**对比文件名称**：2014-05-07_KR101392689B_发明授权_KR101392689B1 황화물 고체 전해질 재료, 전지 및 황화물 고체 전해질 재료의 제조 방법
**目标专利名称**：1622硫化物型固体电解质和应用其的全固态电池 CN108352567B
**本次调用模型名称**：AI语言模型（GPT-4架构）
---
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其特征在于包含由以下通式1表示的锂‑锡‑金属‑硫化物(LTMS)型化合物【未直接公开，未隐含公开】 | 对比文件未公开包含通式1化合物的具体内容。对比文件[0008]提及“M2是选自P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nb中的至少一种”，但未限定特定通式。 | 对比文件涉及M1-M2-S型硫化物固体电解质，M2涵盖众多元素，但所有实施例均含有P和Ge，且强调LiGePS体系的XRD特征峰和峰强比。目标专利的LTMS型化合物以Sn为骨架、不含P，通式1为LiaSnbMcSd，对比文件未记载无P、无Ge的Sn基硫化物，也未教导或暗示该类化合物的组成和结构。本领域技术人员阅读对比文件后不能毫无疑义地得到该技术方案，也不能合理推断出该方案。 |
| **技术特征B**：[通式1] LiaSnbMcSd【未直接公开，未隐含公开】 | 对比文件未公开该通式。对比文件[0047]公开了Li(4-x)Ge(1-x)PxS4，[0100]等公开了Li3.5Ge0.25Zr0.25P0.5S4等具体组成，但均包含Ge和P，且未出现“LiaSnbMcSd”的写法或类似表达式。 | 目标专利的通式1明确以Sn为第二元素（Snb），M为金属（如Zr），且不含P。对比文件中的化学式均基于Ge和P，没有以Sn为主体元素的通式。即使对比文件M2包括Sn和Zr，也未以通式形式限定Li、Sn、M、S的比例关系。因此对比文件未直接或隐含公开该通式。 |
| **技术特征C**：其中M是锆(Zr)【直接公开】 | [0008]“M2는 P, Sb, Si, Ge, Sn, B, Al, Ga, In, Ti, Zr, V, Nb로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종”（M2是选自P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nb中的至少一种）；[0015]相同表述；实施例10使用ZrS2合成Li3.5Ge0.25Zr0.25P0.5S4。 | 对比文件明确列出Zr作为M2的选项，并在实施例中实际使用了Zr。目标专利中的M（金属）相当于对比文件中的M2，因此本领域技术人员可以毫无疑义地确定对比文件公开了“M是锆(Zr)”。该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征D**：0<c<2.5, 0<b<2.5, 2.5<d<6.5, 0<b+c<2.5, 其中通式1为LiaSnbMcSd【未直接公开，未隐含公开】 | 对比文件未公开上述数值范围。对比文件中化合物的系数例如Li3.5Ge0.25Zr0.25P0.5S4中b=0（无Sn），c=0.25，d=4，不落入b>0的范围。其他实施例的组成亦不相同。 | 对比文件的数值关系基于Li-Ge-P-S体系，未涉及以Sn为主体的LiaSnbMcSd通式，更未给出b、c、d的具体范围及关系。本领域技术人员无法从对比文件得出这些精确的数值限定。 |
| **技术特征E**：其特征在于包括如下步骤【直接公开】 | [0022]“제조 방법을 제공한다…（具有）이온 전도성 재료 합성 공정, 결정성 저하 공정, 가열 공정을 갖는 것을 특징으로…（提供制造方法，其特征在于具有离子传导材料合成工序、结晶性降低工序、加热工序）”；[0082]“제1 실시 양태의 황화물 고체 전해질 재료의 제조 방법은, … 공정을 갖는 것”（第一实施方式的硫化物固体电解质材料的制造方法，具有…工序）。 | 对比文件明确提供了硫化物固体电解质材料的制造方法，并描述了多个步骤。特征E是方法前序中的概括性表述，对比文件公开了“包括步骤”的方法。 |
| **技术特征F**：i)将锂硫化物锡硫化物和含M的硫化物混合以得到混合物 其中M是锆(Zr)【未直接公开，未隐含公开】 | 对比文件未公开使用锡硫化物。对比文件[0125]使用Li2S、P2S5、GeS2；[0155]使用Li2S、P2S5、GeS2；实施例10使用Li2S、P2S5、ZrS2、GeS2，均不含锡硫化物。 | 对比文件所有合成实施例均以GeS2作为硫化物源，且包含P2S5，没有使用SnS2或SnS。本领域技术人员在对比文件的基础上没有动机或教导用锡硫化物替换锗硫化物并去掉磷化物。即使对比文件M2列举了Sn，但未暗示可以制备不含P的Sn基化合物，因此该技术特征不能从对比文件直接或隐含得出。 |
| **技术特征G**：和ii)对所述混合物进行热处理【直接公开】 | [0082]“가열 공정을 갖는 것을 특징으로 하는”（具有加热工序）；[0102]“비정질화한 이온 전도성 재료를 가열함으로써…”（通过加热非晶化的离子传导材料…）；实施例1在700℃加热8小时，又在550℃加热8小时。 | 对比文件的方法中明确包含对混合物或前驱体进行加热的工序，该加热工序即对应于“热处理”。本领域技术人员可直接确定该步骤被公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于所述热处理【直接公开】 | [0082]等段落中均明确存在“가열 공정”（加热工序）。 | 特征H只是对“热处理”的进一步指明，对比文件公开了热处理工序本身，因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征I**：在400℃至850℃下【直接公开】 | [0100]“가열 온도가 400℃ 이상인 것이 더욱 바람직하고…가열 온도는 1000℃ 이하인 것이 바람직하고…700℃ 이하인 것이 보다 바람직하고…600℃ 이하인 것이 특히 바람직하다”（加热温度更优选400℃以上…优选1000℃以下，更优选700℃以下，特别优选600℃以下）；[0092]“300℃ 내지 1000℃의 범위 내인 것이 바람직하고, 500℃ 내지 900℃의 범위 내인 것이 보다 바람직하다”（优选300-1000℃，更优选500-900℃）。实施例实际使用550℃、700℃等。 | 对比文件明确教导了加热温度范围包括400-850℃（如400-700℃、500-900℃等），并具体实施在该范围内。因此本领域技术人员可直接确定在400℃-850℃下进行热处理的技术特征。 |
| **技术特征J**：进行一次或多次【直接公开】 | [0082]方法中包括“이온 전도성 재료 합성 공정”（离子传导材料合成工序，含加热）和后续“가열 공정”（加热工序），即至少两次加热；[0125]实施例1先700℃合成再550℃加热，进行多次热处理。 | 对比文件的制造方法中明确包含多次加热操作（第一次加热合成离子传导材料，第二次加热得到目标材料），因此“进行一次或多次”的热处理已被直接公开。 |
---
## 公开性结语
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征 **C、E、G、H、I、J**，未直接或隐含公开技术特征 **A、B、D、F**。
<<<C>>><<<E>>><<<G>>><<<H>>><<<I>>><<<J>>>