**对比文件名称**：KR1020120104846A（태양전지 및 그 제조방법）
**目标专利名称**：1649太阳能电池及其制造方法 CN108110072B
**调用的模型名称**：DeepSeek-R1
## 特征比对表格
| 技术特征描述与公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译，段落标号） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该方法包括以下步骤<br>**直接公开** | [0105] “图7a至图7c是本发明一实施例的太阳能电池的制造工序概略工序截面图，其涉及前述图3所示第一实施例的太阳能电池的制造方法。”；[0112]-[0123]详细描述了各工序步骤。 | 对比文件明确公开了太阳能电池的制造方法，并具体描述了包括形成半导体层、导电层、电极等步骤的方法流程，因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：在半导体基板的划线部分上设置掩模<br>**未公开** | 无对应内容。 | 对比文件公开的掩模用于限制导电层不延伸到基板侧面，并未涉及在“划线部分”（未来分割线）设置掩模，且对比文件整体不涉及基板分割成多个单元的技术内容，因此未公开该特征。 |
| 技术特征C：其中，所述半导体基板包括多个单元部分<br>**未公开** | 无对应内容。 | 对比文件中的半导体基板（晶圆）为单个电池结构，无多个单元部分的划分，因此未公开。 |
| 技术特征D：所述划线部分位于所述多个单元部分中的第一单元部分和第二单元部分之间<br>**未公开** | 无对应内容。 | 同特征C，对比文件无单元部分和划线部分的概念，因此未公开。 |
| 技术特征E：在所述半导体基板和所述掩模上形成第一导电区域<br>**未公开** | 无对应内容。 | 对比文件的第一导电层（第1导电层）形成时未使用掩模，第二导电层虽使用掩模，但形成的是第二导电区域而非“第一导电区域”，且掩模上形成的导电材料属于掩模本身而非基板上待保留的导电区域，因此未公开。 |
| 技术特征F：在所述第一导电区域上形成第一电极<br>**直接公开** | [0123] “在所述第1导电层(300)上形成第1电极(400)，在所述第2导电层(600)上形成第2电极(700)。” | 对比文件明确公开了在第一导电层（相当于第一导电区域）上形成第一电极，因此被直接公开。 |
| 技术特征G：所述第一电极与所述第一导电区域电联接<br>**直接公开** | [0060] “所述第1导电层(300)收集所述半导体基板(100)中产生的载流子并将收集的载流子移动到所述第1电极(400)。” | 对比文件公开了第一电极形成在第一导电层上并与其电连接，实现载流子传输，因此被直接公开。 |
| 技术特征H：去除所述掩模<br>**隐含公开** | [0119] “在具有开口部的托盘上放置基板进行沉积工序”；[0122] “通过托盘作为掩模功能使第二导电层不延伸到基板侧面”。 | 对比文件虽未明述“去除掩模”步骤，但本领域技术人员可以合理理解：在沉积完成形成导电层后，必须将基板从托盘（掩模）上取下，该取下过程即为去除掩模，因此该特征被隐含公开。 |
| 技术特征I：以去除所述第一导电区域的设置在所述掩模上的部分<br>**未公开** | 无对应内容。 | 对比文件中第一导电区域（第一导电层）形成时未使用掩模，无“设置在掩模上的部分”；第二导电区域虽使用掩模，但其掩模上的导电材料在脱模时自然分离，但该特征明确针对第一导电区域，因此未公开。 |
| 技术特征J：通过用激光照射所述半导体基板的去除了所述第一导电区域的所述划线部分沿着所述半导体基板的所述划线部分来分割所述半导体基板<br>**未公开** | 无对应内容。 | 对比文件不涉及通过激光照射划线部分来分割基板的步骤，也未公开划线部分的结构，因此未公开。 |
| 技术特征K：其中<br>**直接公开** | [0039] “其特征在于”；[0056] “其中，所述第1导电层…”等。 | “其中”为方法或结构描述中的常见连接词，对比文件全文多处使用，因此被直接公开。 |
| 技术特征L：所述半导体基板通过去除所述掩模而经由所述半导体基板的所述划线部分暴露<br>**未公开** | 无对应内容。 | 对比文件无划线部分暴露的概念，去除掩模后暴露的是基板下表面的中央区域或其他区域，而非划线部分，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中<br>**直接公开** | 同特征K。 | 同特征K，对比文件多处使用“其中”，因此被直接公开。 |
| 技术特征N：形成所述第一电极包括以下步骤<br>**直接公开** | [0123] “在所述第1导电层(300)上形成第1电极(400)”。 | 对比文件公开了形成第一电极的步骤，该步骤是方法的一部分，因此被直接公开。 |
| 技术特征O：形成第一透明电极层<br>**未公开** | 无对应内容。 | 对比文件的第一电极直接由金属形成（[0064]），无单独的透明导电电极层作为电极的一部分；其第一导电层虽为透明导电材料，但属于导电区域而非电极结构，因此未公开。 |
| 技术特征P：在所述第一透明电极层上形成第一金属电极层；并且中<br>**未公开** | 无对应内容。 | 同特征O，对比文件未公开第一透明电极层，因此也未公开在其上形成金属层的步骤。 |
| 技术特征Q：形成所述第一金属电极层包括以下步骤<br>**直接公开** | [0125] “第1电极(400)可以使用Ag等金属材料的糊剂通过印刷工序形成”。 | 对比文件公开了形成第一金属电极层的具体步骤（如印刷金属糊剂），因此被直接公开。 |
| 技术特征R：在所述半导体基板的所述单元部分上形成所述第一金属电极层<br>**未公开** | 无对应内容。 | 对比文件无“单元部分”概念，第一金属电极层形成于第一导电层上，该第一导电层覆盖整个上表面，无针对单元部分的选区形成，因此未公开。 |
| 技术特征S：而没有在所述半导体基板的所述划线部分上形成所述第一金属电极层<br>**未公开** | 无对应内容。 | 同特征R，对比文件无划线部分，第一金属电极层形成时并无刻意避开某区域的描述，因此未公开。 |
| 技术特征T：该方法还包括以下步骤<br>**直接公开** | [0105] 开始描述制造方法，包含多个步骤。 | 对比文件公开的方法包括多个步骤，因此“还包括以下步骤”这一表述被直接公开。 |
| 技术特征U：在设置所述掩模之前<br>**隐含公开** | [0115] “在其形成过程中使用掩模”（指第二导电层）；[0110] 第一、第二半导体层先于导电层形成。 | 对比文件中掩模在形成第二导电层时使用，而第一、第二半导体层在此之前已形成，本领域技术人员可以合理推断在设置掩模之前进行了其他工序，因此被隐含公开。 |
| 技术特征V：在所述半导体基板上形成第一钝化层<br>**隐含公开** | [0073] “在半导体基板(100)与第1半导体层(200)之间额外形成第1真性半导体层(150)”。 | 对比文件第2实施例公开的第一真性半导体层（本征非晶硅）相当于钝化层，且形成于基板、在设置掩模（用于第二导电层）之前，因此被隐含公开。 |
| 技术特征W：其中<br>**直接公开** | 同特征K。 | 同特征K，对比文件多处使用“其中”，因此被直接公开。 |
| 技术特征X：去除所述掩模包括以下步骤<br>**隐含公开** | 同特征H的引用。 | 同特征H，去除掩模是必然的步骤流程的一部分，因此被隐含公开。 |
| 技术特征Y：去除所述掩模<br>**隐含公开** | 同特征H的引用。 | 同特征H，对比文件隐含公开了去除掩模的操作步骤，因此被隐含公开。 |
| 技术特征Z：以使所述第一钝化层的设置在所述半导体基板的所述划线部分上的部分暴露<br>**未公开** | 无对应内容。 | 对比文件无划线部分，第一钝化层（或本征层）覆盖基板全表面，也无暴露其特定区域的步骤，因此未公开。 |
---
根据上述比对，对比文件直接公开的技术特征有：A、F、G、K、M、N、Q、T、W；隐含公开的技术特征有：H、U、V、X、Y。
<<<A>>><<<F>>><<<G>>><<<K>>><<<M>>><<<N>>><<<Q>>><<<T>>><<<W>>><<<h>>><<<u>>><<<v>>><<<x>>><<<y>>>