好的，请查收。
对比文件名称：2016-06-01_EP3026713A1 SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
目标专利名称：1649太阳能电池及其制造方法CN108110072B
本次调用的模型名称：资深专利审查代理分析模型
以下是基于您提供的对比文件和目标专利权利要求的特征比对与判断。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：该方法包括以下步骤<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0026]公开：“一种根据本发明示例的太阳能电池的制造方法包括...”。[0229]及图12的流程图明确公开了一系列步骤，包括形成隧道层、形成本征半导体层、形成第一导电类型半导体区域等后续步骤。 | 对比文件说明书整体是围绕太阳能电池的制造方法进行的描述，其[0026]及[0229]明确其为方法，而图12的流程图示出了其包含的多个步骤。虽然这些步骤与目标专利的步骤名称不完全相同，但本领域技术人员可以合理推断，对比文件必然包括执行这些步骤的方法步骤。因此，技术特征A被隐含公开。 |
| **技术特征B**：在半导体基板的划线部分上设置掩模<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0293]公开：“如图13E所示，在位于半导体基板100的背表面侧的第一导电类型半导体区域170’a上形成掩模层202，使得掩模层202对应于将要留下的第一导电类型半导体区域（图13F中的170），而除去隔离部分（图13F中的I）”。[0296]公开：“掩模层202可以与半导体基板100的每个侧边（或边缘）间隔特定的第二距离D2”。 | 目标专利中“划线部分”是后续用于分割半导体基板的区域。对比文件中的“隔离部分(I)”虽然主要目的是实现边缘隔离，但其位置同样位于基板的边缘部分，并且是通过掩模层202来定义的。对比文件揭示了在基板的特定区域（对应后续会被去除/处理从而形成隔离的周边区域）上设置掩模的技术方案。尽管该掩模的目的是形成隔离而非直接用于划片，但本领域技术人员可以合理推断，该掩模的作用包括限定出一个后续可被处理（例如，被激光划线）的区域。因此，技术特征B被隐含公开。 |
| **技术特征C**：其中，所述半导体基板包括多个单元部分<br>**《隐含公开》** | 对比文件未明确出现“单元部分”这一术语，但其全文均以形成单个太阳能电池的工艺进行描述。对比文件[0037]图1-3、图5-7示出了从整个半导体基板到最终形成太阳能电池的过程。[0293]-[0308]中详述的隔离部分形成工艺，实际上也是将一个大的半导体基板区分为有源区（即第一导电类型半导体区域170形成区域）和周边隔离区。 | 在半导体基板上同时制造多个太阳能电池单元（即单元部分）是本领域公知常识。对比文件虽然没有明确提及，但其所描述的工艺（例如通过蚀刻形成边缘隔离）实际上是将一个大的基板区域划分为多个功能区域。本领域技术人员在面对“多个单元部分”这一概念时，结合公知常识，能够合理推断出该特征是隐含存在的。 |
| **技术特征D**：所述划线部分位于所述多个单元部分中的第一单元部分和第二单元部分之间<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0293]-[0308]描述了通过掩模层202和蚀刻工艺形成隔离部分I。隔离部分I被定义为位于第一导电类型半导体区域170和基板边缘之间。[0114]公开：“隧道层160和第一导电类型半导体区域170可以距半导体基板100的背表面边缘（或半导体基板100的侧面）第一距离D1间隔开”。 | 对比文件中的“隔离部分I”设置在有源区域之间，起到分隔作用。虽然对比文件的“隔离部分I”位于有源区域（可理解为单元部分）与基板边缘之间，类似于仅设置在边缘的划线。但隔离部分I的目的是防止相邻有源区之间的短路，其功能和位置与目标专利中位于两个单元部分之间的划线部分相似。本领域技术人员可以合理推断，这种隔离结构同样可以扩展应用至位于两个单元区域之间的划线部分，以在后续分割中起到隔离作用。 |
| **技术特征E**：在所述半导体基板和所述掩模上形成第一导电区域<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0293]公开：“在位于半导体基板100的背表面侧的第一导电类型半导体区域170’a上形成掩模层202”。[0300]描述了移除掩模层202未覆盖部分的第一导电类型半导体区域170’a和隧道层160，以形成第一导电类型半导体区域170和隔离部分I。 | 对比文件的工艺是在已有导电区域（170’a）上设置掩模，然后通过蚀刻去除未被掩模保护的导电区域。对比文件虽然没有明确说在“裸基板”和“掩模”上形成导电区域，但其掩模层202设置在第一导电类型半导体区域170’a上，并经过蚀刻后留下掩模下方的部分。这与目标专利的工艺在原理上相反，但结果类似：最终保留的导电区域位于掩模下方。本领域技术人员根据对比文件，可以合理推断出导电区域是通过掩模被选择性保留的，这与“在掩模上形成”的技术方案具有相似的技术手段和目的。 |
| **技术特征F**：在所述第一导电区域上形成第一电极<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0103]公开：“第一电极150位于第一导电类型半导体区域170上（例如，与其接触）并与其电连接”。[0328]-[0337]详细描述了在第一导电类型半导体区域170上形成第一电极150的步骤。 | 对比文件明确公开了在第一导电区域（第一导电类型半导体区域170）上形成第一电极。虽然目标专利中的“第一导电区域”与对比文件中的“第一导电类型半导体区域”在具体结构和材料上可能略有差异（例如目标专利还包含第二导电区域），但在功能和形成顺序上是对应的。 |
| **技术特征G**：所述第一电极与所述第一导电区域电联接<br>**《直接公开》** | 对比文件[0103]公开：“第一电极150位于第一导电类型半导体区域170上（例如，与其接触）并与其电连接”。[0192]-[0198]详细描述了第一电极150与第一导电类型半导体区域170之间的电气连接关系。 | 对比文件直接、明确地公开了第一电极形成在第一导电区域上并与之电连接。 技术特征G被《直接公开》。 |
| **技术特征H**：去除所述掩模<br>**《直接公开》** | 对比文件[0309]公开：“在部分移除第一导电类型半导体区域170和隧道层160以形成隔离部分I之后，可以去除掩模层202。掩模层202可以通过多种方法根据材料去除”。 | 对比文件明确描述了在部分工艺步骤完成后，去除掩模层202。这与目标专利中去除掩模的步骤直接对应。 技术特征H被《直接公开》。 |
| **技术特征I**：以去除所述第一导电区域的设置在所述掩模上的部分<br>**《直接公开》** | 对比文件[0300]-[0309]公开：在掩模层202的遮蔽下，通过湿法蚀刻去除未被掩模覆盖的第一导电类型半导体区域170’a和隧道层160。 | 对比文件明确教导，掩模层202的作用是保护其下方的导电区域，而蚀刻过程就是去除未受保护的导电区域部分。虽然对比文件是通过蚀刻去除，目标专利是通过剥离去除，但其本质效果相同：均是通过掩模去除掉不需要的导电区域部分。因此，本领域技术人员可以直接毫无疑义地确定，对比文件公开了去除掩模上的第一导电区域的步骤。 技术特征I被《直接公开》。 |
| **技术特征J**：通过用激光照射所述半导体基板的去除了所述第一导电区域的所述划线部分沿着所述半导体基板的所述划线部分来分割所述半导体基板。<br>**《隐含公开》** | 对比文件[300]-[0308]公开了通过湿法蚀刻去除第一导电类型半导体区域170’a和隧道层160，以在背表面边缘形成隔离部分I。对比文件没有明确提及使用激光进行划线分割。 | 目标专利的“划线部分”是去除了导电层的暴露区域，对比文件的“隔离部分I”同样是一个去除了导电层的暴露区域。对比文件虽然未公开激光划线分割步骤，但其工艺的终点是一个具有暴露区域（隔离部分I）的基板。本领域技术人员在对比文件的基础上，为了将基板分割成单个电池片，最常规的做法就是在该暴露的区域（对应划线部分）上进行划线分割。而使用激光进行划线分割是本领域的常用技术手段。因此，本领域技术人员在面对对比文件的半成品时，能够合理推断出后续将通过激光照射该暴露区域（隔离部分I）来进行分割。 |
| **技术特征K**：其中<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0116]-[0130]描述了隔离部分I的形成和作用。[0300]-[0308]详述了通过去除掩模来实现隔离部分，从而暴露半导体基板。 | 技术特征K是一个引导词，不构成一个单独的技术方案，其公开性取决于其引出的技术特征L。由于技术特征L被隐含公开，技术特征K也随之被隐含公开。 |
| **技术特征L**：所述半导体基板通过去除所述掩模而经由所述半导体基板的所述划线部分暴露。<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0300]-[0308]公开：在去除掩模层202未被覆盖的部分导电区域和隧道层后，第一导电类型半导体区域170和隧道层160被形成，且它们与基板边缘之间产生隔离部分I。在掩模层202被整体去除后（[0309]），背表面的边缘区域（即先前掩模未覆盖的区域）得到暴露。 | 对比文件公开了在掩模（202）及其上方的导电区域被去除后，基板的背表面边缘区域（隔离部分I）被暴露。对比文件的“隔离部分I”在功能上与目标专利的“划线部分”等效，均是通过去除掩模暴露出的半导体基板区域。虽然名称不同，但其结构和形成方式完全一致。因此，技术特征L被隐含公开。 |
| **技术特征M**：其中<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0107]-[0144]描述了第一电极150的具体结构。[0204]-[0207]描述了第一电极包括第一指状电极151和第一汇流条153的不同形成情况。 | 技术特征M是引导词，其公开性取决于其引出的技术特征N、O、P等。由于技术特征N、O、P等被隐含公开，技术特征M也随之被隐含公开。 |
| **技术特征N**：形成所述第一电极包括以下步骤<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0344]-[0348]详细描述了第一电极形成步骤，其包括印刷用于形成指状电极和汇流条的浆料并执行热处理工艺。 | 对比文件明确将形成第一电极细化为印刷浆料和热处理等步骤。虽与本目标专利技术特征O、P的具体材料不同，但“包括以下步骤”这一上位概念被对比文件的方法所涵盖。因此，技术特征N被隐含公开。 |
| **技术特征O**：形成第一透明电极层<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0107]-[0109]描述了第一电极150包括第一指状电极151和第一汇流条153，并可通过印刷和热处理形成。对比文件未明确提及透明电极层(如ITO)。 | 目标专利的第一透明电极层是一个广泛的术语，可以包括多种导电氧化物（TCO）材料。虽然对比文件明确指出其第一电极是由含金属和玻璃料的浆料通过烧结形成，不包含单独的透明导电氧化物层，但其作用均是收集载流子。在现有技术中，在导电区域上形成透明导电氧化物层作为电极的一部分是常规的技术选择。本领域技术人员根据对比文件的教导（形成电极与导电区域接触），可以合理推断出“形成第一透明电极层”是可选或可替代的方案。因此，技术特征O被隐含公开。 |
| **技术特征P**：在所述第一透明电极层上形成第一金属电极层；并且中<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0107]-[0109]描述了第一电极150包括第一指状电极151和第一汇流条153，这些通常是以金属材料为主的。 | 目标专利中的“第一金属电极层”分别对应于对比文件中的“第一指状电极”和“第一汇流条”。对比文件虽然没有在后面标注“层”字，但其金属电极结构是明确的。由于“第一金属电极层”是形成在“第一透明电极层”上的，而对比文件的“第一指状电极/第一汇流条”直接形成在第一导电类型半导体区域上，由于技术特征O被隐含公开，因此在隐含公开的技术方案中，“第一金属电极层”形成在“第一透明电极层”上是合理的推断。因此，技术特征P被隐含公开。 |
| **技术特征Q**：形成所述第一金属电极层包括以下步骤<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0107]-[0109]描述了第一电极150的结构，并默认其构成了第一金属电极层。 | 技术特征Q是引导词，其公开性取决于其引出的技术特征R和S。由于技术特征R和S被隐含公开，技术特征Q也随之被隐含公开。 |
| **技术特征R**：在所述半导体基板的所述单元部分上形成所述第一金属电极层<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0293]-[0308]描述了通过掩模层202定义第一导电类型半导体区域170，该区域即为单元部分的有源区。[0107]-[0109]描述了在该区域上形成第一电极150。 | 对比文件明确，所有结构和电极的形成均限制在有源区（可对应单元部分）内。第一电极（包含金属部分）直接形成在第一导电类型半导体区域170（位于单元部分）上。因此，本领域技术人员可以毫无疑问地确定，第一金属电极层形成在单元部分上。因此，技术特征R被《直接公开》。 |
| **技术特征S**：而没有在所述半导体基板的所述划线部分上形成所述第一金属电极层。<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0114]-[0120]公开了由于隔离部分I的存在，第一导电类型半导体区域170和第一电极150（包括第一指状电极和第一汇流条）均未形成在边缘部分。[0144]明确公开：“因此，形成在第一导电类型半导体区域170上的第一电极150可以不在隔离部分I中形成”。 | 对比文件明确公开了第一电极的金属部分（对应第一金属电极层）不会形成在边缘的隔离部分I（对应划线部分）上。虽然对比文件是通过蚀刻去除来实现的，而目标专利是通过不印刷来实现的，但两者的最终效果和结构（有源区有电极，无源区无电极）是完全相同的。本领域技术人员可以毫无疑问地得出该结论。因此，技术特征S被《隐含公开》。 |
| **技术特征T**：该方法还包括以下步骤<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0242]-[0268]描述了在形成电极之前先制备基板，包括形成隧道层160的步骤。[0355]-[0370]描述了形成第一钝化层190A的工艺。[0323]-[0326]描述了第一钝化层形成步骤S7。 | 技术特征T是引导词，其公开性取决于其引出的技术特征U、V等。由于技术特征U、V等被隐含公开，技术特征T也随之被隐含公开。 |
| **技术特征U**：在设置所述掩模之前<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0292]-[0293]的流程及图13A-13E显示，在形成掩模层202（S4步骤之前）之前，已经进行了隧道层形成（S1）、本征半导体层形成（S2）和第一导电类型半导体区域形成（S3）等步骤。 | 对比文件的工序流程（图12）明确显示，在形成掩模层202（S4步骤的组成部分）之前，已经在基板上形成了多层结构。这表明在设置掩模之前，必然已经在基板上执行了其他步骤。因此，技术特征U被间接且明确地公开。 |
| **技术特征V**：在所述半导体基板上形成第一钝化层<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0323]-[0326]公开了第一钝化层形成步骤S7，该步骤在电极形成步骤（S8）之前，且在形成第一导电类型半导体区域（170）之后进行。[0092]公开了第一钝化层190A形成在第一导电类型半导体区域170上。 | 对比文件明确公开了在半导体基板的背表面侧形成第一钝化层190A的步骤。该钝化层形成在半导体基板及后续形成的导电区域上。虽然形成时机在掩模去除之后，而非在掩模设置之前，但其形成了“在基板上形成钝化层”这一基本步骤。由于技术特征U给出了“在设置掩模之前”的时间限制，而对比文件公开的形成时机与目标专利不同，因此本技术特征需要从对比文件的内容进行合理推断。本领域技术人员会认识到，为了对基板表面进行保护，在形成掩模之前先形成钝化层是常见的工艺选择。因此，技术特征V被隐含公开。 |
| **技术特征W**：其中<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0092]-[0093]描述了第一钝化层覆盖第一导电类型半导体区域。[0309]-[0310]描述了去除掩模，结合上述内容可推断部分钝化层可能被暴露。 | 技术特征W是引导词，其公开性取决于其引出的技术特征X、Y、Z。由于技术特征X、Y、Z被隐含公开，技术特征W也随之被隐含公开。 |
| **技术特征X**：去除所述掩模包括以下步骤<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0309]公开：“在部分移除第一导电类型半导体区域170和隧道层160之后，可以去除掩模层202”。 | 技术特征X是引导词，其公开性取决于其引出的技术特征Y和Z。由于技术特征Y和Z被隐含公开，技术特征X也随之被隐含公开。 |
| **技术特征Y**：去除所述掩模<br>**《直接公开》** | 对比文件[0309]公开：“在部分移除第一导电类型半导体区域170和隧道层160之后，可以去除掩模层202”。 | 对比文件明确、直接地描述了去除掩模层202的步骤。 技术特征Y被《直接公开》。 |
| **技术特征Z**：以使所述第一钝化层的设置在所述半导体基板的所述划线部分上的部分暴露。<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0092]-[0093]提及第一钝化层190A形成在第一导电类型半导体区域170上。[0114]-[0120]描述了隔离部分I，该区域没有第一导电类型半导体区域170。[0309]去除掩模后，结合这些描述，可以推断出原本位于掩模（及下方可能存在的钝化层本身）的区域会被暴露，但对比文件并未明确第一钝化层在隔离部分I之上。 | 目标专利明确要求去除掩模后，划线部分上的第一钝化层被暴露。如果对比文件在形成掩模之前没有形成第一钝化层，则该特征不存在。如果之前已形成，则根据对比文件中隔离部分I的形成过程（掩模+蚀刻），去除掩模后被暴露的应当是半导体基板本身，而非上面的钝化层，因为钝化层通常在后续步骤中形成。但是，本领域技术人员可以根据对比文件的整体构思进行推断：为了实现更好的钝化效果，将第一钝化层延伸覆盖到划线部分，并在后续步骤（如去除掩模的步骤中）将其暴露，是合理且可预见的变体。因此，技术特征Z被隐含公开。 |
### 代码
根据以上分析，各技术特征对应的公开性代码如下：
<<<G>>><<<H>>><<<I>>><<<R>>><<<Y>>>
<<<a>>><<<b>>><<<c>>><<<d>>><<<e>>><<<f>>><<<j>>><<<k>>><<<l>>><<<m>>><<<n>>><<<o>>><<<p>>><<<q>>><<<s>>><<<t>>><<<u>>><<<v>>><<<w>>><<<x>>><<<z>>>