2012-10-25_US2012267830A_发明申请_US20120267830A1 Method of rapid sintering of ceramics_+++F_G+++.docx

**对比文件的名称:** 2012-10-25_US2012267830A_发明申请_US20120267830A1 Method of rapid sintering of ceramics

**目标专利的名称:** 1629制造金属泡沫的方法CN108883470B

**本次调用的模型名称:** 大语言模型(AI模型)

以下为特征比对表格。技术特征严格按照目标专利权利要求中给出的划分(A~Q)列出,第一栏记录技术特征描述及公开性判断结果(《直接公开》/《隐含公开》/未公开),第二栏记录对比文件引用的内容(翻译成中文,并标注段落编号),第三栏进行专业论述。

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
**技术特征A:** 包括对包含金属组分和盐的生坯结构进行烧结的步骤,所述金属组分包含相对磁导率为90或更大的导电金属<br>**—— 未公开**对比文件涉及陶瓷生坯的烧结,未公开包含金属组分和盐的生坯结构,也未公开相对磁导率。全文无相关记载。对比文件以陶瓷(如氧化锆)为烧结对象,不使用金属组分或盐,更未提及相对磁导率。本领域技术人员无法从对比文件得出该特征,既未直接公开,也无法隐含公开。
**技术特征B:** 其中所述金属组分中的所述导电金属的比例为80重量%或更大<br>**—— 未公开**对比文件未公开金属组分配比。全文无相关记载。对比文件不涉及金属组分,无导电金属比例内容,无直接或隐含公开。
**技术特征C:** 其中所述生坯结构呈膜状<br>**—— 未公开**对比文件中的生坯结构为牙科修复体(如牙冠)等三维形状,未公开膜状结构。全文无相关记载。对比文件未描述膜状生坯结构,亦无任何形状暗示,未公开。
**技术特征D:** 其中所述膜的厚度为1000μm或更小;并且所述生坯结构的烧结仅通过向所述结构施加电磁场来进行<br>**—— 未公开**对比文件未公开膜厚度;烧结过程使用电磁感应但通常需借助 susceptor 体或等离子体(见[0010]、[0019]等),并非仅向结构施加电磁场。对比文件未涉及膜厚度参数;其烧结方式依赖 susceptor 或等离子体提供热量,不是“仅通过向生坯结构施加电磁场”,故未公开。
**技术特征E:** 通过施加所述电磁场,通过所述金属组分的所述导电金属中的感应加热现象产生焦耳热,从而烧结所述结构<br>**—— 未公开**对比文件中的感应加热主要针对 susceptor 或等离子体,而非直接加热金属组分产生焦耳热(见[0010]、[0019])。对比文件烧结陶瓷时,热量来自 susceptor 或等离子体,不属于导电金属的感应焦耳热,未公开该特征。
**技术特征F:** 其中所述电磁场通过施加频率在100kHz至1000kHz范围内的电流来形成<br>**《直接公开》**[0010]:“电源设置为218伏,108 kHz,产生约2.5 kW。”<br>[0010]:“陶瓷在约3分钟内最佳致密化”中的108 kHz。对比文件明确公开了电磁场形成电流的频率为108 kHz,该数值落入100kHz~1000kHz范围。该频率用于感应线圈形成电磁场,与技术特征F的限定完全相同。本领域技术人员可以直接、毫无疑义地确定该特征已被公开。
**技术特征G:** 其中施加所述电磁场持续1分钟至30分钟范围内的时间<br>**《直接公开》**[0010]:“陶瓷在约3分钟内最佳致密化”。<br>[0011](第二实施例):“系统保持此状态5到10分钟”。对比文件公开的烧结时间包括约3分钟、5~10分钟,均落入1分钟至30分钟的范围内。该时间参数直接记载,本领域技术人员可直接获知,因此直接公开。
**技术特征H:** 其中通过涂覆所述金属组分和所述盐的混合物来形成所述生坯结构<br>**—— 未公开**对比文件未公开涂覆方式形成生坯,也未涉及金属组分和盐的混合物。全文无相关记载。对比文件的生坯通过压制或CAD/CAM铣削形成,不含金属和盐,无涂覆步骤,未公开。
**技术特征I:** 其中所述导电金属为镍、铁或钴<br>**—— 未公开**对比文件未公开镍、铁、钴作为导电金属。全文无相关记载。对比文件涉及的陶瓷材料不包含金属,未公开任何特定导电金属种类,未公开。
**技术特征J:** 其中所述盐为NaCl、KCl、K2CO3、KOH、NaOH、CsCl、CaCl2、MgBr2、MgCl2、Na2SiO3、Na2CO3、NaHCO3、NH4Br或NH4Cl<br>**—— 未公开**对比文件未公开任何盐类。全文无相关记载。对比文件不涉及盐作为造孔剂,未公开任何所列盐种,未公开。
**技术特征K:** 其中所述导电金属的平均粒径在10μm至100μm的范围内<br>**—— 未公开**对比文件未公开金属粒径。全文无相关记载。对比文件不涉及金属粉末,无粒径参数,未公开。
**技术特征L:** 其中所述盐的粒径在30μm至250μm的范围内<br>**—— 未公开**对比文件未公开盐的粒径。全文无相关记载。对比文件无盐内容,未公开。
**技术特征M:** 其中所述电磁场通过施加100A至1000A范围内的电流来形成<br>**—— 未公开**对比文件仅提到电源电压、功率和频率,未公开电流值(见[0010])。对比文件未提具体电流数值,也未给出任何暗示可合理推断出100A~1000A范围,本领域技术人员无法直接或隐含得出该特征。
**技术特征N:** 其中所述导电金属在20℃下的电导率为8MS/m或更大<br>**—— 未公开**对比文件未公开导电金属的电导率。全文无相关记载。对比文件不涉及导电金属,无电导率参数,未公开。
**技术特征O:** 其中所述生坯结构包含基于重量的30重量%或更大的所述导电金属<br>**—— 未公开**对比文件未公开导电金属含量。全文无相关记载。对比文件无金属组分,未公开该比例,未公开。
**技术特征P:** 其中相对于100重量份的所述金属组分,所述生坯结构包含10重量份至1000重量份的所述盐<br>**—— 未公开**对比文件未公开金属组分与盐的比例。全文无相关记载。对比文件无盐,无金属组分,未公开该比例关系,未公开。
**技术特征Q:** 还进行在烧结之后除去所述盐的步骤<br>**—— 未公开**对比文件未公开除去盐的步骤。全文无相关记载。对比文件未使用盐,无除盐步骤,未公开。

根据上述比对,对比文件直接公开了技术特征F和技术特征G。

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