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对比文件列表
2003-11-28_JP2003338631A_发明专利_JP2003338631A Semiconductor device and its manufacturing method_+++A_B_D_E_G_H_I_J_L_M_S_f_k_p_q_t+++.docx
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2011-07-14_US2011168255A_发明申请_US20110168255A1 ELECTRODE STRUCTURE OF SOLAR CELL_+++A_B_D_E_G_H_I_J_L_m_o_r+++.docx
2026-07-03 01:10
2012-06-07_US2012138141A_发明申请_US20120138141A1 SOLAR CELL_+++A_D_E_G_H_I_J_L_S_b_f_k_q+++.docx
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2013-07-04_WO2013099039A_发明申请_WO2013099039A1 太陽電池及びその製造方法_+++A_B_D_E_G_H_I_J_L_M_S_U_X_c_p_t_z+++.docx
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2014-07-10_US2014190563A_发明申请_US20140190563A1 SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL_+++A_B_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_Q_S_p_t+++.docx
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2015-03-05_WO2015029657A_发明申请_WO2015029657A1 太陽電池_+++A_D_G_H_I_b_e+++.docx
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2015-06-09_US9054238B_发明授权_US09054238B1 Semiconductor with silver patterns having pattern segments_+++A_B_c_d_e_g_h_i_j_l_m_o_p_r_s_x+++.docx
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2015-09-17_US2015263194A_发明申请_US20150263194A1 SOLAR CELL_+++A_B_D_E_G_H_I_J_L_M_S+++.docx
2026-07-03 01:10
2016-03-31_US2016093752A_发明申请_US20160093752A1 SOLAR CELL AND SOLAR CELL PANEL INCLUDING THE SAME_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_M_N_O_R+++.docx
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2016-04-07_KR1020160038717A_发明公开_KR1020160038717A 태양 전지 및 이를 포함하는 태양 전지 패널_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_M_N_O_P_R+++.docx
2026-07-03 01:10
2016-10-06_WO2016157683A_发明申请_WO2016157683A1 太陽電池モジュール_+++A_B_D_E_G_H_I_J_L_c_f_k_m_o_p_q_r+++.docx
2026-07-03 01:10
2015-03-05_WO2015029657A_发明申请_WO2015029657A1 太陽電池_+++A_D_G_H_I_b_e+++.docx

**对比文件名称**:2015-03-05_WO2015029657A_发明申请_WO2015029657A1 太陽電池

**目标专利名称**:1610太阳能电池和包括该太阳能电池的太阳能电池板CN108074996B

**本次调用的模型名称**:DeepSeek-R1

**特征比对表格**

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(日文及中文翻译)公开性论述
技术特征A:该太阳能电池包括《直接公开》对比文件标题“太陽電池”;说明书[0002]“本発明は、太陽電池に関する。”;图1等显示“太陽電池1”。对比文件明确涉及太阳能电池,并公开了太阳能电池的整体结构,因此该技术特征被直接公开。
技术特征B:半导体基板《隐含公开》说明书[0001]未直接出现“半导体基板”,但全文多处使用“第1の主面10”“第2の主面20”(例如[0006]段:“…第1の主面、及び前記第1の主面の反対側に位置する第2の主面…”);图4显示基板厚度。本领域技术人员公知,太阳能电池的电极形成于半导体基板上,对比文件虽未明确写出“基板”一词,但所指的主面必然对应于半导体基板的表面,且电极直接设置在这些表面上,因此可以合理推断出半导体基板的存在。该技术特征被隐含公开。
技术特征C:在该半导体基板的边缘处形成有倒角《未公开》对比文件未记载任何关于半导体基板边缘倒角的内容。对比文件通篇未提及倒角结构,也不涉及基板边缘形状的任何描述,本领域技术人员无法从对比文件中直接地、毫无疑义地得出该特征,也无法通过合理推理得出,因此未公开。
技术特征D:电极《直接公开》说明书[0006]段:“…第1のフィンガー電極群と、…第2のフィンガー電極群とを備え”;图1、图2示出バスバー電極(汇流条电极)和フィンガー電極(指状电极)。对比文件明确公开了太阳能电池具有电极,且电极包括汇流条电极和指状电极,因此该技术特征被直接公开。
技术特征E:该电极通过导电型区域电连接到所述半导体基板《隐含公开》说明书未直接出现“导电型区域”,但明确记载了第一主面10和第二主面20上分别形成有电极([0006]段、图1等)。本领域技术人员公知,太阳能电池的电极必须通过pn结或掺杂区域(即导电型区域)与半导体基板电连接才能实现光生载流子的收集。对比文件虽未用文字描述该连接关系,但其电极结构必然建立在导电型区域之上,这是本领域的普通技术知识,因此该特征被隐含公开。
技术特征F:其中《未公开》对比文件无对应内容。仅为语法连接词,不具有技术含义,无需判断公开性;但严格而言未被公开,不产生代码。
技术特征G:所述电极包括《直接公开》同上D项引用,对比文件明确电极包括“バスバー電極”和“フィンガー電極”。对比文件明确公开电极的具体组成,因此该技术特征被直接公开。
技术特征H:在第一方向上延伸的多条指状线《直接公开》说明书[0006]段:“…前記第1の主面上に設けられる複数のフィンガー電極からなる第1のフィンガー電極群と、前記第2の主面上に設けられる複数のフィンガー電極からなる第2のフィンガー電極群”;图1示出指状线沿x方向延伸。对比文件明确公开了多条指状电极,且这些指状电极沿着与汇流条垂直的方向(x方向)延伸,因此该技术特征被直接公开。
技术特征I:在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸《直接公开》说明书[0006]段:“第1のバスバー電極11及び12は、y方向に延びるように形成されている。”(第1汇流条电极11、12形成为沿y方向延伸);类似地第2汇流条电极21、22也沿y方向延伸。对比文件公开了汇流条(バスバー電極)沿着与指状线(x方向)交叉的y方向延伸,因此该技术特征被直接公开。
技术特征J:连接所述多条指状线并在所述第一方向上彼此间隔开第一宽度的多个汇流条《未公开》说明书[0006]段:“…2本の第1のバスバー電極11及び12”;图1显示两根汇流条间隔一定距离;未提及多于两根汇流条。对比文件公开了两根汇流条,但目标专利明确要求“多个汇流条”(结合说明书记载为10‑20根),仅两根不能认定为“多个”。对比文件未给出增加汇流条数量的任何启示,本领域技术人员无法合理推断出多于两根的汇流条。因此未公开。
技术特征K:其中《未公开》无对应内容。同特征F,未公开。
技术特征L:所述多个汇流条包括《未公开》对比文件仅有两根汇流条,不满足“多个”的前提。特征L建立在“多个汇流条”基础上,对比文件未公开该前提,因此未公开。
技术特征M:第一汇流条对《未公开》对比文件两根汇流条可勉强视为一对,但后续特征要求有第二汇流条(O)且第一汇流条对与倒角宽度关系(N),对比文件均不满足。由于对比文件仅有2根汇流条且无倒角概念,无法认定其公开了区分第一汇流条对和第二汇流条的结构,因此未公开。
技术特征N:所述第一汇流条对分别设置在所述半导体基板的相对端并且在所述第一方向上分离开比所述倒角的宽度大的第二宽度《未公开》对比文件未公开倒角,也未公开第一汇流条对与倒角宽度的比较关系;汇流条位置仅在图1粗略显示靠近边缘,但无精确限定。缺少倒角基础,且无任何关于第二宽度大于倒角宽度的描述,本领域技术人员无法从对比文件得到该特征,因此未公开。
技术特征O:设置在所述第一汇流条对之间的多个第二汇流条《未公开》对比文件只有两根汇流条,不存在位于它们之间的第二汇流条。对比文件未公开任何位于第一汇流条对之间的其他汇流条,因此未公开。
技术特征P:设置在所述半导体基板的一端与所述第一汇流条对中的一个之间的第一区域中的多条指状线具有与设置在所述第一汇流条对之间的第二区域中的多条指状线不同的形状《未公开》对比文件第二主面上,第二指状电极群23被分为分割电极部24、25、26,外侧(靠近边缘)电极数量少(或宽度不同),但不存在第一汇流条对之间的第二区域(两汇流条之间无指状线群),且第一主面指状线均匀无形状变化。目标专利的“第一区域”和“第二区域”划分基于汇流条对的位置,而对比文件不具备这种划分(两汇流条之间无指状线,无法比较)。即使考虑第二主面外侧与内侧的差异,内侧(两汇流条之间)无指状线,不满足“第二区域中的多条指状线”存在的前提。因此未公开。
技术特征Q:其中《未公开》无对应内容。同特征F,未公开。
技术特征R:所述第二区域被所述第二汇流条分成多个第三区域《未公开》对比文件没有多个第二汇流条,因此不存在第二区域被第二汇流条分割的概念。未公开。
技术特征S:所述多条指状线包括《未公开》对比文件指状线仅包括普通的指状线和连接不同分割电极部的“連結部”(如27、28),但无后续T‑Z所限定的组成部分。目标专利S‑Z限定了指状线由延伸部分、连接部分和指状部分构成,且宽度关系特定,对比文件未公开该结构,因此未公开。
技术特征T:设置在所述第一区域中的延伸部分《未公开》对比文件无对应结构。未公开。
技术特征U:连接部分《未公开》对比文件有“連結部27、28”,但它们是连接相邻分割电极部的独立线段,并非指状线的一部分,且不设置在第三区域中,宽度关系也不同。目标专利的连接部分是指状线中的一段,具有特定宽度关系,对比文件的连结部功能、位置均不同,因此未公开。
技术特征V:所述连接部分设置在所述多个第三区域中与所述第一区域相邻的第三区域对中《未公开》对比文件无第三区域概念,且连接部设置在分割电极部之间,而非与第一区域相邻的第三区域对。未公开。
技术特征W:所述连接部分的宽度小于所述延伸部分的宽度《未公开》对比文件公开了連結部27、28的宽度W2小于第二バスバー電極22的宽度W1([2]段:“連結部27及び28の幅W2は、第2のバスバー電極22の幅W1より狭くなっている”),但未公开连接部分与延伸部分的宽度比较。目标专利的延伸部分和连接部分均是指状线的组成部分,对比文件不存在对应的结构关系,因此未公开。
技术特征X:指状部分《未公开》对比文件指状电极24a、25a、26a等可视为指状部分,但未公开其与连接部分的设置关系和宽度比较。由于目标专利的指状部分是在不设置连接部分的第三区域中,且宽度小于连接部分,对比文件不存在这种区域划分和宽度层级,因此未公开。
技术特征Y:所述指状部分设置在所述多个第三区域中不设置所述连接部分的第三区域中《未公开》对比文件无第三区域,无这种设置。未公开。
技术特征Z:所述指状部分的宽度小于所述连接部分的宽度《未公开》对比文件无连接部分与指状部分的宽度比较。未公开。

**输出代码**

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