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对比文件列表
2003-11-28_JP2003338631A_发明专利_JP2003338631A Semiconductor device and its manufacturing method_+++A_B_D_E_G_H_I_J_L_M_S_f_k_p_q_t+++.docx
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2011-07-14_US2011168255A_发明申请_US20110168255A1 ELECTRODE STRUCTURE OF SOLAR CELL_+++A_B_D_E_G_H_I_J_L_m_o_r+++.docx
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2012-06-07_US2012138141A_发明申请_US20120138141A1 SOLAR CELL_+++A_D_E_G_H_I_J_L_S_b_f_k_q+++.docx
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2013-07-04_WO2013099039A_发明申请_WO2013099039A1 太陽電池及びその製造方法_+++A_B_D_E_G_H_I_J_L_M_S_U_X_c_p_t_z+++.docx
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2014-07-10_US2014190563A_发明申请_US20140190563A1 SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL_+++A_B_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_Q_S_p_t+++.docx
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2015-03-05_WO2015029657A_发明申请_WO2015029657A1 太陽電池_+++A_D_G_H_I_b_e+++.docx
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2015-06-09_US9054238B_发明授权_US09054238B1 Semiconductor with silver patterns having pattern segments_+++A_B_c_d_e_g_h_i_j_l_m_o_p_r_s_x+++.docx
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2015-09-17_US2015263194A_发明申请_US20150263194A1 SOLAR CELL_+++A_B_D_E_G_H_I_J_L_M_S+++.docx
2026-07-03 01:10
2016-03-31_US2016093752A_发明申请_US20160093752A1 SOLAR CELL AND SOLAR CELL PANEL INCLUDING THE SAME_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_M_N_O_R+++.docx
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2016-04-07_KR1020160038717A_发明公开_KR1020160038717A 태양 전지 및 이를 포함하는 태양 전지 패널_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_M_N_O_P_R+++.docx
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2016-10-06_WO2016157683A_发明申请_WO2016157683A1 太陽電池モジュール_+++A_B_D_E_G_H_I_J_L_c_f_k_m_o_p_q_r+++.docx
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2015-09-17_US2015263194A_发明申请_US20150263194A1 SOLAR CELL_+++A_B_D_E_G_H_I_J_L_M_S+++.docx

对比文件的名称:2015-09-17_US2015263194A_发明申请_US20150263194A1 SOLAR CELL

目标专利的名称:1610太阳能电池和包括该太阳能电池的太阳能电池板CN108074996B

本次调用的模型名称:OpenAI GPT-4

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(翻译)公开性论述
技术特征A:该太阳能电池包括(直接公开)[0006] “A solar cell according to the present invention includes: multiple busbar electrodes…” (根据本发明的太阳能电池包括:多个汇流条电极…)对比文件明确公开了太阳能电池,因此技术特征A被直接公开。
技术特征B:半导体基板(直接公开)[0029] “The photoelectric conversion member 11 includes a substrate 12 composed of a semiconductor material…” (光电转换构件11包括由半导体材料构成的基板12…)对比文件公开了半导体基板(substrate),因此技术特征B被直接公开。
技术特征C:在该半导体基板的边缘处形成有倒角(未公开)全文未提及半导体基板边缘的倒角结构。对比文件未公开或暗示基板边缘具有倒角,因此技术特征C未被公开。
技术特征D:电极(直接公开)[0028] “busbar electrodes 20 and finger electrodes 21 that are light-receiving-surface electrodes…” (作为受光面电极的汇流条电极20和指状电极21…)对比文件明确公开了电极(汇流条电极和指状电极),因此技术特征D被直接公开。
技术特征E:该电极通过导电型区域电连接到所述半导体基板(直接公开)[0029] 描述了基板12上形成非晶半导体层13、14和透明导电层15、16,电极形成在透明导电层上。其中非晶半导体层具有i型、p型、n型导电类型区域。对比文件公开了光电转换构件中的导电类型区域(掺杂层)以及电极与其电连接,因此技术特征E被直接公开。
技术特征F:其中(不单独构成技术特征)—过渡词,不单独影响公开性,对比文件相应上下文已体现逻辑关系。
技术特征G:所述电极包括(直接公开)[0028] 明确电极包括busbar electrodes and finger electrodes。对比文件公开了电极包括汇流条和指状线,因此技术特征G被直接公开。
技术特征H:在第一方向上延伸的多条指状线(直接公开)[0033] “many finger electrodes 21 are formed so as to be nearly perpendicular to the busbar electrodes” (多个指状电极21形成为几乎垂直于汇流条电极)指状电极延伸方向为第一方向。对比文件公开了多条指状线在第一方向延伸,因此技术特征H被直接公开。
技术特征I:在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸(直接公开)[0031] “three straight-linear busbar electrodes 20 are formed nearly parallel to one another” (三个直线形的汇流条电极20形成为彼此几乎平行)汇流条延伸方向(第二方向)与指状线方向(第一方向)交叉。对比文件公开了汇流条在与指状线交叉的方向延伸,因此技术特征I被直接公开。
技术特征J:连接所述多条指状线并在所述第一方向上彼此间隔开第一宽度的多个汇流条(直接公开)[0031] “A plurality of the busbar electrodes 20 are formed at intervals from one another” (多个汇流条电极20以一定间隔形成);[0033] “each of the finger electrodes 21 is connected to either of the busbar electrodes 20” (每个指状电极21连接到汇流条电极之一)。对比文件公开了多个汇流条连接指状线且以间隔(第一宽度)设置,因此技术特征J被直接公开。
技术特征K:其中(不单独构成技术特征)—过渡词,不单独影响公开性,对比文件相应上下文已体现逻辑关系。
技术特征L:所述多个汇流条包括(直接公开)[0031] “A plurality of the busbar electrodes 20 are formed” (多个汇流条电极20被形成)。对比文件公开了多个汇流条,因此技术特征L被直接公开。
技术特征M:第一汇流条对(直接公开)[0031] 描述了三个汇流条电极20X、20Y、20Z,其中20X和20Z位于基板相对端,可视为一对。对比文件公开了位于相对端的第一汇流条对(20X和20Z),因此技术特征M被直接公开。
技术特征N:所述第一汇流条对分别设置在所述半导体基板的相对端并且在所述第一方向上分离开比所述倒角的宽度大的第二宽度(未公开)对比文件无倒角概念,也未公开第一汇流条对之间的宽度与倒角宽度的关系。对比文件未公开倒角以及第一汇流条对间距与倒角宽度的比较,因此技术特征N未被公开。
技术特征O:设置在所述第一汇流条对之间的多个第二汇流条(未公开)对比文件在第一汇流条对之间仅设置了一个第二汇流条(20Y),而非多个。对比文件未公开多个第二汇流条,因此技术特征O未被公开。
技术特征P:设置在所述半导体基板的一端与所述第一汇流条对中的一个之间的第一区域中的多条指状线具有与设置在所述第一汇流条对之间的第二区域中的多条指状线不同的形状(未公开)对比文件中第一区域(例如左边缘至20X)的指状线21E与第二区域(20X‑20Y)的指状线21A/21B形状相同,均为相同宽度的直线。对比文件未公开第一区域与第二区域指状线形状不同,因此技术特征P未被公开。
技术特征Q:其中(不单独构成技术特征)—过渡词,不单独影响公开性。
技术特征R:所述第二区域被所述多个第二汇流条分成多个第三区域(未公开)对比文件没有多个第二汇流条,第二区域仅被一个第二汇流条分成两个区域,不满足“多个第三区域”。对比文件未公开第二区域被多个第二汇流条分割成多个第三区域,因此技术特征R未被公开。
技术特征S:所述多条指状线包括(直接公开)[0033] 公开了多条指状电极21。对比文件公开了多条指状线,因此技术特征S被直接公开。
技术特征T:设置在所述第一区域中的延伸部分(未公开)对比文件未在第一区域设置宽度变化的延伸部分。对比文件未公开在第一区域中具有延伸部分,因此技术特征T未被公开。
技术特征U:连接部分(未公开)对比文件虽有连接指状线的连接手指,但并未设置在权利要求所定义的第三区域中,且宽度无比较。对比文件未公开如权利要求定义的连接部分,因此技术特征U未被公开。
技术特征V:所述连接部分设置在所述多个第三区域中与所述第一区域相邻的第三区域对中(未公开)对比文件无对应的区域划分和连接部分设置。未公开。
技术特征W:所述连接部分的宽度小于所述延伸部分的宽度(未公开)对比文件未公开延伸部分和连接部分以及两者的宽度关系。未公开。
技术特征X:指状部分(未公开)对比文件无对应的指状部分定义。未公开。
技术特征Y:所述指状部分设置在所述多个第三区域中不设置所述连接部分的第三区域中(未公开)对比文件无对应设置。未公开。
技术特征Z:所述指状部分的宽度小于所述连接部分的宽度(未公开)对比文件无对应宽度关系。未公开。

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