对比文件名称：KR1020150103041A 发明公开（标题：다중층 구조로 전-고체-상태 배터리를 제조하는 방법，中文译名：以多层结构制造全固态电池的方法）
目标专利名称：硫化物型固体电解质和应用其的全固态电池（CN108352567B）
本次调用模型名称：gpt-4o
以下为特征比对表格：
| 第一栏：技术特征描述及公开性判断 | 第二栏：对比文件原文引用（韩译中，标注段落号） | 第三栏：公开性论述 |
| 技术特征A：其特征在于包含由以下通式1表示的锂‑锡‑金属‑硫化物(LTMS)型化合物<br>《直接公开》 | 对比文件[0042]段（韩文原文，翻译）：“c) Li_xM_{1-y}M'_yS_4 (여기서 M=Si, Ge, Sn 및 M'=P, Al, Zn, Ga, Sb) … 로부터 선택된 황화물-기반 물질”（中文：“c）选自Li_xM_{1-y}M'_yS_4（其中M=Si、Ge、Sn，M'=P、Al、Zn、Ga、Sb）…的硫化物基材料”）。[0099]段记载相同的列表。 | 对比文件明确列出了Li_xM_{1-y}M'_yS_4类硫化物化合物作为固体电解质的候选材料，其中M包括Sn（锡），M'为其他金属。当M=Sn时，该通式即为Li_xSn_{1-y}M'_yS_4，属于锂‑锡‑金属‑硫化物（LTMS）型化合物，与目标专利通式1中LiaSnbMcSd（M为金属）在结构类型和元素组成上实质一致。对比文件将其用于全固态电池的固体电解质，与目标专利中该化合物的作用（固体电解质）完全相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了包含通式1表示化合物的固体电解质，构成直接公开。 |
| 技术特征B：[通式1] LiaSnbMcSd<br>《直接公开》 | 同上，[0042]段和[0099]段：Li_xM_{1-y}M'_yS_4 (M=Si, Ge, Sn; M'=P, Al, Zn, Ga, Sb)。 | 对比文件以通式Li_xM_{1-y}M'_yS_4公开了锂‑锡‑硫化物与第三金属M'的组合，其中M取Sn时对应于Li_xSn_{1-y}M'_yS_4，变量可以对应目标专利通式1中的LiaSnbMcSd（例如a对应x，b对应1-y，c对应y，d为4）。尽管下标表现形式不同，但本领域技术人员可直接理解其本质相同，均涉及锂、锡、另一金属和硫的硫化物固体电解质。因此对比文件直接公开了通式1的实质内容。 |
| 技术特征C：其中M是锆(Zr)<br>《未公开》 | 对比文件全文，特别是在硫化物基材料列表[0042]/[0099]中，所列的M'元素为P、Al、Zn、Ga、Sb，不包括锆(Zr)。其他部分也未出现将锆作为硫化物固体电解质中M元素的教导或暗示。对比文件[0097]等提及的含锆材料均为氧化物（如Li7La3Zr2O12），不涉及硫化物体系。 | 目标专利明确限定M为锆，而对比文件的所有硫化物相关记载均未包含任何含锆的金属硫化物化合物。无论直接公开还是隐含公开（即使宽松标准），均无法从对比文件中推理出以锆作为M元素的Li-Sn-Zr-S化合物。故技术特征C未被对比文件公开。 |
| 技术特征D：0<a≤10，0<b≤5，0<c≤5，2<d≤12<br>《未公开》 | 对比文件[0042]/[0099]中仅给出通式Li_xM_{1-y}M'_yS_4，但未对变量x、y及硫的系数赋予具体数值范围。其他部分也未公开任何关于元素比例的数值限定。 | 目标专利的数值范围是对化合物组成的进一步限定，对比文件未公开任何有关a、b、c、d的具体范围，本领域技术人员不能从对比文件中直接且毫无疑义地得出这些数值，也无法通过合理推断确定该范围。因此技术特征D未被公开。 |
| 技术特征E：其特征在于包括如下步骤<br>《未公开》 | 对比文件的整体方法包括多个步骤（如[0024]-[0027]列出了a)至d)步骤），但该步骤序列与目标专利的制备方法（混合+热处理）不同，且没有明确出现“包括如下步骤”这样的表达。对比文件步骤涉及电泳沉积、Ms接合层沉积等，不涉及目标专利的混合热处理步骤。 | 技术特征E是方法权利要求的过渡用语，但对比文件的方法不包含目标专利后续限定的特定工序（特征F、G）。该过渡特征本身不具有限定作用，但作为整体方案的一部分，对比文件没有公开对应于目标专利后续步骤的工序，故不认为该特征被公开。 |
| 技术特征F：i)将锂硫化物锡硫化物和含M的硫化物混合以得到混合物 其中M是锆(Zr)<br>《未公开》 | 对比文件未记载任何使用锂硫化物、锡硫化物和含锆硫化物作为原料混合的步骤。对比说明书中涉及硫化物原料时仅提及Li2S、P2S5等（如[0099]），但从未提及SnS2或ZrS3等特定硫化物混合。 | 对比文件没有任何地方公开或暗示使用锂硫化物、锡硫化物与含锆硫化物混合来制备固体电解质。即使采用隐含公开的宽松标准，对比文件未提供任何关于该混合步骤的教导，本领域技术人员也无法合理推断出该步骤。故技术特征F未被公开。 |
| 技术特征G：和ii)对所述混合物进行热处理<br>《未公开》 | 对比文件中存在多种热处理步骤，例如[0225]段中“400℃에서 열 처리”（在400℃热处理），[0240]段“450℃에서 응고”（在450℃固化）。但这些热处理的对象是电泳沉积后的电极或电解质层，并非由锂硫化物、锡硫化物和含锆硫化物形成的混合物。 | 技术特征G中的“所述混合物”明确指代特征F中的混合物，由于特征F未被公开，因此对特征F的混合物进行热处理这一步骤自然也不存在。对比文件中的热处理针对的是完全不同的前驱物，不能认为公开了该特征。故技术特征G未被公开。 |
| 技术特征H：其特征在于所述热处理<br>《未公开》 | 同上，对比文件虽有“열 처리”（热处理）的表述，但该热处理与特征F、G的技术方案无关联。 | 技术特征H是对特征G中热处理的进一步限定，由于特征G未被公开，特征H亦无基础。即使单独看，对比文件的热处理并非用于处理特征F的混合物，因此不构成公开。 |
| 技术特征I：在400℃至850℃下<br>《未公开》 | 对比文件[0225]段公开热处理温度400℃，[0240]段公开450℃，[0246]段公开350℃。这些温度落入400-850℃范围内，但均用于不同对象。 | 技术特征I是限定特征G中热处理的温度，由于特征G未公开，该温度限定也无对应基础。尽管温度数值本身在对比文件中出现，但未与特征F的混合物热处理结合，本领域技术人员不能从对比文件得出将该温度用于所述混合物的技术方案。因此未公开。 |
| 技术特征J：进行一次或多次<br>《未公开》 | 对比文件各示例中热处理通常进行一次（如[0225]“열 처리”），但未明确强调“一次或多次”。 | 技术特征J同样依赖于特征G的热处理，因特征G未公开，该特征也未公开。对比文件中出现的单次热处理不针对特征F的混合物，故不构成公开。 |
综上所述：
- 技术特征A被对比文件直接公开。
- 技术特征B被对比文件直接公开。
- 技术特征C、D、E、F、G、H、I、J未被对比文件公开（直接或隐含）。
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