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对比文件列表
2004-09-16_JP2004255635A_发明专利_JP2004255635A Transparent laminated film, antireflection film, polarizing plate using the same, and liquid crystal display device_+++C_R_S_Y+++.docx
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2006-02-16_JP2006047504A_发明专利_JP2006047504A Antireflective stack_+++A_C_S_U_V_Y_Z_r_w_x+++.docx
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2006-03-16_JP2006068855A_发明专利_JP2006068855A Angle head for machine tool_+++a_b_c_d_e_f_g_h_i_j_k_l_m_n_o_p_q_r_s_t_u_v_w_x_y_z+++.docx
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2008-07-16_CN101223198A_发明公开_CN101223198A 固化性组合物、固化膜及层叠体_+++A_C_S_Y_Z_r+++.docx
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2009-02-26_JP2009042351A_发明专利_JP2009042351A Optical film, polarizing plate, and display device_+++A_C_U_V_W_X_Y_Z_b_r_s_t+++.docx
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2013-03-28_US2013078440A_发明申请_US20130078440A1 ANTI-REFLECTION FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME_+++A_R_S_Y_Z_c+++.docx
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2013-04-19_KR101256552B_发明授权_KR101256552B1 반사 방지 필름 및 이의 제조 방법_+++A_R_Y_Z+++.docx
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2013-06-12_CN103153617A_发明公开_CN103153617A 积层体及其制造方法_+++A_C_S_U_V_W_X_Y_Z_r+++.docx
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2013-10-03_US2013258482A_发明申请_US20130258482A1 LAMINATE BODY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF_+++B_C_F_S_U_V_W_X_Y_Z_a_r_t+++.docx
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2013-10-29_KR1020130118069A_发明公开_KR1020130118069A 윈도우 시트 및 이를 포함하는 디스플레이 장치_+++A_C_R_U_V_W_X_Y_Z+++.docx
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2014-06-19_WO2014092391A_发明申请_WO2014092391A1 강화유리 대체용 하드코팅필름_+++C_R_S_U_V_W_Y_Z_a_x+++.docx
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2014-06-23_KR101411023B_发明授权_KR101411023B1 윈도우 시트 및 이를 포함하는 디스플레이 장치_+++A_C_R_S_U_V_W_X_Y_Z+++.docx
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2014-06-23_KR1020140076787A_发明公开_KR1020140076787A 고경도 하드코팅필름_+++C_R_S_U_V_W_a_x+++.docx
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2014-07-01_TW201425499A_发明专利_TW201425499A 替代強化玻璃的硬塗層膜_+++A_C_R_S_U_V_W_Y_Z_x+++.docx
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2015-03-19_US2015079348A_发明申请_US20150079348A1 ANTIREFLECTION FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME_+++r+++.docx
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2016-01-07_KR1020160002407A_发明公开_KR1020160002407A 저굴절률층을 갖는 광학 부재_+++A_C_R_S_W_Y_Z_b+++.docx
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2016-02-19_KR1020160019367A_发明公开_KR1020160019367A 반사 방지 필름_+++A_C_E_F_G_R_Y_Z+++.docx
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2015-03-19_US2015079348A_发明申请_US20150079348A1 ANTIREFLECTION FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME_+++r+++.docx

对比文件的名称:2015-03-19_US2015079348A_发明申请_US20150079348A1 ANTIREFLECTION FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

目标专利的名称:1641抗反射膜CN108473791B

本次调用的模型名称:gpt-4-turbo

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(段落标号/位置)公开性论述
技术特征A:包括:包含粘合剂树脂和分散在所述粘合剂树脂中的无机细颗粒的低折射率层《未公开》对比文件公开了抗反射膜包含介孔纳米颗粒和介孔透明材料,所述纳米颗粒具有金属氧化物骨架,平均粒径30-200nm;所述透明材料填充纳米颗粒间的空隙([0007]-[0009])。但未记载粘合剂树脂,也未记载无机细颗粒分散在粘合剂树脂中。目标专利的低折射率层包含有机粘合剂树脂及分散其中的无机细颗粒,而对比文件的抗反射层由全无机介孔材料(纳米颗粒+透明介孔基质)构成,不含有机粘合剂树脂。尽管二者均具有低折射率和抗反射功能,但组成结构和形成机理(溶胶-凝胶煅烧 vs 有机光聚合)完全不同。本领域技术人员不能从对比文件直接且毫无疑义地得到包含有机粘合剂树脂的低折射率层,也不存在隐含公开的合理基础。
技术特征B:所述粘合剂树脂包含可光聚合化合物、含有光反应性官能团的基于氟的化合物与取代有一个或更多个反应性官能团的聚倍半硅氧烷的交联聚合物《未公开》对比文件未记载任何关于可光聚合化合物、含氟化合物或聚倍半硅氧烷的内容。其基质由金属醇盐水解缩合形成无机透明材料,不使用有机粘合剂([0040]-[0078])。目标专利的粘合剂树脂为有机交联网络,包含可光聚合单体、含氟化合物和反应性聚倍半硅氧烷,对比文件的无机介孔基质完全不含这些组分,也未给出任何使用有机高分子粘合剂的技术启示。因此未公开。
技术特征C:和硬涂层《未公开》对比文件未记载硬涂层。其多层实施例(实施例5)使用了透明二氧化硅膜,但该膜为具有金属氧化物骨架的透明膜,并非硬涂层([0082]-[0085])。目标专利的抗反射膜包括独立的硬涂层以提供机械保护,对比文件的抗反射膜直接形成于玻璃基底或透明二氧化硅膜上,没有另外的硬涂层,也没有任何关于硬涂层组成、厚度或功能的描述。因此未公开。
技术特征D:其中所述抗反射膜的内部雾度Hi与总雾度Ha的比率为97%或更小《未公开》对比文件未提及内部雾度、总雾度或其比率。其光学评价聚焦于反射率、透光率和折射率([0092]-[0093],[0104]等)。目标专利通过控制内部雾度与总雾度比率获得屏幕清晰度和低反射率,对比文件未测量或公开任何与雾度相关的参数,本领域技术人员无法从中获知该比率。因此未公开。
技术特征E:所述抗反射膜在碱处理之前和之后的色坐标值b*的变化为0.7或更小《未公开》对比文件未进行碱处理,也未测量色坐标b*及其变化。其机械评价采用棉布摩擦耐磨试验([0094])。目标专利限定了耐碱性(b*变化小),对比文件没有涉及碱处理实验和色坐标测量,也未提供任何与碱处理前后颜色稳定性相关的数据或启示。因此未公开。
技术特征F:其中所述含有光反应性官能团的基于氟的化合物的氟含量为1重量%至60重量%《未公开》对比文件未公开含有光反应性官能团的基于氟的化合物作为低折射率层组分。实施例2、3使用三甲基氯硅烷或3,3,3-三氟丙基二甲基氯硅烷对膜表面进行疏水化处理([0106]-[0111]),但这是后处理,不属于低折射率层内部成分。目标专利的低折射率层中包含特定氟含量的含氟化合物以调节表面能并参与交联,对比文件的表面疏水化处理是在膜形成后施加的,所用试剂并非光反应性,且氟含量未明确,作用也不同(疏水 vs 降低折射率和防污)。因此未公开。
技术特征G:其中所述含有光反应性官能团的基于氟的化合物的重均分子量为2000至200000;并且中所述抗反射膜在碱处理之前和之后的色坐标值b*的变化通过在碱处理之前和之后测量所述抗反射膜的色坐标值来确定,在所述碱处理中将所述抗反射膜浸渍在用蒸馏水稀释至5%至50%的水性碱溶液中1秒至100秒《未公开》对比文件未公开含氟化合物的分子量,也未公开碱处理方法和b*变化测量(参见特征F、E)。目标专利从分子量和反应条件两个维度限定含氟化合物及碱处理测试,对比文件完全没有相关性。因此未公开。
技术特征H:其中当将所述低折射率层的通过椭圆偏光法测量的偏振椭圆度拟合至以下一般公式1的柯西模型时,满足条件A为1.20至1.65《未公开》对比文件使用椭圆偏光法测量了折射率,并公开了平均折射率1.20-1.44([0050],“平均折射率优选1.20-1.44”;[0104],“平均折射率1.32”;[0107],“平均折射率1.35”),但未将数据拟合至柯西模型,未得到参数A、B、C。目标专利通过柯西模型拟合得到参数A以限定低折射率层的光学色散特性,对比文件仅给出特定波长下的平均折射率或通过椭圆偏光法直接获得的折射率值,未进行任何模型拟合,也未公开参数A。因此未公开。
技术特征I:B为0至0.05《未公开》对比文件未拟合柯西模型,无参数B。同上,未公开。
技术特征J:C为0至0.05《未公开》对比文件未拟合柯西模型,无参数C。同上,未公开。
技术特征K:[一般公式1] 其中,在以上一般公式1中,n(λ)是波长为λ时的折射率,λ在300nm至1800nm的范围内《未公开》对比文件未引用或描述该公式。虽然柯西模型是椭圆偏光测量中的常用模型,但对比文件未明确使用该公式或其适用范围,也未给出公式本身。因此未公开此具体公式特征。
技术特征L:A、B和C为柯西参数《未公开》对比文件未提及柯西参数。目标专利明确柯西参数的物理含义,对比文件未进行任何柯西拟合,未公开参数定义。因此未公开。
技术特征M:其中当将所述硬涂层的通过椭圆偏光法测量的偏振椭圆度拟合至以下一般公式1的柯西模型时,满足条件A为1.30至1.75《未公开》对比文件无硬涂层,也未进行硬涂层的椭圆测量。目标专利限定硬涂层的柯西参数,对比文件无硬涂层,因此未公开。
技术特征N:B为0至0.05《未公开》同特征M,无硬涂层。未公开。
技术特征O:C为0至0.005《未公开》同特征M。未公开。
技术特征P:[一般公式1] 其中,在以上一般公式1中,n(λ)是波长为λ时的折射率,λ在300nm至1800nm的范围内《未公开》对比文件无硬涂层,未提及公式。未公开。
技术特征Q:A、B和C为柯西参数《未公开》对比文件未提及。未公开。
技术特征R:其中所述低折射率层的厚度为1nm至200nm《隐含公开》[0051]“此外,本发明的抗反射膜的平均膜厚优选为50-250nm,更优选为80-150nm。”[0104]“平均膜厚为80nm。”[0115]“平均膜厚为100nm。”对比文件公开了其抗反射膜(相当于低折射率层)的厚度优选为50-250nm,更优选80-150nm,实施例实测厚度为80nm和100nm。这些厚度值均落入目标专利要求的1-200nm范围内,且本领域技术人员根据对比文件的教导(包括优选范围)可以合理推断该厚度范围是可行的,因为实际膜厚低于下限(1nm)在工艺上难以实现,而对比文件给出的范围80-150nm显然是1-200nm的子集。因此,技术特征R被隐含公开。
技术特征S:所述硬涂层的厚度为0.1μm至100μm《未公开》对比文件没有硬涂层,因此没有厚度公开。目标专利限定硬涂层厚度,对比文件无硬涂层,因此未公开。
技术特征T:其中在所述低折射率层中包含的所述粘合剂树脂中,来源于所述取代有一个或更多个反应性官能团的聚倍半硅氧烷的部分与来源于所述可光聚合化合物的部分的重量比为0.005至0.50《未公开》对比文件未公开聚倍半硅氧烷和可光聚合化合物,因此无重量比。目标专利的粘合剂树脂包含特定重量比例的聚倍半硅氧烷和可光聚合化合物,对比文件不含这些组分,因此未公开。
技术特征U:其中取代在所述聚倍半硅氧烷上的所述反应性官能团包括选自以下的至少一种官能团:醇、胺、羧酸、环氧化物、酰亚胺、(甲基)丙烯酸酯、腈、烯烃、聚乙二醇和硫醇《未公开》对比文件未公开聚倍半硅氧烷,也未公开这些官能团。目标专利的聚倍半硅氧烷带有特定反应性官能团以参与交联,对比文件没有聚倍半硅氧烷,也未提及这些官能团在类似结构中的应用。因此未公开。
技术特征V:其中取代在所述聚倍半硅氧烷上的所述反应性官能团包括选自以下的至少一种官能团:醇、胺、羧酸、环氧化物、酰亚胺、(甲基)丙烯酸酯、腈、降冰片烯、聚乙二醇、硫醇和乙烯基《未公开》对比文件无相关公开。同特征U,未公开。
技术特征W:其中所述取代有一个或更多个反应性官能团的聚倍半硅氧烷包括其中取代有一个或更多个官能团的具有笼结构的多面体低聚倍半硅氧烷《未公开》对比文件未公开聚倍半硅氧烷或POSS。目标专利限定的聚倍半硅氧烷为笼型POSS,对比文件没有此类化合物,也未公开任何笼型硅氧烷结构。因此未公开。
技术特征X:其中所述具有笼结构的多面体低聚倍半硅氧烷的至少一个硅原子取代有反应性官能团;并且中未取代有反应性官能团的剩余硅原子取代有非反应性官能团《未公开》对比文件无相关公开。对比文件未公开POSS及其取代模式,因此未公开。
技术特征Y:其中所述可光聚合化合物包括含有(甲基)丙烯酸酯或乙烯基的单体或低聚物《未公开》对比文件未使用可光聚合化合物,其基质通过溶胶-凝胶缩合形成,无需光聚合([0078]-[0079])。目标专利的低折射率层通过可光聚合化合物的光聚合形成有机网络,对比文件通过热处理使金属醇盐缩合形成无机网络,未涉及任何(甲基)丙烯酸酯或乙烯基单体。因此未公开。
技术特征Z:其中所述基于氟的化合物中包含的所述光反应性官能团为选自以下的至少一者:(甲基)丙烯酸酯基、环氧基、乙烯基和硫醇基《未公开》对比文件的含氟化合物(若考虑表面处理)为三甲基氯硅烷或3,3,3-三氟丙基二甲基氯硅烷,不含这些光反应性官能团([0081])。目标专利的含氟化合物具有特定光反应性官能团以参与交联,对比文件的疏水化试剂不含此类官能团(氯硅烷反应后形成Si-O-Si键,不留下可光聚合基团),且不参与光聚合。因此未公开。

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