的标准偏差或区域密度均匀性统计。 | 对比文件未描述间隔物的间距分布或任何统计参数，本领域技术人员无法合理推断出该特征。 |
| 技术特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示《未公开》 | 对比文件全文未提及任何关于间隔物间距分布图的内容。 | 对比文件未公开间隔物间距的正态分布特性，也未隐含任何分布图的概念。 |
| 技术特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未提及任何形式的分布图或坐标定义。 |
| 技术特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开任何关于半高宽或最大高度的数值。 |
| 技术特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹《未公开》 | 对比文件未描述间隔物顶部是否存在平坦部分。 | 对比文件公开的半球形间隔物在常规理解下为完整圆弧，无平坦部分；未公开或暗示顶部存在曲率为0的区段。 |
| 技术特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内《未公开》 | 对比文件全文未给出间隔物宽度的具体数值。 | 对比文件未公开任何宽度信息。 |
| 技术特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分《未公开》 | 对比文件未描述间隔物底部形状。 | 对比文件仅公开半球形间隔物，未涉及底部渐缩部分的形状或曲率特性。 |
| 技术特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形《隐含公开》 | 段落[44]：“图案间隔物(48b)形成之后也可以形成配向膜(52)。”该段公开了配向膜形成在基板和间隔物上。 | 对比文件直接公开了在基板和间隔物上形成配向膜。由于间隔物本身为半球形，按照常规的涂覆或沉积工艺，配向膜将共形地覆盖间隔物表面，因此本领域技术人员可以合理推断形成在间隔物上的配向膜顶部也呈现半球形。该推断符合技术常识，故特征O被隐含公开。 |
| 技术特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小《未公开》 | 对比文件未涉及配向膜的曲率或任何相关数值。 | 对比文件未公开配向膜上任何曲率信息。 |
| 技术特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹《未公开》 | 对比文件未提及配向膜顶部平坦部分。 | 对比文件未公开配向膜顶部截面轨迹的形态细节。 |
| 技术特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内《未公开》 | 对比文件未给出配向膜的高度范围。 | 对比文件未公开配向膜的厚度或高度尺寸。 |
| 技术特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内《未公开》 | 对比文件未给出配向膜的宽度范围。 | 对比文件未公开配向膜的宽度或覆盖尺寸。 |
| 技术特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时《未公开》 | 对比文件全文未涉及间隔物的选择规则。 | 对比文件未公开任何关于间隔物之间几何连接的选择方式。 |
| 技术特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开由间隔物形成闭合图形的概念。 |
| 技术特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开闭合图形内无其他间隔物的条件。 |
| 技术特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开间隔物排列中边长差异的设定。 |
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