在开始之前，明确相关信息：
**对比文件名称**：2011-10-13_JP2011204832A_发明专利_JP2011204832A Solar cell and method for manufacturing the same
**目标专利名称**：1649太阳能电池及其制造方法CN108110072B
**本次调用模型名称**：GPT-4（或根据实际，此处写为“ChatGPT”）
以下创建特征比对表格，对目标专利权利要求划分的每个技术特征进行公开性判断。表格中，第一栏为技术特征描述及公开性判断结果（直接公开、隐含公开或未公开），第二栏为对比文件原文引用（日文原文经中文翻译），第三栏为专业论述。判断标准严格依据目标专利说明书对技术特征的解释，并结合对比文件的作用是否相同。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **特征A**：该方法包括以下步骤（直接公开） | 对比文件全文：[0023]“在步骤S2中，进行形成HIT结构的第一接合形成工序…在步骤S2-1中，…形成i型非晶质半导体层15…步骤S2-2中…形成p型非晶质半导体层16…步骤S2-3中…形成p侧电极17”；[0009]“本发明的太阳电池制造方法具备…工序”。 | 对比文件明确记载了制造太阳电池的方法包括多个步骤（如准备基板、形成第一导电区域、形成电极等），与目标专利方法流程的步骤数目和类型实质相同，本领域技术人员能毫无疑义地确定对比文件公开了“该方法包括以下步骤”这一整体方法限定。 |
| **特征B**：在半导体基板的划线部分上设置掩模（未公开） | 对比文件[0023]：“在半导体基板10的背面10b上配置了金属掩模（未图示）的状态下…”但未提及“划线部分”。 | 对比文件中的掩模是用于限定p型半导体层和电极图案的金属掩模，其设置位置对应背面上的特定区域，并非目标专利中用于在后续激光分割处保护基板的掩模，且没有公开“划线部分”（即用于分割基板的区域）的概念。因此，对比文件未直接或隐含公开此特征。 |
| **特征C**：其中，所述半导体基板包括多个单元部分（未公开） | 无相关公开内容。 | 对比文件未提及“单元部分”。其基板背面虽有多个条纹状p型层区域，但并未限定出一个电池单元与相邻电池单元之间的分割区域，整体结构仍为单片电池，没有单元分割的概念。因此未公开。 |
| **特征D**：所述划线部分位于所述多个单元部分中的第一单元部分和第二单元部分之间（未公开） | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开单元部分和划线部分的位置关系，因此未公开此特征。 |
| **特征E**：在所述半导体基板和所述掩模上形成第一导电区域（直接公开） | 对比文件[0023]：“在半导体基板10的背面10b上配置了金属掩模的状态下，…形成i型非晶质半导体层15…从所述金属掩模之上形成p型非晶质半导体层16”。 | 对比文件在设置金属掩模后，在掩模上方和掩模开口暴露的基板上形成了p型非晶质半导体层（第一导电区域），实质等同于在基板和掩模上同时形成导电区域。作用相同：形成与基板形成异质结的掺杂半导体层。因此直接公开。 |
| **特征F**：在所述第一导电区域上形成第一电极（直接公开） | 对比文件[0023]：“进一步，从所述金属掩模之上形成p侧电极17作为第一电极”。 | 对比文件在p型非晶质半导体层（第一导电区域）上形成了p侧电极（第一电极），直接接触电连接。作用相同：收集载流子。因此直接公开。 |
| **特征G**：所述第一电极与所述第一导电区域电联接（直接公开） | 对比文件[0023]：“p侧电极17（第一电极）形成在p型非晶质半导体层16上”。 | 由于p侧电极直接形成在p型非晶质半导体层上，两者必然实现电联接。与目标专利中第一电极与第一导电区域电连接的作用完全相同。因此直接公开。 |
| **特征H**：去除所述掩模（隐含公开） | 对比文件[0023]记载了使用金属掩模形成p型非晶质半导体层和p侧电极后，未明确描述去除掩模的步骤；但后续步骤（形成绝缘层）直接在对应该区域上进行，掩模已消失。 | 本领域技术人员公知，使用金属掩模进行沉积后，必须通过剥离（lift-off）工艺去除掩模，否则无法进行后续处理。因此，尽管对比文件没有文字记载，但可以合理推断必然包括去除掩模的步骤，且该步的工艺作用与目标专利完全相同（去除掩模以便后续暴露基板或绝缘层）。因此隐含公开。 |
| **特征I**：以去除所述第一导电区域的设置在所述掩模上的部分（隐含公开） | 对比文件[0023]：金属掩模上形成了p型非晶质半导体层和p侧电极；去除掩模时，掩模上的层必然被带走。 | 在升离工艺中，去除掩模会同时去除掩模上的所有沉积层。对比文件虽未明述，但本领域技术人员能合理推出去除掩模后，掩模上的p型非晶质半导体层（第一导电区域）部分被一并去除。该作用与目标专利相同：避免在划线区域残留导电层。因此隐含公开。 |
| **特征J**：通过用激光照射所述半导体基板的去除了所述第一导电区域的所述划线部分沿着所述半导体基板的所述划线部分来分割所述半导体基板。（未公开） | 无相关公开内容。对比文件未涉及激光划线或基板分割。 | 对比文件的目的是制造单一半导体基板上的背面接合电池，没有将基板分割成独立电池单元的设计，未公开任何激光照射、划线或分割步骤。因此未公开。 |
| **特征K**：其中（未公开） | 无实质技术内容，对比文件未使用相应语法限定。 | “其中”仅是从属权利要求中的连接词，不构成技术特征本身。对比文件未公开与此对应的限定关系。不输出代码。 |
| **特征L**：所述半导体基板通过去除所述掩模而经由所述半导体基板的所述划线部分暴露。（未公开） | 对比文件去除掩模后，暴露的是基板背面未形成p型层的区域，而非“划线部分”。 | 目标专利的“划线部分”是特意用于激光分割的暴露区域，对比文件没有此概念，也未实现相同暴露目的。因此未公开。 |
| **特征M**：其中（未公开） | 同特征K。 | 同特征K。不输出代码。 |
| **特征N**：形成所述第一电极包括以下步骤（直接公开） | 对比文件[0023]：“首先，形成由ITO构成的TCO层17a（第一透明电极层），接着形成由铝构成的金属层17b（第一金属电极层）”。 | 对比文件明确记载了形成第一电极的先后步骤：先形成透明电极层再形成金属层，与目标专利的步骤划分完全一致。因此直接公开。 |
| **特征O**：形成第一透明电极层（直接公开） | 对比文件[0023]：“形成由ITO构成的TCO层17a”。 | 直接公开了形成透明导电氧化物层作为第一透明电极层的步骤。作用相同：透光并横向导电。直接公开。 |
| **特征P**：在所述第一透明电极层上形成第一金属电极层；并且中（直接公开） | 对比文件[0023]：“接着，形成由铝构成的金属层17b”。 | 直接公开了在TCO层上形成金属层作为第一金属电极层的步骤。作用相同：提高电极导电率。直接公开。 |
| **特征Q**：形成所述第一金属电极层包括以下步骤（直接公开） | 对比文件[0023]：形成金属层17b是作为p侧电极的一部分进行，且有具体描述（采用蒸镀或溅射法）。 | 对比文件的方法中明确包含形成金属电极层的动作，虽未细分子步骤，但“形成金属层”这一步骤本身已经公开。与目标专利中作为电极形成工艺的一部分相同。因此直接公开。 |
| **特征R**：在所述半导体基板的所述单元部分上形成所述第一金属电极层（未公开） | 无相关公开内容。 | 对比文件没有“单元部分”的概念；金属电极形成在p型层所在的区域，但该区域不是目标专利中限定的单元部分（即电池的有源区），更不是限定在单元部分上。因此未公开。 |
| **特征S**：而没有在所述半导体基板的所述划线部分上形成所述第一金属电极层。（未公开） | 无相关公开内容。 | 对比文件不存在划线部分，因此也未涉及在划线部分避免形成金属电极的限定。未公开。 |
| **特征T**：该方法还包括以下步骤（直接公开） | 对比文件[0023]至[0026]描述了步骤S1（准备基板）、S2（形成第一导电区域和电极）、S3（形成绝缘层）、S4（清洗）、S5（形成第二导电区域和电极）。 | 对比文件的方法明确包括多个步骤，这些步骤在设置掩模和形成第一电极之后进行，与目标专利中的“还包括以下步骤”在整体方法流程上一致。直接公开。 |
| **特征U**：在设置所述掩模之前（直接公开） | 对比文件[0023]：步骤S1（准备基板）在步骤S2（设置掩模）之前进行。 | 对比文件明确将准备基板步骤（S1）安排在设置金属掩模之前，本领域技术人员能直接得出“在设置掩模之前”存在其他处理步骤这一时间关系。直接公开。 |
| **特征V**：在所述半导体基板上形成第一钝化层（未公开） | 对比文件在设置掩模之前未在背面形成钝化层；仅在受光面有i型层（非第一钝化层）。 | 目标专利的第一钝化层是在设置掩模之前形成在太阳能电池第一表面（如背面）上的隧穿钝化层。对比文件在背面形成i型非晶质半导体层是在设置掩模之后，且属于第一导电区域的一部分，起异质结钝化作用而非独立的隧穿钝化层。因此未公开。 |
| **特征W**：其中（未公开） | 同特征K。 | 不输出代码。 |
| **特征X**：去除所述掩模包括以下步骤（隐含公开） | 对比文件未明确写出去除掩模的步骤分解，但结合工艺常规必有去除掩模的动作。 | 与特征H类似，本领域技术人员熟知使用金属掩模后的去除步骤，尽管对比文件没有细述该步骤，但去除掩模本身是一个步骤，“去除掩模包括以下步骤”这一引入性描述无法从对比文件直接得出，但可以合理推断隐含公开。因此判断为隐含公开。 |
| **特征Y**：去除所述掩模（隐含公开） | 同特征H，对比文件未明写但可推断。 | 同特征H的论述。隐含公开。 |
| **特征Z**：以使所述第一钝化层的设置在所述半导体基板的所述划线部分上的部分暴露。（未公开） | 无相关公开内容。 | 对比文件去除掩模后可能暴露出基板或绝缘层，但没有暴露第一钝化层在划线部分的设计，因为对比文件没有第一钝化层和划线部分的概念。因此未公开。 |
### 结论代码（按输出格式要求）
直接公开的技术特征（大写代码）：A, E, F, G, N, O, P, Q, T, U
隐含公开的技术特征（小写代码）：h, i, x, y
注意：特征X和Y虽涉及去除掩模，但作为独立特征分别判断为隐含公开，故输出小写x和y；特征K、M、W未输出代码；其余特征未公开不输出。
最终代码序列为：
<<<A>>><<<E>>><<<F>>><<<G>>><<<N>>><<<O>>><<<P>>><<<Q>>><<<T>>><<<U>>><<<h>>><<<i>>><<<x>>><<<y>>>