**对比文件名称**：JP2015198142A_結晶シリコン太陽電池およびその製法、ならびに太陽電池モジュール
**目标专利名称**：CN108110072B_太阳能电池及其制造方法
**模型名称**：本次调用的模型（未指定，使用默认）
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译及段落标号） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：该方法包括以下步骤<br>**《直接公开》** | [0029] “本発明は、一導電型単結晶シリコン基板と、前記基板の第一主面上に逆導電型シリコン系層と第一透明電極層をこの順に有し、前記基板の第二主面側に第二主面側電極層を有する結晶シリコン太陽電池の製造方法に関する。”<br>翻译：本发明涉及一种结晶硅太阳能电池的制造方法，该电池具有一导电型单晶硅基板、在基板第一主面上依次设置的逆导电型硅系层和第一透明电极层、以及在基板第二主面侧的第二主面侧电极层。 | 对比文件明确涉及一种制造方法，该方法必然包含一系列步骤，因此技术特征A（“该方法包括以下步骤”）被直接公开。 |
| **技术特征B**：在半导体基板的划线部分上设置掩模<br>**《直接公开》** | [0069] “第一透明電極層形成工程において、マスクを用いて開口領域に対応する領域をマスクで覆い、該領域以外の領域に第一透明電極層を製膜することにより形成することができる。”<br>翻译：在第一透明电极层形成工序中，可以使用掩模覆盖与开口区域对应的区域，并在该区域以外的区域形成第一透明电极层。 | 对比文件在形成第一透明电极层时使用掩模覆盖开口区域（即后续激光照射的划线部分），该操作相当于在划线部分上设置掩模。因此技术特征B被直接公开。 |
| **技术特征C**：其中，所述半导体基板包括多个单元部分<br>**《直接公开》** | [0030] “結晶シリコン太陽電池仕掛品”とは、結晶シリコン太陽電池を割断する前の、インゴッドから切り出した結晶シリコン基板を用いて各層を製膜して作製した擬似四角形等の状態を意味する。”<br>翻译：“结晶硅太阳能电池半成品”是指在使用从锭切割出的结晶硅基板制各层之后、切割之前的伪四边形等状态。 | 半成品基板用于分割形成多个太阳能电池，必然包括多个单元部分。实施例1中将6英寸基板分割为两部分，直接公开了基板包含多个单元部分，因此技术特征C被直接公开。 |
| **技术特征D**：所述划线部分位于所述多个单元部分中的第一单元部分和第二单元部分之间<br>**《直接公开》** | [0077] “割断工程として、図2(c)に示すように、第一主面側から基板の少なくとも一部が露出するようにレーザー光を開口領域に照射される（レーザー照射工程）。”<br>翻译：作为切割工序，如图2(c)所示，从第一主面侧向开口区域照射激光使得基板的至少一部分暴露。 | 开口区域对应于划线部分，其位于两个电池区域（单元部分）之间。实施例中开口区域10a位于基板中央，将基板分为两个单元部分，因此技术特征D被直接公开。 |
| **技术特征E**：在所述半导体基板和所述掩模上形成第一导电区域<br>**《未公开》** | 对比文件在形成第一导电区域（逆导电型硅系层3a）时不使用掩模，而是在基板整个表面形成；随后在形成第一透明电极层时才使用掩模，但此时掩模上仅形成透明电极层而非导电区域。 | 对比文件的掩模仅用于透明电极层的选择沉积，逆导电型硅系层在掩模设置前已形成，且未在掩模上沉积。因此本领域技术人员无法从对比文件得到在基板和掩模上形成第一导电区域的技术方案，技术特征E既未直接公开也未隐含公开。 |
| **技术特征F**：在所述第一导电区域上形成第一电极<br>**《直接公开》** | [0054] “第一主面側の第一透明電極層4a上には、集電極70が形成されている。”<br>翻译：在第一主面侧的第一透明电极层4a上形成有集电极70。<br>此外[0031]指出第一透明电极层4a形成在逆导电型硅系层3a上。 | 第一电极包括第一透明电极层和集电极（金属电极）。第一透明电极层形成在逆导电型硅系层（相当于第一导电区域）上，集电极形成在第一透明电极层上，即第一电极整体形成在第一导电区域上。因此技术特征F被直接公开。 |
| **技术特征G**：所述第一电极与所述第一导电区域电联接<br>**《直接公开》** | [0054] 同上，集电极70通过第一透明电极层4a与逆导电型硅系层3a电连接。 | 集电极通过透明导电层与导电硅系层形成电联接，因此技术特征G被直接公开。 |
| **技术特征H**：去除所述掩模<br>**《直接公开》** | [0069] 使用掩模后必然需要去除掩模以暴露形成的层或开口区域，且实施例1中金属掩模在沉积后被移除。 | 对比文件在沉积透明电极层后需要去除掩模才能获得开口区域，因此去除掩模步骤被直接公开。 |
| **技术特征I**：以去除所述第一导电区域的设置在所述掩模上的部分<br>**《未公开》** | 对比文件中第一导电区域（逆导电型硅系层）在掩模设置前已形成，掩模上不存在第一导电区域，因此去除掩模时不会去除第一导电区域的一部分。 | 对比文件的掩模上仅可能附着透明电极层，而非第一导电区域。本领域技术人员无法合理推断出去除掩模的同时去除了第一导电区域的部分，技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J**：通过用激光照射所述半导体基板的去除了所述第一导电区域的所述划线部分沿着所述半导体基板的所述划线部分来分割所述半导体基板。<br>**《未公开》** | 对比文件在开口区域（划线部分）照射激光，但开口区域下方仍存在逆导电型硅系层（第一导电区域），未去除。 | 对比文件的划线部分并未去除第一导电区域，激光照射时仍有导电层存在。这与目标专利要求照射去除了第一导电区域的划线部分不同，因此技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K**：其中<br>**《未公开》** | 对比文件使用“前記”“ここで”等连接词，但未出现与中文“其中”完全对应的技术性限定。 | 该特征为纯语言连接词，无技术内容，对比文件未直接或隐含公开此特定措辞，因此不予输出代码。 |
| **技术特征L**：所述半导体基板通过去除所述掩模而经由所述半导体基板的所述划线部分暴露。<br>**《未公开》** | [0069] 去除掩模后，开口区域暴露的是逆导电型硅系层，而非半导体基板本身。 | 对比文件中划线部分下方存在逆导电型硅系层，半导体基板未直接暴露；目标专利中由于第一导电区域被去除，基板直接暴露。对比文件未公开此特征。 |
| **技术特征M**：其中<br>**《未公开》** | 同上，对比文件无完全对应的技术性连接词。 | 无技术内容，不予输出代码。 |
| **技术特征N**：形成所述第一电极包括以下步骤<br>**《直接公开》** | [0054] 形成集电极70的步骤；[0051]-[0053]描述了透明电极层形成的步骤。 | 对比文件的形成第一电极明确包括形成第一透明电极层和集电极的步骤，因此技术特征N被直接公开。 |
| **技术特征O**：形成第一透明电极层<br>**《直接公开》** | [0051] “透明電極層の製膜方法は、特に限定されないが、スパッタ法等の物理気相堆積法…”<br>翻译：透明电极层的形成方法没有特别限定，但优选溅射法等物理气相沉积法。 | 对比文件明确形成第一透明电极层（ITO等），直接公开技术特征O。 |
| **技术特征P**：在所述第一透明电极层上形成第一金属电极层；并且中<br>**《直接公开》** | [0054] “第一主面側の第一透明電極層4a上には、集電極70が形成されている。集電極70としては、Agペーストを用いたスクリーン印刷法や、銅を用いためっき法等が好ましい。”<br>翻译：在第一透明电极层4a上形成有集电极70。作为集电极，优选使用Ag浆料进行丝网印刷或使用铜镀等方法。 | 集电极即是第一金属电极层，形成于第一透明电极层上，直接公开技术特征P。 |
| **技术特征Q**：形成所述第一金属电极层包括以下步骤<br>**《直接公开》** | [0054] 公开了集电极的形成方法（丝网印刷或镀覆），必然包括具体步骤。 | 对比文件公开了形成金属电极的步骤，直接公开技术特征Q。 |
| **技术特征R**：在所述半导体基板的所述单元部分上形成所述第一金属电极层<br>**《直接公开》** | [0033] “第一透明電極層には開口領域10aが設けられる”及[0054]集电极形成在开口区域以外的区域（即单元部分）。 | 集电极仅在具有透明电极层的单元区域上形成，而非在开口区域，因此直接在单元部分上形成金属电极层，技术特征R被直接公开。 |
| **技术特征S**：而没有在所述半导体基板的所述划线部分上形成所述第一金属电极层。<br>**《直接公开》** | [0033]开口区域无第一透明电极层；[0054]集电极形成在透明电极层上，故开口区域（划线部分）无集电极。 | 由于划线部分（开口区域）无透明电极层，集电极不会形成在该区域，因此技术特征S被直接公开。 |
| **技术特征T**：该方法还包括以下步骤<br>**《直接公开》** | [0065] “このようにして光電変換部9が準備される（光電変換部準備工程、図2(a)）。”<br>翻译：如此准备光转换部（光转换部准备工序，图2(a)）。 | 对比文件方法包括多个工序，直接公开了方法还包括其他步骤，特征T被直接公开。 |
| **技术特征U**：在设置所述掩模之前<br>**《直接公开》** | [0062]-[0067] 在形成透明电极层（使用掩模）之前，已形成硅系层（包括i型非晶硅钝化层）。 | 对比文件中，设置掩模（透明电极层工序）之前已经执行了形成钝化层及导电层等步骤，因此“在设置掩模之前”被直接公开。 |
| **技术特征V**：在所述半导体基板上形成第一钝化层<br>**《直接公开》** | [0044] “真性シリコン系層2a,2bとしては、シリコンと水素で構成されるi型水素化非晶質シリコンが好ましい。”<br>翻译：作为本征硅系层2a、2b，优选由硅和氢构成的i型氢化非晶硅。 | 该i型非晶硅层形成于基板表面，起到钝化作用，相当于第一钝化层。因此技术特征V被直接公开。 |
| **技术特征W**：其中<br>**《未公开》** | 无直接对应。 | 无技术内容，不予输出代码。 |
| **技术特征X**：去除所述掩模包括以下步骤<br>**《直接公开》** | 对比文件在沉积透明电极层后必然有去除掩模的步骤；实施例1中使用金属掩模，沉积后移除。 | 去除掩模是显式步骤，技术特征X被直接公开。 |
| **技术特征Y**：去除所述掩模<br>**《直接公开》** | 同上及[0069]掩模的使用隐含后续去除。 | 直接公开。 |
| **技术特征Z**：以使所述第一钝化层的设置在所述半导体基板的所述划线部分上的部分暴露。<br>**《未公开》** | 对比文件中，去除掩模后划线部分暴露的是逆导电型硅系层，而非第一钝化层（本征层在下层）。 | 目标专利中通过去除掩模使第一钝化层暴露（因导电层已被去除），对比文件无此结构或步骤，因此技术特征Z未被公开。 |
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**输出代码**（仅列出对比文件直接或隐含公开的技术特征对应代码）：
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