对比文件名称：2003-11-28_JP2003338631A_发明专利_JP2003338631A Semiconductor device and its manufacturing method
目标专利名称：1610太阳能电池和包括该太阳能电池的太阳能电池板CN108074996B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译，段落标号） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该太阳能电池包括（直接公开） | 【0001】“この発明は主としてシリコン半導体装置に関するものである。”【0002】“現在市販されている電力用太陽電池の主流はシリコン太陽電池である。”<br>中文：本发明主要涉及硅半导体装置。目前市售的电力用太阳电池的主流是硅太阳电池。 | 对比文件明确涉及太阳电池领域，直接公开了“太阳能电池”这一产品。 |
| 技术特征B：半导体基板（直接公开） | 【0005】“スライスして作成されたｐ型Ｓｉ基板１０１（以下、基板１０１）”<br>中文：通过切片制作的p型Si基板101（以下称为基板101）。 | 直接公开了构成太阳能电池的半导体基板（p型Si基板）。 |
| 技术特征C：在该半导体基板的边缘处形成有倒角（未公开） | 无 | 对比文件未记载任何关于基板边缘倒角的内容，也未提及或暗示单晶硅晶圆的准正方形倒角形状，因此未公开。 |
| 技术特征D：电极（直接公开） | 【0008】“受光面に受光面電極１０５が形成される”<br>中文：在受光面上形成受光面电极105。 | 直接公开了太阳能电池的电极（受光面电极）。 |
| 技术特征E：该电极通过导电型区域电连接到所述半导体基板（直接公开） | 【0006】“ｎ型拡散層１０２”【0008】“銀ペーストは拡散層１０２に到達し、接触することで電気的な接触が図られる”<br>中文：n型扩散层；银浆到达扩散层102并通过接触实现电连接。 | 直接公开了电极通过n型扩散层（导电型区域）与p型基板形成电连接。 |
| 技术特征F：其中（隐含公开） | 【0011】“受光面電極１０５の表面にはグリッド電極１０７とこれと直交するバス電極１０８とが形成されている。”<br>中文：在受光面电极105的表面形成有栅格电极107和与之正交的母线电极108。 | 该描述隐含了电极结构的组成关系，相当于“其中”的过渡作用，本领域技术人员可合理推断电极包括指状线和汇流条。 |
| 技术特征G：所述电极包括（直接公开） | 同特征F。 | 直接公开了电极包括栅格电极（指状线）和母线电极（汇流条）。 |
| 技术特征H：在第一方向上延伸的多条指状线（直接公开） | 【0011】“グリッド電極１０７”（栅格电极），结合图5可知其为多条平行线且在一个方向上延伸。 | 直接公开了多条在第一方向上延伸的指状线（栅格电极）。 |
| 技术特征I：在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸（直接公开） | 【0011】“これと直交するバス電極１０８”<br>中文：与之正交的母线电极。 | 直接公开了汇流条（母线电极）在与指状线交叉（正交）的第二方向上延伸。 |
| 技术特征J：连接所述多条指状线并在所述第一方向上彼此间隔开第一宽度的多个汇流条（直接公开） | 【0011】“グリッド電極１０７とこれと直交するバス電極１０８とが形成されている。”图5(a)显示两条平行的バス電極108，间隔一定距离。 | 直接公开了多个汇流条（至少两个）连接指状线，并且这些汇流条在第一方向上彼此间隔开（存在间隔），虽然未明确记载具体间隔数值（第一宽度），但间隔结构明确公开。 |
| 技术特征K：其中（隐含公开） | 同特征J。 | 隐含公开，理由同特征F。 |
| 技术特征L：所述多个汇流条包括（直接公开） | 【0011】“バス電極１０８” | 直接公开了多个汇流条（包括至少两个）。 |
| 技术特征M：第一汇流条对（直接公开） | 两条バス電極108构成一对。 | 直接公开了第一汇流条对（一对汇流条）。 |
| 技术特征N：所述第一汇流条对分别设置在所述半导体基板的相对端并且在所述第一方向上分离开比所述倒角的宽度大的第二宽度（未公开） | 无 | 对比文件未公开倒角，未公开汇流条设置在基板相对端以及第二宽度大于倒角宽度的特征，因此未公开。 |
| 技术特征O：设置在所述第一汇流条对之间的多个第二汇流条；并且（未公开） | 无 | 对比文件只有两个汇流条，没有设置在其间的多个第二汇流条，因此未公开。 |
| 技术特征P：设置在所述半导体基板的一端与所述第一汇流条对中的一个之间的第一区域中的多条指状线具有与设置在所述第一汇流条对之间的第二区域中的多条指状线不同的形状（隐含公开） | 【0017】“受光面に設けられた受光面電極と、受光面電極上に設けられたバス電極と、受光面電極上に設けられバス電極と交差する位置からバス電極の両側に伸びているグリッド電極のうちの一方が、バス電極から一定の位置までの幅の広い部分と、一定の位置からの幅の狭い部分とを有する半導体基板を備える。”<br>中文：包括受光面电极、设置在受光面电极上的母线电极、以及设置在受光面电极上从与母线电极交叉的位置向母线电极两侧延伸的栅格电极中的一方具有从母线电极到一定位置的宽部分和从一定位置开始的窄部分的半导体基板。 | 对比文件公开了在母线电极（汇流条）一侧的栅格电极（指状线）具有宽度较大的部分（不同形状），而另一侧为正常宽度，即不同区域指状线形状不同。本领域技术人员可合理推断出基板端部与汇流条之间的第一区域和汇流条之间的第二区域指状线形状不同，因此隐含公开。 |
| 技术特征Q：其中（隐含公开） | 同特征P。 | 隐含公开。 |
| 技术特征R：所述第二区域被所述多个第二汇流条分成多个第三区域；并且（未公开） | 无 | 对比文件没有第二汇流条，不存在将第二区域分成多个第三区域，未公开。 |
| 技术特征S：所述多条指状线包括（直接公开） | 【0017】公开了指状线包括宽部分和窄部分（幅の広い部分と幅の狭い部分）。 | 直接公开了指状线由不同宽度的部分组成，即包括至少两种部分。 |
| 技术特征T：设置在所述第一区域中的延伸部分（隐含公开） | 【0017】宽部分（幅広部）设置在母线电极一侧的区域。 | 对比文件公开的宽部分相当于延伸部分，且其位置位于母线电极一侧的区域，该区域可对应于第一区域，因此隐含公开。 |
| 技术特征U：连接部分（未公开） | 无 | 对比文件未公开宽度介于延伸部分和指状部分之间的连接部分。 |
| 技术特征V：所述连接部分设置在所述多个第三区域中与所述第一区域相邻的第三区域对中（未公开） | 无 | 对比文件没有第三区域和连接部分，未公开。 |
| 技术特征W：所述连接部分的宽度小于所述延伸部分的宽度（未公开） | 无 | 对比文件没有连接部分，未公开。 |
| 技术特征X：指状部分（未公开） | 对比文件有窄部分（幅の狭い部分），但特征X还包括位置限定（设置在多个第三区域中不设置连接部分的第三区域中）。 | 对比文件未公开第三区域和连接部分，因此该特征整体未公开。 |
| 技术特征Y：所述指状部分设置在所述多个第三区域中不设置所述连接部分的第三区域中（未公开） | 无 | 对比文件未公开第三区域和连接部分，未公开。 |
| 技术特征Z：所述指状部分的宽度小于所述连接部分的宽度（未公开） | 无 | 对比文件未公开连接部分及相应宽度关系，未公开。 |
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