对比文件名称：2016-10-06_WO2016157683A_发明申请_WO2016157683A1 太陽電池モジュール
目标专利名称：太阳能电池和包括该太阳能电池的太阳能电池板 CN108074996B
本次调用的模型名称：基于自然语言处理的专利特征比对分析模型
### 特征比对表格
| 第一栏：技术特征描述及公开性判断结果 | 第二栏：对比文件原文引用（中文翻译，标注段落标号） | 第三栏：公开性论述 |
| 技术特征A：该太阳能包括《直接公开》 | 对比文件[0016]：“太陽電池素子１１は、受光面に２次元状に配置され、光照射により電力を発生する平板状の光起電力セルである。”<br>翻译：太阳能电池元件11是二维布置在受光面上的、通过光照射产生电力的平板状光伏电池。 | 对比文件明确公开了太阳能电池（太陽電池素子11），直接公开了技术特征A。 |
| 技术特征B：半导体基板《直接公开》 | 对比文件[0023]：“ｎ型単結晶シリコンウエハ１０１の主面上にｉ型非晶質シリコン膜１２１およびｐ型非晶質シリコン膜１２２が形成されている。”<br>翻译：在n型单晶硅晶圆101的主面上形成有i型非晶硅膜121和p型非晶硅膜122。 | 对比文件明确公开了n型单晶硅晶圆101作为半导体基板，直接公开了技术特征B。 |
| 技术特征C：在该半导体基板的边缘处形成有倒角《隐含公开》 | 对比文件[0023]公开了“ｎ型単結晶シリコンウエハ１０１”。虽然未明确提及倒角，但单晶硅晶圆通常通过切割圆柱形晶棒并研磨倒角形成准正方形，这是本领域公知常识。 | 本领域技术人员公知，用于太阳能电池的单晶硅晶圆（如对比文件使用的ｎ型单晶硅晶圆）通常在其边缘形成有倒角，以防止碎裂。因此，从对比文件公开的内容可以合理推断出该晶圆具有倒角，技术特征C被隐含公开。 |
| 技术特征D：电极《直接公开》 | 对比文件[0022]：“バスバー電極１１２およびフィンガー電極１１１は、集電極１１０を構成する。”<br>翻译：汇流条电极112和指状电极111构成集电极110。 | 对比文件明确公开了电极（集电极110），直接公开了技术特征D。 |
| 技术特征E：该电极通过导电型区域电连接到所述半导体基板《直接公开》 | 对比文件[0023]：“ｐ型非晶質シリコン膜１２２上に、受光面電極１０２が形成されている。さらに、受光面電極１０２上に、複数のバスバー電極１１２および複数のフィンガー電極１１１からなる集電極１１０が形成されている。”<br>翻译：在p型非晶硅膜122上形成有受光面电极102。进而，在受光面电极102上形成有由多个汇流条电极和多个指状电极构成的集电极110。 | 对比文件公开了受光面电极102和集电极110通过p型非晶硅膜122（导电型区域）电连接到n型单晶硅晶圆101，因此电极通过导电型区域连接，直接公开了技术特征E。 |
| 技术特征F：其中《隐含公开》 | 对比文件通篇使用“ことを特徴とする”“において”等措辞，隐含逻辑连接。 | “其中”是权利要求中常见的过渡词，对比文件的技术方案描述自然包含这种递进限定关系，因此隐含公开。 |
| 技术特征G：所述电极包括《直接公开》 | 对比文件[0022]：“バスバー電極１１２およびフィンガー電極１１１は、集電極１１０を構成する。”<br>翻译：汇流条电极112和指状电极111构成集电极110。 | 对比文件直接公开了电极包括指状线和汇流条，直接公开了技术特征G。 |
| 技术特征H：在第一方向上延伸的多条指状线《直接公开》 | 对比文件[0022]：“ストライプ状の複数のフィンガー電極１１１が互いに平行に形成されている。”<br>翻译：条纹状的多个指状电极111互相平行地形成。 | 对比文件公开了多条指状电极111，它们在基板上沿一个方向（第一方向）延伸，直接公开了技术特征H。 |
| 技术特征I：在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸《直接公开》 | 对比文件[0022]：“バスバー電極１１２と直交するようにストライプ状の複数のフィンガー電極１１１”。<br>翻译：多个指状电极111以与汇流条电极112正交的方式形成。 | 对比文件公开了汇流条电极112沿与指状线正交的方向（第二方向）延伸，直接公开了技术特征I。 |
| 技术特征J：连接所述多条指状线并在所述第一方向上彼此间隔开第一宽度的多个汇流条《直接公开》 | 对比文件[0022]：“バスバー電極１１２およびフィンガー電極１１１は、集電極１１０を構成する。”并且图2显示多条平行汇流条。 | 对比文件公开了多个汇流条112连接指状线111，且沿第一方向彼此间隔（图中明显可见间隔），直接公开了技术特征J。 |
| 技术特征K：其中《隐含公开》 | 对比文件进一步限定部分使用“この接続電極の配置により”等措辞。 | 类似特征F，对比文件隐含了“其中”所代表的进一步限定关系，因此隐含公开。 |
| 技术特征L：所述多个汇流条包括《直接公开》 | 对比文件[0022]公开了“複数のバスバー電極１１２”。 | 对比文件直接公开了存在多个汇流条，即“多个汇流条包括”的含义，直接公开了技术特征L。 |
| 技术特征M：第一汇流条对《隐含公开》 | 对比文件图2、图6等显示多个平行汇流条，其中位于基板相对端的最外侧两个汇流条构成一对。 | 尽管对比文件没有明确命名“第一汇流条对”，但其公开的多个汇流条必然具有位于基板相对端的最外侧两个汇流条，本领域技术人员可以识别出这一对汇流条，因此隐含公开。 |
| 技术特征N：所述第一汇流条对分别设置在所述半导体基板的相对端并且在所述第一方向上分离开比所述倒角的宽度大的第二宽度《未公开》 | 对比文件未涉及任何关于汇流条与倒角宽度的关系。 | 对比文件未公开倒角的概念，也未公开第一汇流条对离端部的距离与倒角宽度的数值关系，因此技术特征N未被公开（既未直接公开，也未隐含公开）。 |
| 技术特征O：设置在所述第一汇流条对之间的多个第二汇流条《隐含公开》 | 对比文件图2、图6等显示在第一汇流条对之间的中间区域设置有其他汇流条。 | 基于对比文件公开的多个汇流条结构，在最外侧两汇流条之间必然存在其他汇流条，本领域技术人员可以合理推断出第二汇流条的存在，因此隐含公开。 |
| 技术特征P：设置在所述半导体基板的一端与所述第一汇流条对中的一个之间的第一区域中的多条指状线具有与设置在所述第一汇流条对之间的第二区域中的多条指状线不同的形状《隐含公开》 | 对比文件[0053]-[0054]划分了端部領域Ａｐ和中央領域Ａｃ，并且[0083]公开了端部領域Ａｐ的指状线111P与中央領域Ａｃ的指状线111C通过连接电极连接，且部分指状线宽度不同（电極部111B）。 | 对比文件公开了靠近基板端的区域（Ap）中的指状线与中央区域（Ac）中的指状线在连接方式和宽度方面存在差异。尽管区域划分边界不一定与第一汇流条完全对应，但整体上存在端部区域和内部区域且指状线形状不同，本领域技术人员可以合理推断出该特征，因此隐含公开。 |
| 技术特征Q：其中《隐含公开》 | 对比文件进一步限定部分使用“この接続電極の配置により”等措辞。 | 类似特征F、K，对比文件隐含了“其中”所代表的进一步限定关系，因此隐含公开。 |
| 技术特征R：所述第二区域被所述第二汇流条分成多个第三区域《隐含公开》 | 对比文件图2、图6等显示多个汇流条将中央区域分隔成多个间隔区。 | 在对比文件中，第二汇流条（中间汇流条）将中央区域自然分成多个子区域，本领域技术人员可以合理推断，因此隐含公开。 |
| 技术特征S：所述多条指状线包括《未公开》 | 对比文件公开了指状线，但未明确指状线包括延伸部分、连接部分、指状部分等划分。 | 对比文件未公开多条指状线包含如目标专利所限定的具体组成部分（延伸部分、连接部分、指状部分），因此技术特征S未被公开。 |
| 技术特征T：设置在所述第一区域中的延伸部分《未公开》 | 对比文件无直接对应内容。 | 对比文件未公开指状线在第一区域中具有宽度较宽的延伸部分，因此未公开。 |
| 技术特征U：连接部分《未公开》 | 对比文件虽公开了连接电极（接続電極），但该连接电极并非指状线的一部分，且宽度关系不同。 | 对比文件未公开如目标专利所述的作为指状线一部分且宽度介于延伸部分和指状部分之间的连接部分，因此未公开。 |
| 技术特征V：所述连接部分设置在所述多个第三区域中与所述第一区域相邻的第三区域对中《未公开》 | 对比文件无对应内容。 | 对比文件未公开连接部分的特定位置，因此未公开。 |
| 技术特征W：所述连接部分的宽度小于所述延伸部分的宽度《未公开》 | 对比文件无对应内容。 | 对比文件未公开该宽度关系，因此未公开。 |
| 技术特征X：指状部分《未公开》 | 对比文件无对应内容。 | 对比文件未公开指状部分，因此未公开。 |
| 技术特征Y：所述指状部分设置在所述多个第三区域中不设置所述连接部分的第三区域中《未公开》 | 对比文件无对应内容。 | 对比文件未公开该设置，因此未公开。 |
| 技术特征Z：所述指状部分的宽度小于所述连接部分的宽度《未公开》 | 对比文件无对应内容。 | 对比文件未公开该宽度关系，因此未公开。 |
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